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[发明专利]SRAM单元及其检测方法、SRAM单元的检测系统和SRAM器件-CN201710037835.8有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：一种SRAM单元及其检测方法、SRAM单元的检测系统和SRAM器件，SRAM单元包括：存储单元，包括第一反相器和第二反相器；传送单元，包括第一传送门晶体管和第二传送门晶体管，第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的漏极分别与第一节点和第三节点电连接；字线，与第一传送门晶体管栅极和第二传送门晶体管栅极电连接；位线，包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的源极电连接；与位线电连接的驱动单元，用于同时向第二节点和第四节点加载低电平；与位线电连接的读取单元，用于读取第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的输出电流之和。通过所述SRAM单元可以侦测失效SRAM单元。
sram 单元及其检测方法系统器件

[发明专利]SRAM存储器及其形成方法-CN201710074019.4有效
发明人： 甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，传输栅极结构底部的基底中具有沟道区，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一外延层，第一外延层对沟道区产生应力，第一外延层的边缘至传输栅极结构的边缘的最小距离为第一距离；在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二外延层，第二外延层对沟道区产生应力，第二外延层和第一外延层的材料相同，第二外延层的边缘至传输栅极结构的边缘的最小距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离。所述方法能够提高SRAM存储器的电学性能。
sram 存储器及其形成方法

[发明专利]熔丝结构电路及其形成方法-CN201710210528.5有效
发明人： 甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种熔丝结构电路及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括熔丝区和控制区；在所述基底熔丝区和控制区上分别形成金属层，控制区金属层用于和熔丝区金属层电学连接；在所述熔丝区金属层的顶部表面形成第一覆盖层，第一覆盖层的材料和熔丝区金属层的材料具有第一结合能；在所述控制区金属层的顶部表面形成第二覆盖层，第二覆盖层的材料和控制区金属层的材料具有第二结合能，第一结合能小于第二结合能。所述方法使得熔丝结构电路的性能得到提高。
结构电路及其形成方法

[发明专利]层间互连部件的可靠性评估方法-CN201610871107.2有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间互连部件的可靠性评估方法，涉及半导体器件测试领域。方法包括：提供测试半导体装置，所述半导体装置包括二端口电阻网络，获取在层间互连部件中没有待检测的缺陷的理想情况下，在N为不同值时，处于该理想情况下的所述二端口电阻网络的至少一个端口处的接入电阻和N的对应关系；在所述二端口电阻网络的所述至少一个端口处测量接入电阻；基于所述对应关系，确定与测量所得的接入电阻值对应的级。本发明的方法能够快速定位出现缺陷的层间互连部件的位置，有效减少检测时间和步骤，提高检测效率。
互连部件可靠性评估方法

[发明专利]静电放电保护电路及其制作方法-CN201610561710.0有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路及其制作方法，其制作方法包括提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱；在所述阱上形成栅极；在所述阱中进行源漏区注入，形成源极和漏极；以及通过一特定掩模板对所述漏极进行ESD注入，在所述漏极下方形成ESD注入区，所述ESD注入区中两端区的注入剂量大于中间区的注入剂量。本发明通过一特定掩模板对所述漏极进行ESD注入，在所述漏极下方形成至少一ESD注入区，所述ESD注入区中两端区的注入剂量大于中间区的注入剂量，可以改善现有的静电放电保护电路中存在ESD开启不一致的现象，使其有效的提高静电放电保护能力。
静电放电保护电路及其制作方法

[发明专利]SRAM存储器及其形成方法-CN201710073774.0有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，所述传输栅极结构底部的基底中具有沟道区；形成外延层，所述外延层对沟道区产生应力，所述外延层仅位于所述传输栅极结构第一侧的基底中。所述方法使SRAM存储器的电学性能提高。
sram 存储器及其形成方法

[发明专利]一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置-CN201611086015.X有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置。所述SRAM存储器件至少包括传输门晶体管，所述传输门晶体管的制备方法包括：提供基底并在所述基底上依次形成界面层和高K介电层；在预定形成所述传输门晶体管的区域中对所述高K介电层进行氮化处理，以增加所述传输门晶体管的正偏压温度不稳定性水平；在所述高K介电层上形成覆盖层，以覆盖所述高K介电层。本发明通过所述方法有助于平衡在高温操作寿命(High Temperature Operating Life，HTOL)过程中NMOS下拉晶体管的负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability，NBTI)和PMOS上拉晶体管的正偏压温度不稳定性，以使SRAM存储器件具有更好的高温操作寿命(High Temperature Operating Life，HTOL)性能。
一种 sram 存储器件制备方法电子装置

[发明专利]一种硅通孔测试结构及其测试方法-CN201610881295.7有效
发明人： 甘正浩;邵芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔测试结构及其测试方法，所述硅通孔测试结构包括：半导体衬底，具有第一导电类型；硅通孔，位于所述半导体衬底中，由内至外包括硅通孔主体和绝缘层；第一重掺杂区，具有第二导电类型，位于半导体衬底内且围绕所述硅通孔设置；第二重掺杂区，具有第一导电类型，位于半导体衬底内且间隔的设置于所述第一重掺杂区的外侧；互连结构，分别与所述硅通孔、所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区电连接。通过所述结构既可以测量是否有漏电流来判断绝缘层是否完整，又可以测量电容值来判断硅通孔的深度是否达到标准值，而且所述漏电流以及所述电容值更加准确和灵敏，从而更加准确的测试绝缘层是否完整和硅通孔的深度是否达到标准值。
一种硅通孔测试结构及其方法

