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[发明专利]一种紫外辐射剂量监测器及其制备方法-CN202210270566.0在审
发明人：高旭;殷子懿;王穗东;朱晨辉;徐建龙;仲亚楠 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明所述的紫外辐射剂量监测器，下电极作为辅助电极协同器件工作，用于控制有机半导体层和绝缘层中的电场；绝缘层阻隔了下电极与有机光致变色材料‑聚合物复合膜层的联通，避免在上电极组间沟道内的载流子流至下电极；上电极组控制有机光致变色材料‑聚合物复合膜层和有机半导体层的电场；有机光致变色材料‑聚合物复合膜层作为介电层，器件工作时，遇紫外光照射，有机光致变色材料结构等性质改变，存储电荷，使上电极组间的传输电流发生改变，而在波长大于紫外线的光照下，或在黑暗条件下，电流不发生改变，上电极之间沟道电流的变化与紫外辐射剂量一一对应，可直接反映紫外辐射的累积量。
一种紫外辐射剂量监测器及其制备方法

[发明专利]一种倒置底发射式OLED的ITO电极修饰方法-CN202110393401.8在审
发明人：肖静;姜慧慧;王穗东;高旭 -专利权人：泰山学院
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置底发射式OLED的ITO电极修饰方法，首先对各功能层的厚度和发光掺杂比例进行优化，Al作为阳极，ITO即铟锡氧化物作器件作为阴极，在阳极和阴极之间依次设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层，各个功能层均设置在石英玻璃上，使用常规清洁程序对ITO玻璃基板进行清洁，在去离子水中，用乙醇和丙酮分别对ITO玻璃基板进行15分钟的超声波处理。本设计方法可以大批量对ITO基片进行等离子体处理，且本工作优化处理时间约在7min左右，节约生产成本和时间成本，相比于溶液法和蒸镀法制备的电子注入层，等离子体处理无毒无害、节约能源且对环境友好。
一种倒置发射 oled ito 电极修饰方法

[发明专利]一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器-CN201911089437.6在审
发明人：徐建龙;张景越;陈彤;王穗东;高旭 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层；其中，所述钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性，将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围，同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率，克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈。本发明所述的钙钛矿‑碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积，使得光响应度得到了大幅度提升。
碳纳米管钙钛矿体异质结载流子迁移率宽谱钙钛矿薄膜光电探测器薄膜半导体性碳纳米管溶液法制备电荷分离关键应用光响应度界面修饰吸收光谱吸收特性依次层叠栅介质层电极层封装层衬底多晶瓶颈吸收

[发明专利]一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法-CN201610914897.8在审
发明人：高旭;王穗东;刘艳花;徐建龙;仲亚楠;张中达 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法，所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构，在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层，并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压，使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层，在单个薄膜晶体管存储器中存储2位4值信息。采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同，并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价，适用于当前的薄膜晶体管存储器，具有较强的可行性。
一种薄膜晶体管存储器及其存储方法

[发明专利]一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法-CN201610915278.0在审
发明人： 王穗东;高旭;徐建龙;董彬;刘杰;张精宇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成，可以有效增加电荷存储密度，性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单，生产成本较低。
一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法-CN201210062310.7有效
发明人： 王穗东;刘长海;高旭;孙旭辉;李述汤 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明公开了金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法，步骤为先将碳材料纳米载体通过超声充分分散到离子液体溶液中，得到碳材料载体-离子液体的悬浊液；再将该悬浊液转移到容器中，通过磁控溅射的方法向悬浊液中溅射各种不同的金属靶材，此时得到离子液体-碳材料-金属纳米颗粒的混合溶液；最后通过高速离心和利用丙酮或无水乙醇等有机溶剂将离子液体洗净，即可得到通过自组装形成的金属纳米颗粒-碳材料载体的纳米复合物。本发明通过自组装过程能够制备出高质量的各种金属纳米颗粒与碳材料形成的复合物，金属纳米颗粒的大小可以通过选择不同的离子液体来进行控制，金属纳米颗粒的密度可以通过改变溅射条件来进行控制。（见最后一段文字和图片）本发明可控性好，不需要添加额外的还原剂，且无副产品产生。
金属纳米颗粒材料复合物组装可控制备方法