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[发明专利]一种制备三氯氢硅的装置及方法-CN202310802961.3在审
发明人：齐元红;赵鹏;相文强;李新婷;关鹏羽;刘建海;王伟;刘兴平 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备三氯氢硅的装置及方法，所述装置包括：三氯氢硅合成系统、干法除尘系统、湿法除尘系统、脱重提纯系统和渣浆处理系统；所述三氯氢硅合成系统包括三氯氢硅反应器；所述干法除尘系统中包括旋风分离器；所述湿法除尘系统中包括淋洗塔、再沸器、换热器和第一冷凝器；所述脱重提纯系统中包括脱重塔和碳吸附塔。本发明的装置结合了整个多晶硅行业的气力输送硅粉方式，将利用换热器冷凝混合气作为淋洗的液相的节能技术、三氯氢硅和四氯氢硅组分双向采出的节能手段、渣浆浓缩回收的技术相结合，达到整个系统的有效资源整合，充分地实现低能耗、循环再利用的技术效果，打造出一套可以自行运行，自我补偿的高纯三氯氢硅生产系统。
一种制备三氯氢硅装置方法

[发明专利]一种三氯氢硅的制备方法-CN202310955390.7在审
发明人：齐元红;刘兴平;侯雨;刘丹丹;相文强;赵鹏;王伟;侯素娟 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，所述方法为：氯化氢气体和硅粉不间断加入到流化床反应器中进行反应，其中氯化氢气体的流量在400～750标方/h内、硅粉的进料量在19～290kg/h内进行调控，获得一组使床层压差稳定的氯化氢气体流量和硅粉进料量，在反应过程中保持氯化氢气体的流量和硅粉的进料量不变；在反应过程调控冷却水通水量使得反应温度维持在340～350℃之间，调控完成后在反应过程中保持冷却水通水量不变。本发明中提供的制备方法能够实现在恒定温度、恒定床层压差下生产三氯氢硅，相较现有技术中采用的集中供料、间断降温的生产方法，能够有效减少副产、提升三氯氢硅的转化率。
一种三氯氢硅制备方法

[发明专利]离子膜法生产烧碱的装置及生产烧碱的方法-CN202110824559.6在审
发明人：李海龙;相文强;吴友成;豆江为;齐元红 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C25B1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子膜法生产烧碱的装置及生产烧碱的方法，该装置包括：离子交换树脂塔，用于对通入的一次盐水进行离子交换除杂得到精制盐水；离子膜电解槽，与离子交换树脂塔连接，用于对通入的精制盐水进行电解；氢气换热器，分别与离子膜电解槽的阴极室、脱盐水储槽、碱性凝液储槽、脱盐水管道、氢气排出管道连接用于换热；脱盐水储槽，用于接收经过换热后升温的脱盐水；碱性凝液储槽，与离子交换树脂塔连接，用于向离子交换树脂塔提供碱性冷凝液。本发明使离子膜电解槽电解得到的高温湿氢气经过脱盐水冷却后，进入氢气冷却系统减少下游冷量消耗，冷却后分离得到的冷凝液为含氢氧化钠的碱性冷凝液，碱性冷凝液用于离子交换树脂塔碱再生使用。
离子生产烧碱装置方法

[实用新型]一种防溢流装车系统-CN202222623761.5有效
发明人：齐元红;相文强;侯雨;柴宏斌;侯素娟;刘娟;王强;王伟 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B65G67/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防溢流装车系统，包括：自回流切断阀；装车切断阀；测量装车流量吨位的流量计；探测液体的高度的液位探测器；控制器，分别与所述自回流切断阀、所述装车切断阀、所述流量计和所述液位探测器连接，所述控制器接收所述液位探测器传递的装车液位信号，向所述自回流切断阀输出控制所述自回流切断阀打开或关闭的第一控制信号，向所述装车切断阀输出控制所述装车切断阀打开或关闭的第二控制信号。本方案的液位探测器在接触液体的液面时向控制器传递装车液位信号，控制器接收装车液位信号后，自动计算判定并切换自回流切断阀和装车切断阀，解决了装车时易出现溢流和二次卸车，对装车人员的操作要求高的问题。
一种溢流装车系统

[发明专利]多晶硅生产过程中废气的回收方法-CN201811196199.4有效
发明人：侯雨;王惠;宋高杰;相文强;董越杰;赵阳 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产过程中废气的回收方法，该方法使用吸附装置对废气进行回收，吸附装置包括吸附柱，包括以下步骤：1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱，吸附柱内装填有吸附剂，通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物；2)将吸附柱进行分段解析，先解析出吸附的氯硅烷，再解析出吸附的其余杂质。本发明中的回收方法通过分段解析将吸附柱吸附的杂质进行分离，将吸附柱吸附的氯硅烷与其余的杂质分离开，这样可以充分有效的回收利用氯硅烷，而且能够去除氯硅烷中的大量杂质，提高氯硅烷的纯度，且该回收方法回收效率高，能耗低，并且可以通过选择性回收，降低回收氯硅烷中的杂质含量，提高原料和产品的品质。
多晶生产过程废气回收方法