[发明专利]熔丝结构及其形成方法-CN201710160423.3有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种熔丝结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。所述方法提高了熔丝结构的性能。
结构及其形成方法

[发明专利]栅控二极管及其形成方法-CN201610315907.6有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种栅控二极管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；形成多个鳍部；形成第一控制结构，第一控制结构包括多个横跨鳍部的第一栅极，第一栅极覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面；形成第一掺杂区和第二掺杂区。本发明通过在第一掺杂区和第二掺杂区之间设置第一控制结构，第一控制结构包含有多个第一栅极，因此第一控制结构沿鳍部延伸方向的尺寸大于单个第一栅极的尺寸。因此第一控制结构的设置能够有效增大第一掺杂区和第二掺杂区之间的距离，能够有效延长栅控二极管的电流通道长度，能够有效拓展栅控二极管的电流通道的深度，因此能够有效改善栅控二极管的电流拥堵问题，提高器件性能。
二极管及其形成方法

[发明专利]静电放电保护电路-CN201610561689.4有效
发明人： 甘正浩;邵芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，所述静电放电保护电路连接在一第一晶圆和一第二晶圆之间，所述第一晶圆包含有硅通孔，所述第二晶圆包含内部芯片电路，包括：阻变存储器、防静电元件以及开关控制单元。本发明通过开关控制单元、防静电元件以及阻变存储器组成的静电放电保护电路能够很好的实现静电放电过程，保护集成电路；而且，在静电放电完成后，通过开关控制单元控制阻变存储器处于高阻态，能够完全将静电放电保护电路与集成电路断开，彻底消除静电放电保护电路的寄生效应，以提高静电保护能力。
静电放电保护电路

[发明专利]一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置-CN201510615978.3有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置。硅通孔传感器，包括：硅通孔；至少两个环形振荡器阵列，镜像设置于所述硅通孔的两侧；其中，在远离所述硅通孔的方向上，每个所述环形振荡器阵列至少包括3个并列设置的环形振荡器，其中每个所述环形振荡器中包括若干个NMOS反相器或PMOS反相器，其中包括所述NMOS反相器的所述环形振荡器和包括所述PMOS反相器的所述环形振荡器交替设置。本发明为了解决现有技术中存在的问题提供了一种硅通孔传感器和和检测方法，通过所述硅通孔传感器可以检测所述硅通孔中是否存在应力，同时还可以进一步检测是否存在离子扩散效应，通过所述检测可以对半导体器件进行评价，进一步提供了所述半导体器件的性能。
一种硅通孔传感器检测方法电子装置

[发明专利]基于硅通孔的温度传感器及温度测量方法、电子装置-CN201610090910.2有效
发明人： 甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01K7/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅通孔的温度传感器及温度测量方法、电子装置。所述温度传感器包括：硅通孔电容器，所述硅通孔电容器的电容值随温度的变化而变化；电容传感及放大单元，用于基于所述硅通孔电容器的电容值变化输出放大了的电容差信号；电容温度转换单元，用于将上述电容差信号转换为温度信号。本发明所述温度传感器包括硅通孔电容器、电容传感及放大单元和电容温度转换单元，其中所述硅通孔电容器的电容值随温度的变化而变化，所述电容传感及放大单元基于所述硅通孔电容器的电容值变化输出放大了的电容差信号，电容温度转换单元将上述电容差信号转化为温度信号，通过所述方法可以对温度进行准确的监控。
基于硅通孔温度传感器温度测量方法电子装置

[发明专利]反熔丝结构电路及其形成方法-CN201710243649.X有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝结构电路及其形成方法，结构包括：基底，基底包括控制区；位于基底控制区上的控制栅极结构组，所述控制栅极结构组包括第一栅极结构；反熔丝，所述反熔丝包括：位于基底上且覆盖第一栅极结构的层间介质层，所述层间介质层包括第一介质层，第一介质层的顶部表面与第一栅极结构的顶部表面齐平；贯穿第一栅极结构上层间介质层的第一导电插塞，第一导电插塞覆盖第一栅极结构的顶部表面和第一栅极结构两侧的部分第一介质层；贯穿第一栅极结构两侧层间介质层的第二导电插塞，第二导电插塞到第一导电插塞具有第一距离，第二导电插塞到第一栅极结构具有第二距离，第一距离小于第二距离。所述反熔丝结构电路的性能得到提高。
反熔丝结构电路及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610753384.3有效
发明人： 甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：FinFET器件，所述FinFET器件包括：基底，凸出于所述基底上的鳍部，位于所述基底上且横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁，分别位于所述栅极结构相对两侧的鳍部内的源极和漏极；位于所述FinFET器件正上方的Fuse器件，所述Fuse器件具有阳极端以及阴极端，其中，所述阴极端与所述FinFET器件的源极电连接，所述阳极端与外接衬垫电连接；介质层，所述介质层位于所述FinFET器件以及Fuse器件之间。本发明缩短半导体器件的编程时间，提高编程效率。
半导体器件及其制造方法

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