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[发明专利]改善键合面重合度残值的方法-CN202310189838.9在审
发明人：余兴;王清蕴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种改善键合面重合度残值的方法。所述改善键合面重合度残值的方法包括如下步骤：提供第一晶圆以及第二晶圆；对第一晶圆以及第二晶圆进行第一次光刻，使第一晶圆以及第二晶圆均形成标准对准标记；对第二晶圆进行第二次光刻，根据预获取的对准标记补偿值对第二晶圆的标准对准标记进行补偿，使第二晶圆形成补偿对准标记；以第一晶圆的标准对准标记以及第二晶圆的补偿对准标记为参考，键合第一晶圆以及第二晶圆，形成晶圆键合结构。上述技术方案，通过第一次光刻在两晶圆上产生相同的标准对准标记，减小两片晶圆对准标记的差异；引入第二次光刻在第二晶圆上进行标记补偿，以补偿键合时上下卡盘带来的重合度残值。
改善键合面重合度方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202110587086.2有效
发明人：邢程;王清蕴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：第一衬底，第一衬底具有第一面和第二面，第一衬底内具有若干第一连接层且第一面暴露出第一连接层，第一连接层在第一衬底表面的投影图形包括相互垂直且相互连接的第一长方形和第二长方形；与第一衬底键合的第二衬底，第二衬底具有第三面和第四面，第二衬底第三面和第一衬底第一面键合，第二衬底内具有若干第二连接层且第三面暴露出第二连接层，第二连接层在第二衬底表面的投影图形包括相互垂直且相互连接的第三长方形和第四长方形；若干第一连接层和若干第二连接层一一对应且部分重叠，对应的第一长方形与第三长方形垂直相交，且对应的第二长方形与第四长方形垂直相交。半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202110584317.4有效
发明人：邢程;王清蕴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一衬底，第一衬底具有第一面和第二面，第一衬底内具有若干第一连接层且第一面暴露出第一连接层表面，第一连接层在第一衬底第一面的投影为长方形，长方形具有第一边和第二边，且第一边大于第二边；与第一衬底键合的第二衬底，第二衬底具有第三面和第四面，第二衬底第三面和第一衬底第一面键合，第二衬底内具有若干第二连接层且第三面暴露出第二连接层表面，第二连接层在第二衬底表面的投影为长方形，长方形具有第三边和第四边，且第三边大于第四边，若干第一连接层和若干第二连接层一一对应，对应的第一连接层表面和第二连接层表面重合，且第一边与第三边垂直。所述半导体结构的性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]晶圆键合强度的测量方法及设备-CN202110970420.2在审
发明人：邢程;王清蕴;章亚荣 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆键合强度的测试方法和设备，所述方法包括：在第一晶圆上的待测区域内形成凸起结构；所述凸起结构具有第一高度；将第二晶圆与所述第一晶圆键合，在所述待测区域内形成气泡；在晶圆键合后，所述凸起结构在所述待测区域内具有第二高度；所述第二高度小于所述第一高度；测量所述气泡的直径；根据所述气泡的直径，确定所述第一高度与所述第二高度的高度差；根据所述高度差，确定晶圆键合强度。
晶圆键合强度测量方法设备

[发明专利]曝光方法、光刻方法及半导体制造方法-CN201610755125.4有效
发明人： 王清蕴;张海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种曝光方法、光刻方法及半导体制造方法。所述曝光方法包括获得待曝光的膜层的厚度；判断所述膜层的厚度是否达到第一厚度，若达到，则依据所述膜层的厚度设定曝光能量；若未达到第一厚度，则获得所述膜层的平面差异；依据所述膜层的厚度及平面差异设定曝光能量。由此，在遇到高低差时避免了曝光能量不可控的情况，从而确保了CD的正确度和均匀性，有利于提高生产质量，提高良率。
曝光方法光刻半导体制造

[发明专利]光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法-CN201410784924.5有效
发明人：邹永祥;杨晓松;王清蕴;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本申请提供了一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。该光罩包括版图，版图包括对准标记，对准标记的个数不少于三个。在进行晶圆的光刻时，光刻机根据不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确，能够及时、灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。
以及沾污检测方法

[发明专利]曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板-CN201510703676.1有效
发明人： 王清蕴;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：一种曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板，用于检验曝光机挡光片的开口大小，所述检验方法包括：提供晶圆；提供测试掩膜板，所述测试掩膜板上形成有第一测试图形和第二测试图形；先对第一测试图形进行曝光，再对第二测试图形进行曝光，先后在晶圆上形成第一对准图形和第二对准图形，第一对准图形和第二对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定；采用曝光机对所述第一对准图形和第二对准图形进行对准测试。本发明先形成第一对准图形和第二对准图形再采用曝光机进行对准测试，如果检测不到第一对准图形，则判断挡光片的开口过大；如果检测不到第二对准图形，则判断挡光片的开口过小，从而提高了检验挡光片开口大小的可靠性和精度。
曝光工艺检验方法系统测试掩膜板

[发明专利]掩膜结构的制造方法-CN201510532180.2有效
发明人：卢子轩;王跃刚;王清蕴 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种掩膜结构的制造方法，包括：提供掩膜版，包括基板以及位于所述基板上的图形金属层；提供保护膜装置，包括支架和黏附于支架顶部的保护膜；所述支架包括多个支撑侧壁，所述多个支撑侧壁相互连接构成一闭合结构，在一支撑侧壁上形成有开口；将所述保护膜装置置于静电场中，向所述开口吹入带电气体；使所述保护膜装置离开静电场，将所述图形金属层黏附在所述支架底部。将所述支架黏附在所述图形金属层上之前，本发明通过向开口吹入气体，使开口处的杂质被吹落；同时，将保护膜装置置于由静电发生装置提供的静电场中，被吹落且带电的杂质，在静电场作用下被吸附并远离保护膜装置，从而去除开口处的杂质，进而提高掩膜版的质量。
膜结构制造方法