[发明专利]多晶硅生产过程中的尾气处理方法及系统-CN201710976493.6有效
发明人：张伟;王惠;宋高杰;陈朝霞;相文强;赵阳;董越杰;王强 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产过程中的尾气处理方法及系统，该方法包括以下步骤：(1)通过尾气冷却塔对尾气进行冷却液化分离，在尾气冷却塔的塔釜得到尾气冷却塔的塔釜液，初级混合物包括尾气冷却塔的塔釜液；(2)将初级混合物通入到分离塔进料进行精馏提纯，在分离塔的塔顶收集塔顶气，塔顶气包括氢气、氯化氢；在分离塔的塔顶侧线或上部采出侧线采出液，侧线采出液包括三氯氢硅、二氯二氢硅；收集分离塔的塔釜液，分离塔的塔釜液包括四氯化硅。在分离塔内实现尾气冷却塔的塔釜液中的氢气、氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅的分离，分离开的组分不是同系化合物，得到的均为占比要求不同的混合物，可满足下游工艺需求。
多晶生产过程中的尾气处理方法系统

[实用新型]一种一次盐水粗滤器清洗装置及包含该装置的盐水系统-CN201920495955.7有效
发明人：李海龙;张凯兴;吴友成;相文强;缪勇 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B01D35/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种一次盐水粗滤器清洗装置，包括碱性冷凝液管线、贫硝盐水管线、混合器，所述碱性冷凝液管线和所述贫硝盐水管线分别与所述混合器的入口相连，所述混合器用于将所述碱性冷凝液管线中流入的碱性冷凝液和所述贫硝盐水管线中流入的贫硝盐水混合以制备反洗水，所述混合器的出口用于与粗滤器相连，用以将所述反洗水输出至所述粗滤器。本实用新型还提供了一种盐水系统，包括粗滤器、中间槽，以上所述的一次盐水粗滤器清洗装置、以及反洗泵。本实用新型清洗装置能够提高粗滤器的清洗效果，可解决粗滤器反洗过程中反洗水浑浊、易结晶等影响清洗效果的问题。
粗滤器混合器贫硝盐水本实用新型冷凝液管线清洗装置反洗水一次盐水影响清洗效果清洗效果盐水系统反洗泵冷凝液易结晶中间槽反洗浑浊制备输出出口

[发明专利]太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-CN201710756829.8在审
发明人： 相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
太阳能级多晶硅电子级多晶硅氢气氯硅烷太阳能级生产尾气初级提纯电子级提纯粗制联产生产期间生产能力

[发明专利]三氯氢硅合成炉及系统、使用该合成炉或系统的排渣方法-CN201410782964.6有效
发明人： 相文强;崔建文;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅合成炉及系统、使用该合成炉或系统的排渣方法，该合成炉包括合成炉本体和与该合成炉本体的下部连通的气体进气分布段，气体进气分布段用于向合成炉本体内通入气体，合成炉本体由下至上依次为主反应区、副反应区、缓冲区，副反应区上设置有排渣口，排渣口用于在线排出合成炉内的硅渣。通过将合成炉的排出硅渣的排渣口设置在合成炉的硅渣富集的副反应区，该合成炉能最高效率的在线排出合成炉内的硅渣，避免了合成炉长期运行后硅渣在合成炉本体内的富集，进一步提高了合成三氯氢硅的产率。该合成炉不需要对合成炉频繁的停止运行后进行清除硅渣，从而提高了合成炉的运行周期，大大提高了生产效率。
三氯氢硅合成系统使用方法

[发明专利]一种处理多晶硅生产中尾气的方法及系统-CN201610592188.2在审
发明人： 相文强;张吉武;侯雨;张凯兴;孙荣义;黄鹏 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理多晶硅生产中尾气的方法及系统，该方法包括以下步骤对多晶硅生产中尾气进行吸附，吸附多晶硅生产中尾气中的二氯二氢硅、三氯氢硅、氯化氢，得到经过吸附后的多晶硅生产中尾气；将被吸附的物质进行脱附，得到脱附出来的多晶硅生产中尾气，脱附出来的多晶硅生产中尾气包括二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢；使用含有液态的四氯化硅的淋洗液冷凝并淋洗脱附出来的多晶硅生产中尾气，得到经过淋洗的淋洗液和经过淋洗的多晶硅生产中尾气，经过淋洗的淋洗液包括四氯化硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢。解决了现有的低温冷凝技术无法实现尾气中氯硅烷的有效回收，同时继续降低冷凝温度增加冷却介质消耗及设备投资的缺陷问题。
一种处理多晶生产尾气方法系统

