专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种农业技术推广用播种用耕地装置-CN202220089512.X有效
  • 王洪占 - 王洪占
  • 2022-01-13 - 2022-05-13 - A01B49/06
  • 本实用新型涉及播种技术领域,涉及一种农业技术推广用播种用耕地装置,其通过装置的移动速度种子流量,以便于均匀播种,提高适应性和实用性,包括底板,底板的顶端固定连接有两个支撑板,两支撑板之间固定连接有箱体,箱体的底端连接有传输管,传输管的底端连接有电磁阀,电磁阀的底端连接有限料筒,限料筒的前端开设有转孔,转孔内转动连接有转杆,转杆的前端固定连接有第一链轮,转杆的后端与限料筒的内壁转动连接,转杆上固定连接有多个限料板,限料筒的底端连通有第一输料管,第一输料管的底端贯穿底板连接有伸缩管,伸缩管的底端连接有第二输料管,第二输料管上固定套设有第一连接块,第一连接块的左端固定连接有连接柱。
  • 一种农业技术推广播种耕地装置
  • [发明专利]一种LED芯片及其制作方法、一种显示面板-CN202010166426.X有效
  • 杭伟;王洪占;徐洲;郑玄之;曲晓静 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-03-11 - 2021-12-24 - H01L33/36
  • 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板,该LED芯片包括第一衬底、第一电极、外延结构、第二电极、第一连接电极,其中,外延结构包括多个呈阵列排布的外延单元,第二电极与外延单元一一对应,且第二电极与外延单元电连接,第一连接电极沿第二方向延伸,电连接沿第二方向排布的多个第二电极,所述第一电极沿第一方向延伸,所述第一方向和第二方向不同,即由第一连接电极和第一电极共同控制位于第一连接电极和第一电极相交位置的外延单元发光。该LED芯片在应用于显示面板时,可以在显示面板面积不增加的前提下,可以放置更多的LED芯粒,提高显示面板包括的显示像素数量,进而提高显示面板的分辨率。
  • 一种led芯片及其制作方法显示面板
  • [发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN201911086852.6有效
  • 王洪占;张美;徐洲;王磊 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2019-11-08 - 2021-02-02 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法,首先在外延片上刻蚀第一线宽的第一切割道,而后在第一切割道处刻蚀第二线宽的第二切割道,由于第二线宽小于第一线宽,因而减少了对P型GaP电流扩展层刻蚀去除的面积,提高了电流扩展能力;并且,由于第二切割道P型GaP电流扩展层贯穿,故而,在第二切割道处采用激光烧蚀第三线宽的烧蚀凹槽时,减少激光对P型GaP电流扩展层的烧蚀产生的熔融物,进而减少了熔融物对发光二极管出光的吸收损失,提高了发光二极管的发光效率。以及,将P型GaP电流扩展层背离衬底一侧裸露表面及其侧壁进行粗化处理,进而减少该区域的全反射现象,增加边缘发光效率。
  • 一种发光二极管及其制作方法
  • [发明专利]一种光子晶体LED结构及制作方法-CN202010961930.9在审
  • 杭伟;蔡和勋;吴奇隆;王洪占;徐洲 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-09-14 - 2020-12-04 - H01L33/14
  • 本发明提供了一种光子晶体LED结构及制作方法,包括:衬底;设置在所述衬底一侧的外延层结构,所述外延层结构具有GaP窗口层;所述GaP窗口层上具有第一中间区域和包围所述第一中间区域的第一周边区域;位于所述第一中间区域的第一凹槽,以及位于所述第一周边区域的多个第一孔槽;设置在所述GaP窗口层背离所述衬底一侧的ITO层,所述ITO层填充所述第一凹槽和所述第一孔槽;所述GaP窗口层和所述ITO层通过所述第一凹槽的接触界面为电流阻挡界面。该光子晶体LED结构通过多个第一孔槽形成光子晶体结构,结合电流阻挡界面,在提高了LED结构外量子效率的情况下,还同时实现了电流阻挡功能,提高了LED结构的光电性能。
  • 一种光子晶体led结构制作方法
  • [发明专利]LED芯片结构及其制备方法-CN202010651688.5在审
  • 徐洲;王洪占;郭凤丽;吴奇隆;蔡和勋;蔡端俊 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-07-08 - 2020-11-03 - H01L33/22
  • 本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法。所述的LED芯片结构包括:欧姆接触点金属结构;外延结构,包括第一导电类型窗口层,所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面,所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域为粗化界面;ODR介质膜层,形成于所述第一导电类型窗口层的表面,所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间具有纳米孔洞;ODR金属反射层,形成于所述ODR介质膜层远离所述第一导电类型窗口层的表面。其优点是:可以增强LED芯片的光取出率提高亮度,并且其外延层能够承受较大的外力。
  • led芯片结构及其制备方法
  • [发明专利]一种正极性LED芯片及其制作方法-CN202010759320.0在审
