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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580051335.5有效
  • 田中琢尔 - 富士通株式会社
  • 2005-08-18 - 2008-08-06 - H01L27/08
  • 本发明的课题为，涉及一种适合于半导体器件的稳定特性的半导体器件及其制造方法，提供一种谋求具有三阱结构的半导体器件三阱内的晶体管的稳定特性的半导体器件及其制造方法。为了解决上述课题，本发明的半导体器件在半导体器件内具有，第一阱区域和第二阱区域、及形成在所述第二阱区域的多个晶体管。而且，半导体器件具有贯通口区域，该贯通口区域贯通所述第一阱区域而形成，而且在所述第二阱的底部，使所述第二阱区域和所述半导体衬底电性导通。而且，所述半导体器件的特征在于，所述贯通口区域的边界配置在所述晶体管之间，而且在平面上观察时，所述贯通口区域的边界从所述晶体管分离而被配置。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法和设计方法-CN200610084524.9无效
  • 田中琢尔 - 富士通株式会社
  • 2006-05-25 - 2006-11-29 - H01L27/04
  • 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底(10)；第一导电类型的第一阱(32a)，形成在该半导体衬底(10)中；第二导电类型的第二阱(32b)，形成在该半导体衬底(10)中；第二导电类型的杂质层(14)，埋在位于该第一阱(32a)和该第二阱(32b)下方的半导体衬底(10)中，并且连接至该第二阱(32b)，用于将偏置电压施加至该第二阱(32b)；以及第一导电类型的接触区(34)，选择性地形成在位于该第一阱(32a)紧下方的杂质层(14)中，该第一阱(32a)通过该接触区(34)连接至该半导体衬底(10)。
  • 半导体器件及其制造方法设计
  •  1 
  • 共 3 条
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