[发明专利]一种气相二氧化硅表面改性的方法-CN201510486054.8在审
发明人：胡光健;陈朝霞;张伟;黄彬;相文强 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相二氧化硅表面改性的方法，包括以下步骤：(1)将气相二氧化硅在200～300℃下进行预处理10～30分钟，提高气相二氧化硅的表面羟基的活性；(2)将气相二氧化硅与表面处理剂在350～450℃下，反应5～60分钟，得到经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅。通过本发明中的方法对气相二氧化硅进行了有效的改性，经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅的羟基值大大降低，气相二氧化硅经过表面处理后，其表面的部分羟基被有机基团取代。本发明中的方法，对气相二氧化硅的表面处理程度更高，改性后的气相二氧化硅表面羟基含量在0.5个/nm2以下，能够应用于中极性到强极性体系，起到增稠触变、改善流变性的作用。
一种二氧化硅表面改性方法

[实用新型]一种生产现场取样余料回收装置-CN201620902111.6有效
发明人： 相文强;侯雨;周玲英;王兵;宋高杰 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种生产现场取样余料回收装置，其包括物料缓冲罐和物料回收罐，且所述物料缓冲罐的位置高于所述物料回收罐的位置，所述物料缓冲罐的容积小于所述物料回收罐的容积；所述物料缓冲罐用于接收物料存储桶倾倒的待回收物料，并在其内的待回收物料累积至第一预设位置时，通过底部输出管线将待回收物料一次性输出至所述物料回收罐；所述物料回收罐用于接收所述物料缓冲罐输出的待回收物料，并在其内的待回收物料累积至第二预设位置时，通过底部输出管线将待回收物料一次性输出至下游物料回收系统。本实用新型能够降低实验室安全风险，降低化工企业生产、检验余料处理难度，避免污染环境及资源浪费。
一种生产现场取样回收装置

[实用新型]一种气体分布器-CN201520906952.X有效
发明人：黄彬;王惠;张伟;张吉武;侯雨;相文强 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： F28F9/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体分布器，通过在分布器本体上设置I型的第一通孔和L型的第二通孔，第一通孔贯穿气体分布器的上、下表面，用于输送壳程气体，第二通孔分别贯穿气体分布器的上表面和侧表面，用于输送管程气体，这样壳程气体与管程气体的输出方向各不相同，壳程气体从石墨换热器的底部输出，管程气体从石墨换热器的侧面输出，管程气体与壳程气体的出口分明，互不影响。
一种气体分布

[实用新型]一种气相二氧化硅表面处理装置-CN201420388070.4有效
发明人：胡光健;黄彬;侯雨;相文强 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相二氧化硅表面处理装置包括：汽化器用于将液态的硅烷类表面处理剂汽化；混合器与汽化器连接，混合器上有载气输入口，混合器用于将输入的汽化的硅烷类表面处理剂与载气混合；反应器与混合器连接，反应器内具有加热装置用于加热，使得输入的在载气中的汽化的硅烷类表面处理剂与气相二氧化硅逆向流动反应，得到经过汽化的硅烷类表面处理剂处理的气相二氧化硅；成品料仓与反应器连接，用于接收经过汽化的硅烷类表面处理剂处理的气相二氧化硅；冷凝器与反应器连接，用于将从反应器流出的尾气中的汽化的硅烷类表面处理剂冷凝回收。该气相二氧化硅表面处理装置通过冷凝器将硅烷类表面处理剂冷凝回收后，循环使用，降低生产成本。
一种二氧化硅表面处理装置

[发明专利]一种氨基磺酸系与萘系复配减水剂及其制备方法-CN201310066379.1无效
发明人：王中;郭智华;鲁明;韩伟;相文强;张李平;廖坤阳;刘舜 -专利权人：王中
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B24/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种氨基磺酸系与萘系复配减水剂及其制备方法，所述减水剂由以下组分按重量百分比组成：氨基磺酸系减水剂23%～29%、萘系减水剂29%～35%和水36%～48%；所述制备方法包括以下步骤：将萘加热熔融状态，加入浓硫酸进行磺化反应，再加水进行水解，将苯酚加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后加入对氨苯磺酸钠进行缩合，将两种产物混合搅拌，先加入甲醛，再加入尿素，最后加入氢氧化钠溶液调节pH，得到氨基磺酸系与萘系复配减水剂。本发明通过在萘系减水剂中添加氨基磺酸系减水剂改善其使用坍落度损失快、水泥适应性差等性能，并达到提高减水率的效果。
一种氨基磺酸系萘系复配减水剂及其制备方法

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