“田丸雅规”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]固态成像装置及固态成像系统-CN202280011786.X在审
发明人：冲野彻;香山信三;斋藤繁;竹本征人;田丸雅规;越田浩旨;春日繁孝;能势悠吾 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：在有效像素(11)和故障检测像素上连接有用于控制该像素的工作的控制信号线(201)、以及输出该像素的检测结果的输出信号线(202)。多个有效像素(11)中的布置在同一行中的有效像素(11)共同连接在同一条控制信号线(201)上，多个有效像素(11)中的布置在同一列中的有效像素(11)共同连接在同一条输出信号线(202)上。故障检测像素共同连接在控制信号线(201)和输出信号线(202)中的至少一条信号线上，且对连接在信号线上的有效像素(11)的故障进行检测。
固态成像装置系统

[发明专利]基板电流抑制电路、基准电压生成电路及半导体装置-CN202180067900.6在审
发明人：越田浩旨;香山信三;可部达也;田丸雅规 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：基板电流抑制电路(11)具备对第3及第4晶体管的集电极供给固定电压的固定电压线(8)；固定电压在第1极性为P型的情况下是比第3及第4晶体管的基极电压高的电压(VDD2)，在第1极性为N型的情况下是比基极电压低的电压(VSS2)。
电流抑制电路基准电压生成半导体装置

[发明专利]固体摄像装置以及测距装置-CN202180061228.X在审
发明人： 田丸雅规;春日繁孝;香山信三 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像装置具有被配置为矩阵状的多个像素电路(1)，像素电路(1)具备：光电二极管(A P D)；蓄积电荷的第1电荷蓄积部(C 1)；蓄积电荷的浮动扩散区(F D)；蓄积电荷的第2电荷蓄积部(C 2)；第1传输晶体管(2)，将电荷从光电二极管(A P D)传输到第1电荷蓄积部(C1)；第2传输晶体管(3)，将电荷从第1电荷蓄积部(C 1)传输到浮动扩散区(F D)；第1复位晶体管(4)，将浮动扩散区(F D)复位；以及累积晶体管(7)，用于将浮动扩散区(F D)的电荷累积在第2电荷蓄积部(C 2)，第1电荷蓄积部(C 1)的电容比浮动扩散区(F D)的电容大，第2电荷蓄积部(C 2)的电容比浮动扩散区(F D)的电容大。
固体摄像装置以及测距

[发明专利]固体摄像装置、摄像装置以及距离测量装置-CN202180048516.1在审
发明人：春日繁孝;田丸雅规;能势悠吾 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：固体摄像装置(200)具备：多个像素(211)；第1采样保持电路(241)，按每个列而被设置，并且生成第1差分电压，该第1差分电压是从被配置在对应的列的第1像素输出的第1复位电压与第1信号电压的差分；第2采样保持电路(242)，按每个列而被设置，并且生成第2差分电压，该第2差分电压是从与第1像素不同的第2像素输出的第2复位电压与第2信号电压的差分；以及AD转换电路(218)，按每个列而被设置，并且将第1电压以及第2电压转换为数字信号，所述第1电压是基于从被配置在对应的列的第1采样保持电路(241)输出的第1差分电压的电压，所述第2电压是基于从被配置在对应的列的第2采样保持电路(242)输出的第2差分电压的电压。
固体摄像装置以及距离测量

[发明专利]固体摄像元件-CN202080087479.0在审
发明人：坂田祐辅;田丸雅规;森三佳 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像元件(1)具备在半导体基板(100)上分别沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向以二维阵列状形成的多个像素单元。多个像素单元中包含的在第2方向上排列的第1像素单元(10a)及第2像素单元(10b)中，像素电路(30)彼此在第1像素单元(10a)的受光部(2)与第2像素单元(10b)的受光部(2)之间在第2方向上相邻。第1像素单元(10a)具有的多个第1晶体管分别与具有与该第1晶体管相同的功能的第2像素单元(10b)所具有的第1晶体管共用栅极电极。
固体摄像元件

[发明专利]距离图像的获得方法、以及距离检测装置-CN202080022008.1在审
发明人：春日繁孝;香山信三;田丸雅规;越田浩旨;能势悠吾;竹本征人 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：距离图像的获得方法，包括：设定步骤(S10)，在深度方向上设定多个距离分割区间；以及摄像步骤，根据被设定的多个距离分割区间，获得距离图像，摄像步骤，包括：第1距离图像群摄像步骤(S20～90)，获得对多个距离分割区间的一部分进行拍摄而得到的多个距离图像；以及第2距离图像群摄像步骤(S110～S190)，获得对相位与多个距离分割区间的一部分的相位不同的距离分割区间进行拍摄而得到的多个距离图像。
距离图像获得方法以及检测装置

