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[发明专利]一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置-CN202310556141.0在审
发明人：谭爽;周嵘;张亮;赵冲冲;江加丽;冉龙玄;吴俊德;王海锐;莫宏康;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
一种尺寸芯片烧焊质量检验装置

[发明专利]一种基于采煤机割煤轨迹的回采产量计算方法及系统-CN202310727487.2在审
发明人：杜俊豪;龚大立;朱晓宁;吴喆峰;王海锐;康乐;赵爽;胡雪庆 -专利权人：精英数智科技股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明是关于一种基于采煤机割煤轨迹的回采产量计算方法及系统。该方法包括：获取采煤机割煤轨迹数据；根据所述割煤轨迹数据计算采煤机在预设时间段内经过的液压支架数量；根据所述液压支架数量计算采煤机在所述预设时间段内割煤的刀数；根据所述刀数和每刀估算产量计算所述预设时间段内的回采产量。本发明提供的技术方案，通过采煤机割煤轨迹精确的计算出采煤机回采过程中的割煤刀数，结合产量公式计算出实际产量和推进度，提升了实际产量数据的准确性，为产量统计提供了可靠客观依据，减少了人为因素的干扰，为上层辅助决策赋能。
一种基于采煤机割煤轨迹回采产量计算方法系统

[发明专利]一种可变分段LFM波形生成及优化方法-CN202010351772.5有效
发明人：陶海红;瞿建;时亮;王海锐;廖桂生;曾操 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01S7/282 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变分段LFM波形生成及优化方法，其中，生成方法包括：获取M个发射波形；其中，每个所述发射波形包括N个波形子脉冲；对每个所述波形子脉冲进行分段，得到每个所述波形子脉冲分段的子时宽；根据每个所述波形子脉冲分段的子时宽得到矩形窗函数和每个所述波形子脉冲分段的调频斜率；根据所述矩形窗函数和所述波形子脉冲分段的调频斜率建立可变分段LFM波形的信号模型，以得到M组不同子时宽向量组成的正交波形。本发明提供的可变分段LFM波形同时采用调频时宽分集和分段数分集，且子时宽长度和分段数都可变，具更大的设计自由度和灵活性，且调制简单，易于生成，更加适用于MIMO雷达系统的多发射体制。
一种可变分段 lfm 波形生成优化方法

[发明专利]一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法-CN202211326589.5在审
发明人：陆超;王海锐;贺晓金;孟繁新;袁强;姚秋原;余文兴;张浩宇;程爽;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法，包括依次叠层设置的金属化阴极、N+衬底、外延区；多个P+ring区和多个P+区设置在外延区的上层，多个P+区的上端通过金属化阳极覆盖，多个P+ring区的顶部及P+区相邻于P+ring区的部分顶部被氧化硅层覆盖，氧化硅层的上端面覆盖有聚酰亚胺层。本发明通过在器件的P+区采用非均匀混合P+离子注入区结构改善了电流量在器件内的分布，提高器件的抗浪涌能力，在不减小正向导通电阻的前提，减小反向漏电流；在器件正向导通时，使更多的电流通过散热能力较强的器件四周区域，更少的电流通过散热能力较差的中间区域，从而避免热量在散热能力较差的的区域集中而损伤器件。
一种碳化硅均匀混合结构肖特基结势垒二极管及其制作方法

[实用新型]一种挤压注浆锚索材料排气上料装置-CN202320296886.3有效
发明人： 王海锐;张龙辉;皇甫理;范志飞;康凯鹏;付汾飞 -专利权人：霍州煤电集团吕梁山煤电有限公司方山店坪煤矿
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E02D15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种挤压注浆锚索材料排气上料装置，属于注浆材料排气技术领域，包括灌浆筒，所述灌浆筒的顶部固定连接有排气通道，所述灌浆筒的左侧底部固定连接有管路连接口，所述管路连接口椎中螺纹连接有接头的一端，所述接头中安装有阀门，所述灌浆筒的右侧开设有灌浆口，所述灌浆口中螺纹连接有堵头。本实用新型解决了利用注浆材料埋设锚索时，注浆材料中存在气泡影响埋设锚索之后的支护强度的问题。
一种挤压注浆锚索材料排气装置

