专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]摄像装置-CN201810285958.8有效
  • 德原健富;町田真一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-04-03 - 2023-08-01 - H10K39/32
  • 本发明的课题在于提供一种摄像装置,其能够以简易的像素电路构成实现全局快门功能。摄像装置具备多个单位像素单元,多个单位像素单元分别具备:光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路,光电转换部包括:第一电极,其包含第一导电性材料;第二电极,其与第一电极相对置;光电转换层,其位于第一电极与第二电极之间,包含第一光电转换材料;和电子阻挡层,其位于第一电极与光电转换层之间,包含电子阻挡材料,其中,电子阻挡材料的电离电势大于第一导电性材料的功函数,且大于第一光电转换材料的电离电势,光电转换部具有光电流特性:在第一电极与第二电极之间施加偏压时,存在第一电压范围,第一电压范围的宽度为0.5V以上。
  • 摄像装置
  • [发明专利]摄像装置-CN201780022788.8有效
  • 中田学;井土真澄;町田真一;井上恭典 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-06-29 - 2023-05-12 - H01L27/146
  • 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括:第1电极;透光性的第2电极;第1光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料;以及第2光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的电离电位的绝对值比第2材料的电离电位的绝对值大0.2eV以上。
  • 摄像装置
  • [发明专利]摄像装置-CN202180018530.7在审
  • 町田真一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2021-03-12 - 2022-10-25 - H01L27/146
  • 本公开的摄像装置具备:半导体基板;多个像素电极,其位于半导体基板的上方,分别与半导体基板电连接;对置电极,其位于多个像素电极的上方;第1光电转换层,其位于多个像素电极与对置电极之间;和至少1个第1遮光体,其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含半导体量子点和覆盖材料,所述半导体量子点将第1波长范围的光吸收,所述覆盖材料将半导体量子点覆盖,吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少1个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。
  • 摄像装置
  • [发明专利]光电转换元件、电子设备及发光装置-CN202080071186.3在审
  • 町田真一;能泽克弥;宍戸三四郎 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-10-06 - 2022-06-03 - H01L31/10
  • 本申请的一个实施方式的光电转换元件具备:第一电极(2);第二电极(3);以及光电转换层(4),其包含多个半导体型碳纳米管、和对上述多个半导体型碳纳米管作为施主或受主发挥功能的第一材料,并且位于上述第一电极(2)与上述第二电极(3)之间。上述多个半导体型碳纳米管具有下述吸光特性:在第一波长下包含第一吸收峰,在比上述第一波长短的第二波长下包含第二吸收峰,在比上述第二波长短的第三波长下包含第三吸收峰。上述第一材料对选自上述第一波长与上述第二波长之间的第一波长范围、及上述第二波长与上述第三波长之间的第二波长范围中的至少一个波长范围的光透明。
  • 光电转换元件电子设备发光装置
  • [发明专利]摄像元件-CN202080070972.1在审
  • 宍戸三四郎;留河优子;町田真一;土居隆典 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-09-28 - 2022-05-27 - H01L27/146
  • 本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备:第1像素阵列,包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与第1光电转换部连接的第1像素电极;以及第2像素阵列,包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与第2光电转换部连接的第2像素电极。第1波段的中心波长与第2波段的中心波长不同。第1像素阵列与第2像素阵列被层叠。在平面图中,通过第1像素电极与第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积,小于从第1像素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。
  • 摄像元件
  • [发明专利]拍摄装置的控制方法以及拍摄装置-CN201711406035.5有效
  • 中田学;町田真一;德原健富;宍戸三四郎;柳田真明;井土真澄 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-12-22 - 2022-03-01 - H04N5/232
  • 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法,在动作模式为第1模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续,在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式,在动作模式为第2模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式,在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。
  • 拍摄装置控制方法以及
  • [发明专利]摄像装置-CN202080007020.5在审
  • 宍戸三四郎;小柳贵裕;留河优子;町田真一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-03-17 - 2021-07-30 - H01L27/146
  • 本发明的一技术方案的摄像装置具备第1像素以及与第1像素邻接的第2像素。第1像素及第2像素分别包括:第1电极;第2电极,位于第1电极的上方,与第1电极对置;光电变换层,位于第1电极与第2电极之间;以及第1电荷阻挡层,位于第1电极与光电变换层之间。第1像素的第1电荷阻挡层和第2像素的第1电荷阻挡层被分离。光电变换层跨第1像素和第2像素而配置。在平面视图下,第1像素的第1电荷阻挡层的面积比第1像素的第1电极的面积大,第2像素的第1电荷阻挡层的面积比第2像素的第1电极的面积大。
  • 摄像装置
  • [发明专利]光传感器及光检测系统-CN201980042953.5在审
  • 宍戸三四郎;町田真一;德原健富;能泽克弥 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2019-10-25 - 2021-02-19 - H01L31/0232
  • 本发明的目的是提供一种能够进行窄带的摄像的鲁棒且能够便宜地制造的光传感器(100)。光传感器(100)具备:光电变换层(10);以及长通滤波器(60),配置在上述光电变换层(10)的上方,有选择地使所入射的光中的具有起始波长(λC)以上的波长的成分透射。上述光电变换层(10)具有对于比上述长通滤波器(60)的上述起始波长(λC)长的第1波长(λ1)呈现第1峰值(Pk1)的光谱灵敏度特性。上述起始波长(λC)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度是上述第1波长(λ1)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度的0%以上50%以下。
  • 传感器检测系统
  • [发明专利]摄像装置及摄像系统-CN201980025741.6在审
  • 德原健富;宍戸三四郎;三宅康夫;町田真一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2019-10-25 - 2020-11-24 - H01L31/0232
  • 本申请的一个方案的摄像装置具备:半导体基板,其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面;第1晶体管,其位于上述第2面上;和光电转换部,其面向上述第2面,且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含:与上述第1晶体管电连接的第1电极;第2电极;和光电转换层,其位于上述第1电极与上述第2电极之间,且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0%~5%的范围内。
  • 摄像装置系统

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