[发明专利]固态成像设备-CN202080019036.8在审
发明人： 田丸雅规;春日繁孝;坂田祐辅;森三佳;香山信三 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开解决的问题是提供一种适于实现高灵敏度和高集成度的固态成像设备。设置在半导体衬底(100)上并以二维阵列布置的多个像素单元(10)中的至少一个像素单元(10)包括光接收部分(2)、像素电路(30)和第二晶体管(4)。光接收部分(2)接收入射光以产生电荷。像素电路(30)包括沿第一方向并排布置的多个第一晶体管(3)和电荷保持部分(5)。电荷保持部分(5)保持由光接收部分(2)产生的电荷。像素电路(30)输出根据由光接收部分(2)产生的电荷的光接收信号。第二晶体管(4)将电荷保持部分(5)连接到存储电荷的存储器部分(6)。在沿半导体衬底(100)的厚度方向观察的平面图中，像素单元(10)被配置为使得第二晶体管(4)在第二方向上与多个第一晶体管(3)分开，该第二方向与第一方向正交。
固态成像设备

[发明专利]半导体装置-CN201980011551.9有效
发明人： 田丸雅规;吉田一磨;大辻通也;福岛哲之 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)，第1晶体管(T1)具有第1体层(113)、第1连接部(113A)，第2晶体管(T2)具有第2体层(123)、第2连接部(123A)，在第2连接部(123A)以及第2体层(123)的路径中，从第1源极电极(115)到第2体层(123)中阻抗成为最大的位置为止的第2阻抗，比在第1连接部(113A)以及第1体层(113)的路径中，从第1源极电极(115)到第1体层(113)中阻抗成为最大的位置为止的第1阻抗大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180021812.9无效
发明人： 田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。局部布线(12)与杂质扩散区域(11)上表面相接地形成且延伸到电位供给布线(13)之下。而且，通过接触孔(14a)来电连接局部布线(12)与电位供给布线(13)。即，为了实现从杂质扩散区域(11)到电位供给布线(13)的电连接而利用与杂质扩散区域上表面相接地形成的局部布线(12)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180012262.4有效
发明人： 田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，在并排排列的栅极图案(21、22)的端部和并排排列的栅极图案(23、24)的对置端部中，栅极图案(21)的端部与栅极图案(22)的端部相比，更向栅极图案(23、24)一方突出，栅极图案(24)的对置端部与栅极图案(23)的对置端部相比，更向栅极图案(21、22)一方突出。针对缩后一方的栅极图案(22)的端部及栅极图案(23)的对置端部，按照最终形状中不产生后退的程度将修正量设定得较大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180011403.0无效
发明人： 田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。在第1布线层形成有电源电位布线(101a～101d)以及基板电位布线(102a～102d)，在比布线层整体的正中间靠下的下层侧的布线层形成有电源带状布线(103a、103b、104a、104b)。上方通孔部(114)与下方通孔部(112)相比，电源带状布线(103a、103b、104a、104b)延伸的方向上的配置密度变低。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080058540.5有效
发明人： 田丸雅规;中西和幸;西村英敏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180000675.0有效
发明人：池上智朗;中西和幸;田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：标准单元(C1)具有在Y方向上延伸、并且在X方向上以相同的间距配置的栅极图案(G1、G2、G3)，其各终端部(e1、e2、e3)在Y方向上处于相同的位置，并且在X方向上的宽度相同。二极管单元(C2)在Y方向上与标准单元(C1)相邻，并且除了具有作为二极管的功能的扩散层(D1～D10)之外，还具备与终端部(e1、e2、e3)相对置地配置的由栅极图案(G4、G5、G6)形成的多个对置终端部(eo1、eo2、eo3)。
半导体装置

[发明专利]标准单元和具有该标准单元的半导体装置-CN201110075444.8有效
发明人：尾添律子;谷口博树;西村英敏;田丸雅规;近藤英明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种标准单元和具有该标准单元的半导体装置。在标准单元中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。
标准单元具有半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080002292.2有效
发明人：中西和幸;田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其布局能够可靠地抑制因光接近效应引起的栅极长度的偏差，并且可以实现自由的布局设计。单元(C1)的栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，其终端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。单元(C2)的栅极图案(G4)具有沿Y方向朝向单元(C1)延伸的突出部(4b)，该突出部(4b)构成了对置终端部(eo1、eo2、eo3)。对置终端部(eo1、eo2、eo3)与栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，并且对置终端部的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。
半导体装置

1
2
下一页»
尾页
共 16 条