[实用新型]一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管-CN202222843122.X有效
发明人：陆超;王海锐;贺晓金;孟繁新;袁强;姚秋原;余文兴;张浩宇;程爽;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管，包括依次叠层设置的金属化阴极、N+衬底、外延区；多个P+ring区和多个P+区设置在外延区的上层，多个P+区的上端通过金属化阳极覆盖，多个P+ring区的顶部及P+区相邻于P+ring区的部分顶部被氧化硅层覆盖，氧化硅层的上端面覆盖有聚酰亚胺层。本实用新型通过在器件的P+区采用非均匀混合P+离子注入区结构改善了电流量在器件内的分布，提高器件的抗浪涌能力，在不减小正向导通电阻的前提，减小反向漏电流；在器件正向导通时，使更多的电流通过散热能力较强的器件四周区域，更少的电流通过散热能力较差的中间区域，从而避免热量在散热能力较差的的区域集中而损伤器件。
一种碳化硅均匀混合结构肖特基结势垒二极管

[发明专利]一种亚谐波注入型振荡器网络-CN201811251668.8有效
发明人：许郁冰;汪波;王新安;王海锐;陈红英;何春舅 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06T5/20 文献下载
摘要：一种亚谐波注入型振荡器网络，包括至少两个振荡器、至少一个耦合单元和亚谐波产生模块，振荡器通过耦合单元两两耦合。亚谐波产生模块用于产生亚谐波信号并将该亚谐波信号注入给每个振荡器，得到每个振荡器的两个相位相差180度的稳定点，该亚谐波信号的频率为振荡器固有振荡信号的二次谐波的频率；耦合单元用于根据待识别图像和存储图像分别对应的耦合系数矩阵对振荡器进行耦合并控制振荡器的相位，以使其耦合的两个振荡器的相位分别从初始值稳定至各自的两个稳定点中的一个。由于对每个振荡器注入了二次谐波，使得每个振荡器的频率跟随该二次谐波的频率的一半，从而使振荡器的频率得到统一，进而得到稳定的相位输出，获得较好的图像识别效果。
一种谐波注入振荡器网络

[发明专利]掘进工作面砂(石子)风动自动装卸装置-CN202210743891.4在审
发明人：贾瑞荣;王海锐;马骉;王刚;张晓飞;康凯鹏;张龙辉;高云鹏 -专利权人：山西恒允科讯技术服务有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： E21C35/20 文献下载
摘要：本发明涉及井下建工材料装卸技术领域，且公开了一种掘进工作面砂(石子)风动自动装卸装置，包括连接护罩，连接护罩的一端开设有出料口，连接护罩的一侧通过螺栓、螺帽安装有气动马达，气动马达的输出端位于连接护罩内，并固定连接有第一连接轴，连接护罩的一端通过螺栓、螺帽连接有连通的套筒，该种新型掘进工作面砂(石子)风动自动装卸装置，通过设置气动马达带动第一连接轴转动，第一连接轴带动螺旋扭转弹簧转动，将套筒尾端的进料口插进建工材料后，以反旋转的方式进行材料螺旋上升，材料再从出料口排出，减少了职工工作量、缩减工作人员、加快工作效率、方便放置，同时避免了职工在攀登或者下矿车时出现意外的情况。
掘进工作面石子风动自动装卸装置

[实用新型]一种硅平面温度补偿二极管的结构-CN202221208525.0有效
发明人：贺晓金;袁强;陆超;姚秋原;张浩宇;王海锐;余文兴;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅平面温度补偿二极管的结构，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。
一种平面温度补偿二极管结构

