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[外观设计]乌金罐-CN201930505482.X有效
发明人： 甄珍珍;李双飞;金梦 -专利权人：河北雅视文化产业投资有限公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：乌金罐。;2.本外观设计产品的用途：销售、家居陈设。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。;5.请求保护的外观设计包含色彩。
乌金罐

[外观设计]罐（乌金釉宫廷瓷）-CN201930322353.7有效
发明人： 甄珍珍;金梦 -专利权人：河北雅视文化产业投资有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：罐（乌金釉宫廷瓷）。;2.本外观设计产品的用途：销售或居家陈设。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。;5.请求保护的外观设计包含色彩。
罐（乌金釉宫廷瓷）

[实用新型]一种垂直紫外LED芯片-CN201620254324.2有效
发明人：周朝旭;张保国;甄珍珍;李晓波 -专利权人：河北工业大学;同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
一种垂直紫外 led 芯片

[发明专利]一种垂直紫外LED芯片的制备方法-CN201610196094.3在审
发明人：张保国;周朝旭;甄珍珍;李晓波 -专利权人：河北工业大学;同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10Å，Ag的厚度控制在10～40Å，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400Å 的SiO₂，然后将TiO₂和SiO₂交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO₂的厚度均为278～348Å ，SiO₂的厚度均为477～596Å，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
一种垂直紫外 led 芯片制备方法

[实用新型]一种用于高压LED的反射弧型隔离槽-CN201420042694.0有效
发明人：李珅;甄珍珍;王静辉;李晓波;王义虎;苏银涛;曹培 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，属于半导体器件领域。本实用新型的隔离槽为位于第一LED芯片和第二LED芯片之间、在互联电极以下的具有布拉格结构的反射层，反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成，最底部的第一隔离层由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。本实用新型中隔离槽采用的是布拉格反射结构且两侧与底部之间的夹角为钝角，使得LED芯片射到隔离槽部分的光经过反射又返回到芯片内部并从正面射出，这种结构造成的光能损失远小于现有结构在沟槽内的损失，避免了由于芯片间距小而导致的光线无法从侧面逸出的情况，大大提高了提升了高压LED的出光效率，提高了其亮度。
一种用于高压 led 反射弧隔离

[实用新型]一种提高倒装薄膜LED侧面出光的结构-CN201320871597.8有效
发明人： 甄珍珍;王静辉;李珅;李晓波;王义虎;苏银涛;曹培 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高倒装薄膜LED侧面出光的结构,尤其涉及半导体元件结构设计领域。其LED芯片结构从上至下依次为N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层右侧为倾斜面，所述N型半导体层左侧为倾斜面，所述N型金属电极和P型金属电极底端连接有散热基板。将LED倒装芯片刻蚀成梯形，并倒装在基板上，再通过激光剥离去除蓝宝石衬底，形成具有一定倾斜角度的LED倒装薄膜芯片，提高了LED的侧面出光，从而提高了光效。
一种提高倒装薄膜 led 侧面结构

[实用新型]一种提高LED侧面出光的结构-CN201320872049.7有效
发明人：李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽;李珅;范胜华 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高LED侧面出光的结构。尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层左侧为倾斜面，所述N型半导体层右侧为倾斜面。本实用新型将LED芯片刻蚀成梯形，并倒装在基板上，形成具有一定倾斜角度的LED芯片，提高了LED的侧面出光，从而提高了光效。
一种提高 led 侧面结构

[实用新型]一种提高电极焊线稳定性的结构设计-CN201320871586.X有效
发明人：李晓波;李珅;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;范胜华 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高电极焊线稳定性的结构设计，尤其涉及一种半导体器件技术领域。该二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述P型半导体层设有P型平坦化层，所述N型半导体层设有N型平坦化层。本实用新型通过对P、N金属电极位置进行平坦化改进，同时在刻蚀N型层时，减小N型区刻蚀区域，改进后的P、N金属电极明暗场颜色一致，高度一致，粗糙度一致，极大地提高了封装厂自动作业的速度，解决了焊线困难的问题。
一种提高电极稳定性结构设计

[实用新型]具有倒装结构的LED芯片-CN201320845986.3有效
发明人：王静辉;李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;肖国华;苏银涛 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有倒装结构的LED芯片，涉及半导体器件技术领域。包括蓝宝石衬底；位于蓝宝石衬底下表面的N型层，所述N型层的下表面上设有凸台；位于N型层凸台下表面的发光层，位于凸台右侧的N型层下表面的N电极；位于发光层下表面的P型层，位于P型层下表面的P电极，用于连接P电极和硅基板的P焊点以及用于连接N电极与硅基板的N焊点，所述蓝宝石衬底的横截面为正梯形，所述硅基板的上表面设有圆柱形孔洞且其侧壁为倾斜的。所述LED芯片可以有效地提高芯片的出光率，解决了传统倒装芯片发光效率低的问题，使倒装LED芯片更具备市场前景。
具有倒装结构 led 芯片