[发明专利]光刻失焦的检测方法-CN201510561068.1有效
发明人：袁立春;王清蕴;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种光刻失焦的检测方法。所述光刻失焦的检测方法包括：提供测量晶圆，所述测量晶圆包括一有效区以及围绕在所述有效区外侧的无效区；调整光刻机台的曝光数值孔径，使得曝光数值孔径大于基准值；在所述有效区的外边缘处形成多个关键尺寸对比条；测量所述多个关键尺寸对比条的关键尺寸并进行分析，以判断是否失焦。与现有技术相比，通过调整曝光数值孔径提高了对焦的敏感度，然后通过测量关键尺寸对比条的关键尺寸，就能够有效的判断出是否失焦。这填补了晶圆边缘失焦检测方面的空白，并且整个方法过程简单，成本低廉，又能够有效的完成预警。
光刻检测方法

[发明专利]光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具-CN201410528445.7有效
发明人： 王清蕴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具，该辅助工具为一校正光罩，其上设置有一对标记，该一对标记的中心坐标分别为（‑M，0）与（M，0），所述标记为中心对称图形。本发明利用校正光罩作为辅助工具进行侦测，通过旋转前与旋转后两次侦测可获得曝光机台本身的绕Y轴的倾斜角度；从而对于待测光罩绕Y轴的倾斜角度，只需要将测得的待测光罩绕Y轴的等效倾斜角度值减去曝光机台本身绕Y轴的倾斜角度即可得到；从而根据所述待测光罩绕Y轴的倾斜角度F的大小，判断所述待测光罩底部接触面的污染程度以采取相应措施。本发明可以有效侦测光罩底部接触面的污染状况，效率高，有利于及时判断是否需要清理光罩，提高曝光质量。
光罩辅助工具测光侦测曝光机台校正中心对称图形污染状况中心坐标侦测光减去曝光污染

[发明专利]氨气浓度侦测方法和控制光刻工艺中图形CD的方法-CN201410239134.9有效
发明人： 王清蕴;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氨气浓度侦测方法，用于侦测光刻机机台内部的氨气浓度，至少包括步骤S1，提供一晶圆，在晶圆上形成光阻；步骤S2，图形化光阻，形成光阻图形；其中，光阻图形具有至少一个受到光刻机机台内部的氨气影响的第一区域和至少一个未受到光刻机机台内部的氨气影响的第二区域，第一区域和第二区域均匀分布在晶圆上；步骤S3，选取至少一个第一区域和至少一个第二区域进行CD量测，得到至少一个第一CD和至少一个第二CD；步骤S4，根据第一CD和第二CD的尺寸差异，计算光刻机机台内部的氨气浓度。本发明采用量测CD的方法侦测光刻机机台内部的氨气浓度，对光刻机机台生产作业的影响降到了最低，可以经常进行侦测。
氨气浓度侦测方法控制光刻工艺图形 cd

[发明专利]铝残留的去除方法-CN201410015037.1在审
发明人：杨晓松;王清蕴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铝残留的去除方法，包括提供前端结构，所述前端结构至少包括金属铝层；在所述金属铝层中形成多个沟槽，所述沟槽中具有铝残留；涂敷光阻，所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中；在对应所述沟槽的光阻处进行曝光，并进行显影，所述显影时间长于设定的标准显影时间。从而将沟槽中的铝残余去除掉，提高了产品质量。
残留去除方法

[实用新型]套刻结构-CN201420330019.8有效
发明人： 王清蕴;王跃刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种套刻结构。包括：套刻对准标记及表征套刻对准标记归属于设定的芯片单元的归属标记；所述套刻对准标记及归属标记设置于切割道上。本实用新型的套刻结构，便捷高效，能够直接指示出套刻对准标记归属于哪个芯片单元，提高了工作效率。
结构

[实用新型]一种光掩膜版-CN201420224691.9有效
发明人： 王清蕴;卢子轩;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光掩膜版，包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区，所述切割道区形成有套刻标记图形区，所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形，所述密集线条图形整体为一方形，该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域，所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。使用本实用新型的光掩膜版制作前层器件结构，会在前层的套刻标记区形成密集线条图形，若在该前层器件结构上制作当层时曝光能量发生异常，则会在前层线条密集区域及套刻区域产生光阻残留，导致套刻精度量测失败，从而实现在套刻精度量测的同时侦测后道铝焊盘是否有因能量的异常而造成的光阻残留。
一种光掩膜版

[发明专利]半导体器件的形成方法及检测方法-CN201210485213.9有效
发明人： 王清蕴;袁立春;严轶博;杨晓松;郭亮良 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法及检测方法中，在形成背面标记后，在晶圆的正面进行两次曝光，获得第一标记和第二标记，则可以通过现有的设备对所述第一标记和第二标记进行检测，从而由第一标记和第二标记的相互关系得知器件的结构情况，避免了手动操作带来的风险，同时由于所述第一标记和第二标记位于同一层面内，读数不精确的问题也得到解决，还能够很大程度上节省人力物力，有利于高效生产。
半导体器件形成方法检测

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