[发明专利]锚护作业监控方法、装置、服务器及系统、可读存储介质-CN202210713162.4在审
发明人：周佳宇;龚大立;朱晓宁;吴喆峰;任兴刚;白慧杰;王海锐;董俊枝;王永超 -专利权人：精英数智科技股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： E21D20/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种锚护作业监控方法、装置、服务器及系统、可读存储介质，涉及煤矿开采技术领域，该锚护作业监控方法包括：获取锚护作业过程中迎头作业空间的图像数据，该图像数据包括多张间隔第一预设时长拍摄的钻头图像；根据该图像数据，确定迎头作业空间内钻头的移动轨迹；根据该移动轨迹，确定锚护作业的作业数据，该锚护作业的作业数据包括钻孔的深度和锚固过程的作业时长。如此实现了钻孔的深度和锚固过程的作业时长的自动获取，与人工检查监督方式相比，杜绝了人为主观影响，减少了人力成本投入，提升了生产效率。
作业监控方法装置服务器系统可读存储介质

[实用新型]一种用于磷酸过滤机冲布水的管路结构-CN202221325790.7有效
发明人：王大和;刘鹏;占振坤;代锋;陈学亮;王海锐;魏全成;余丽英 -专利权人：襄阳泽东化工集团股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B01D41/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于磷酸过滤机冲布水的管路结构，其包括总管、冲布水管道、过滤组件、连通管、开关件及若干个喷嘴，所述过滤组件的进口端与所述总管连通，所述过滤组件的出口端与所述冲布水管道的一端连通；所述连通管的一端与所述总管连通，所述连通管的另一端与所述冲布水管道连通；所述开关件包括挡块、浮球及弹性件，所述挡块固定于所述连通管内、并将所述连通管分隔成互不连通的两部分，所述弹性件的一端与所述连通管的内壁固定连接。本实用新型的有益效果是：可以实现对冲布水中的含磷石膏进行过滤，避免喷嘴中出现明显堵塞的情况，保证了系统不会因为管路以及喷嘴堵塞而造成停车的情况。
一种用于磷酸过滤机冲布水管路结构

[实用新型]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构-CN202221108279.1有效
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积，能够使器件在浪涌模式时可以通过更大的电流，从而使器件的抗浪涌性能得到进一步提高。
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[发明专利]一种硅平面温度补偿二极管的结构及制备方法-CN202210545906.6在审
发明人：贺晓金;袁强;陆超;姚秋原;张浩宇;王海锐;余文兴;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供的一种硅平面温度补偿二极管的结构及制备方法，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。
一种平面温度补偿二极管结构制备方法

[发明专利]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法-CN202210504538.0在审
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积，能够使器件在浪涌模式时可以通过更大的电流，从而使器件的抗浪涌性能得到进一步提高。
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构制备方法

[实用新型]一种全自动锚固剂储物箱-CN202123093619.6有效
发明人： 王海锐;宋东明;薛辉;薛军;王海江;张龙辉;刘建红;范志飞;皇甫理;王义平;薛鹏;刘向阳 -专利权人：霍州煤电集团吕梁山煤电有限公司方山店坪煤矿
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全自动锚固剂储物箱，包括上盖，所述上盖的底端铰链连接有箱体，所述箱体的内部固定设置有控制机构，所述控制机构包括有底板，所述底板的两侧内部皆转动连接有转动板，两个所述转动板远离底板的一端皆固定设置有挡板，两个所述转动板的底端皆设置有第一弹簧；通过弹簧及滑道配合，职工在外侧下压滑道时锚固剂自动从箱内滑出，能够使现场锚固剂保证整洁，也可以方便职工使用；通过设置固定机构，可以便于锚杆的直接插入固定，从而可以更加快速便捷的保证锚固剂储物箱和锚杆之间的连接，从而便于带动锚固剂储物箱进行位置的变化，且全程自动化控制，不需要人为进行控制。
一种全自动锚固剂储物箱

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