[实用新型]一种提高电极颜色一致性的结构设计-CN201320871557.3有效
发明人：李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高电极颜色一致性的结构设计，尤其涉及一种半导体器件技术领域。该二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，所述N型金属电极的顶端与所述P型金属电极的顶端水平高度一致。本实用新型通过将N、P电极制备成同样的高度，解决了传统LED芯片N、P电极高度不一致带来的异色问题，从而使N、P电极焊盘明暗场颜色一致，高度一致，粗糙度一致，极大地提高了封装厂自动作业的速度，解决了焊线困难的问题。
一种提高电极颜色一致性结构设计

[实用新型]提高发光二极管电流扩展层均匀性的结构-CN201320872056.7有效
发明人：李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;任继民;孟丽丽;苏银涛 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高发光二极管电流扩展层均匀性的结构，尤其涉及一种半导体器件技术领域。该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述电流扩展层至少设有一个月牙形状柱体。本实用新型通过月牙形电流扩展层结构来改善电流拥挤现象，当电流从P型金属电极流经月牙形柱体位置时，会产生电流阻挡的效果，电流从月牙形柱体周围流过，改善了电流拥挤的现象，提高了电流扩展均匀性，从而提高光功率。
提高发光二极管电流扩展均匀结构

[实用新型]一种提高倒装LED侧面出光的结构-CN201320871818.1有效
发明人：王义虎;甄珍珍;李珅;李晓波;王静辉;肖国华;孟丽丽;张东琳 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高倒装LED侧面出光的结构，尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层右侧为倾斜面，所述N型半导体层左侧为倾斜面，所述N型金属电极和P型金属电极底端连接有散热基板。将LED芯片刻蚀成梯形，并倒装在基板上，形成具有一定倾斜角度的LED芯片，提高了LED的侧面出光，从而提高了光效。
一种提高倒装 led 侧面结构

[实用新型]具有一维光子晶体结构的发光二极管-CN201320836442.0有效
发明人：李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;范胜华 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有一维光子晶体结构的发光二极管，包括衬底层；位于衬底层上表面的N型层，所述N型层上设有凸台；位于N型层凸台上表面的发光层，位于凸台右侧的N型层上表面的N电极；位于发光层上表面的P型层，所述P型层的上表面的中部设有具有一维光子晶体结构的电流阻挡层，电流扩展层位于P型层和具有一维光子晶体结构的电流阻挡层的上表面，P电极位于电流阻挡层上侧的电流扩展层的上表面。所述发光二极管具有一维光子晶体结构，可以避免电流直接流过P电极下面造成电流拥挤的现象，同时一维光子晶体结构可以有效地改善LED的出光角度，提高LED的出光效率。
具有光子晶体结构发光二极管

[实用新型]具有电流阻挡效应的发光二极管-CN201320818565.1有效
发明人：李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;任继民;孟丽丽 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有电流阻挡效应的发光二极管，涉及半导体器件技术领域。包括衬底层；位于衬底层上表面的N型层；位于N型层上表面左侧的发光层，位于N型层上表面右侧的N电极；位于发光层上表面的P型层，所述P型层的上表面设有向下凹陷的P型刻蚀区域，电流扩展层位于P型层的上表面，P电极位于所述P型刻蚀区域内的电流扩展层的上表面。所述发光二极管的P型层上设有向下凹陷的P型刻蚀区域，达到了电流阻挡效应，提高了二极管的发光亮度。
具有电流阻挡效应发光二极管

[发明专利]一种用于高压LED的反射弧型隔离槽-CN201410031539.3有效
发明人：李珅;甄珍珍;王静辉;李晓波;王义虎;苏银涛;曹培 -专利权人：同辉电子科技股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高压LED的反射弧型隔离槽，属于半导体器件领域。本发明的隔离槽为位于第一LED芯片和第二LED芯片之间、在互联电极以下的具有布拉格结构的反射层，反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成，最底部的第一隔离层由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成，左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。本发明中隔离槽采用的是布拉格反射结构且两侧与底部之间的夹角为钝角，使得LED芯片射到隔离槽部分的光经过反射又返回到芯片内部并从正面射出，这种结构造成的光能损失远小于现有结构在沟槽内的损失，避免了由于芯片间距小而导致的光线无法从侧面逸出的情况，大大提高了提升了高压LED的出光效率，提高了其亮度。
一种用于高压 led 反射弧隔离

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