  • 徐洲;王洪占;杭伟;吴奇隆;蔡和勋;蔡端俊 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-07-31 - 2020-10-30 - H01L33/06
  • 本发明提供了一种正极性LED芯片及其制作方法,外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁,倾斜侧壁与外延结构层底面的夹角为锐角,且覆盖外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极具有第一镂空区域,第一镂空区域暴露出外延结构层顶面的部分区域,因此,发光结构层发出的光线可以从第一镂空区域出射,并且,由于第一电极与覆盖外延结构层四周侧壁的绝缘层构成ODR层,因此,会对发光结构层发射到四周侧壁的光线进行反射,此外,外延结构层中位于其底面的DBR反射层也会对发光结构层发出的光线进行反射,从而使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域出射,进而使得LED芯片的出光角度较小,能够满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。
  • 一种极性led芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种基于图形化反射镜的LED芯片及其制作方法-CN202010587944.9在审
  • 郭凤丽;徐洲;王洪占;吴奇隆;蔡和勋 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-06-24 - 2020-09-25 - H01L33/46
  • 本发明提供了一种基于图形化反射镜的LED芯片及其制作方法,通过在所述第二型窗口层的表面生长一介质膜层,所述介质膜层包括沿所述第一方向依次层叠的介质膜和粘附层,且所述介质膜层具有若干个用于形成欧姆接触的介质孔;所述金属反射镜通过所述介质孔内的欧姆接触材料与所述第二型窗口层形成欧姆接触,在确保所述金属反射镜与所述第二型窗口层形成良好的欧姆接触的同时,通过在介质膜和金属反射镜之间增加粘附层,藉以提高金属反射镜的金属材料与介质膜的粘附性,使金属反射镜靠近外延叠层的一侧表面更加平整,进而增强其反射效果以实现光的高出光率。同时,通可实现金属反射镜的图形化,藉以改变光的反射路径,提高LED芯片的出光效率。
  • 一种基于图形反射led芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种LED芯片的制作方法-CN202010628160.6在审
  • 吴奇隆;蔡和勋;王洪占;刘英策 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2020-07-01 - 2020-09-25 - H01L33/46
  • 本发明提供了一种LED芯片的制作方法,通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层,在后续的热处理过程中,使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层,其中,银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果,提高LED芯片的发光亮度,并且,形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性,进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且,由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好,通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。
  • 一种led芯片制作方法
  • [发明专利]一种二极管芯片及其制备方法-CN201910185893.4有效
  • 徐洲;邹微微;王洪占;彭钰仁;张国庆;蔡端俊 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2019-03-12 - 2020-07-24 - H01L33/46
  • 本申请实施例提供了一种二极管芯片及其制备方法,其中,该二极管芯片包括:基板,位于基板上的金属键合层、反射层、外延层、N型电极层以及位于基板背面的P型电极层;所述外延层包括依次位于所述反射层上的P型结构层、发光层、N型结构层和N型欧姆接触层;所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述基板成设定角度;所述N型结构层包括N型粗化层,所述N型粗化层暴露于所述N型电极层外的区域具有粗化状形貌。本申请实施例提高了二极管芯片的出光效率。
  • 一种二极管芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202010123779.1在审
  • 郭凤丽;王洪占;徐洲 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2020-02-27 - 2020-07-07 - H01L33/22
  • 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法,该LED芯片包括:第一衬底、外延结构、欧姆接触层、第一电极以及保护层,其中,所述第一电极包括第一焊盘电极和至少一个与所述第一焊盘电极电连接的第一扩展电极,所述保护层完全覆盖所述第一扩展电极,以避免所述第一扩展电极在后续工艺中被划伤,且所述保护层曝露所述外延结构的至少部分发光区域,以提高所述外延结构的光提取效率,从而提高所述LED芯片的亮度。
  • 一种led芯片及其制作方法

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