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[发明专利]一种二硫化钼红外探测器-CN202310661238.8在审
发明人： 王泽高;冯琳;谭超 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种室温红外光电探测器，特别是一种以二硫化钼为敏感层的室温红外光电探测以及利用量子上转化效应将红外光转化为可见光的光电探测新方法。该二硫化钼红外光电探测器包括基底、上转化材料、二硫化钼、源电极和漏电极，上转化材料位于二硫化钼和基底之间，源电极和漏电极位于二硫化钼两端。该二硫化钼红外探测器基底为三氧化二铝晶体基片，采用上转化材料耦合二硫化钼解决常见探测红外二维材料因窄带隙而产生的较大暗电流和较低稳定性的问题，有利于改善现有红外探测器的结构，提出新的想法。
一种二硫化钼红外探测器

[发明专利]一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法-CN202211690373.7在审
发明人：郝昕;王超;王泽高;罗国凌;姚梦麒;柯尊贵;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料光电探测器，其包括导电基片(1)、形成在导电基片(1)表面的电介质(2)、形成在电介质(2)表面两端的一对电极(3)；一对电极(3)之间及其表面上形成第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)，第一二维半导体材料分区(4)覆盖其中一个电极(3)和该其中一个电极(3)相邻区域，第二二维半导体材料分区(5)覆盖另一个电极(3)和该另一个电极(3)相邻区域；第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)中注入离子，形成载流子浓度不同的两个二维半导体材料分区。本发明适配现有硅COMS工艺，易于大规模生产，且易于调控探测器的载流子浓度，提升探测器的成品率及性能。
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种二硒化钨太阳能电池-CN202210411359.2有效
发明人： 王泽高;周湛人;吕俊玲 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于新能源光伏器件技术领域，涉及一种太阳能电池，特别是一种以二硒化钨为导电层的栅控太阳能电池。该二硒化钨太阳能电池包括基底、二硒化钨、顶栅介质层、顶栅电极、源电极和漏电极，二硒化钨位于顶栅介质层和基底之间，源电极和漏电极位于二硒化钨两端。该二硒化钨光伏电池基底由单晶硅层和二氧化硅层构成，采用有明显厚度差的六方氮化硼作为顶栅介质层，以透明石墨烯作为顶栅电极。本发明所采用的静电掺杂技术较现有静电掺杂技术更简单方便；采用静电掺杂所形成的同质结可以使结型光伏电池引入更少缺陷态，提高电池性能；利用二硒化钨作为导电层，其二维状态下的高柔性使得可穿戴柔性太阳能电池成为可能，有利于改善环境与能源问题。
一种二硒化钨太阳能电池

[发明专利]一种二硫化钼气敏探测器-CN202210560708.7在审
发明人： 王泽高;陶锐 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于痕量气体检测技术领域，涉及一种气敏探测器，特别是一种以二硫化钼为导电层的栅控气敏探测器。该二硫化钼气敏探测器包括基底、二硫化钼、底栅介质层、源电极和漏电极，二硫化钼位于基底和底栅上方，源电极和漏电极位于二硫化钼两端。本发明采用底栅电极，该二硫化钼气敏探测器基底由导电硅层和二氧化硅层构成，绝缘的二氧化硅层作为底栅介质层，导电硅层作为底栅电极。本发明所采用的二硫化钼作为导电层，其二维状态下的高比表面积使得探测器能够检测低浓度的NO2，底栅电极的加入降低了二硫化钼的背底电流，光照增强了二硫化钼与二氧化氮气体分子之间的吸附作用，有效提高了探测器的灵敏度，检测极限和信噪比，有利于改善环境问题。
一种二硫化钼探测器

[发明专利]一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法-CN202110287808.2有效
发明人： 王泽高;曹邦麟 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料领域。本发明将经过预处理的蓝宝石基片置于石英舟内，并倒扣于铂原料上方形成空间限域结构。采用硒粉作为原料，在高温处理下，硒粉与铂原料蒸发，在载气的作用下迁移到蓝宝石基底表面反应并生长，最终在蓝宝石基底表面获得单晶二硒化铂薄膜。本发明具有方法简单、成本低廉、无污染的特点，并且有效解决了近年来二硒化铂因为其金属前驱体蒸气压低、且不稳定的难题。本发明可应用于基于二硒化铂的电子器件、光电探测、催化、力学和磁学等领域。
一种单晶二硒化铂薄膜制备方法

[发明专利]一种二硫化钼平面同质结的制备方法-CN202110288027.5有效
发明人： 王泽高;罗夕艾;彭正瀚 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明提供一种二硫化钼平面同质结的制备方法，将预处理后的钠钙玻璃基片置于钼箔甲表面并在钠钙玻璃基片表面覆盖经过预氧化处理的钼箔乙，通入惰性气体并保持反应腔体为常压，加热钼箔甲/钠钙玻璃基片/钼箔乙至钠钙玻璃基片熔融温度；在惰性气体上游放置盛有硫粉的石英舟，加热石英舟使硫粉蒸发；生长时间结束后，在钠钙玻璃基片靠近钼箔乙的表面得到单晶结构的单层/双层相间的二硫化钼平面同质结薄膜。本发明方法简单、成本低廉、环境无污染，可制备大面积、高质量和高电子迁移率的二硫化钼平面同质结薄膜。本发明可应用于基于二硫化钼薄膜的电子、光电器件等领域，对二硫化钼薄膜本身以及基于过渡金属硫化物二维材料的研究具有积极作用。
一种二硫化钼平面同质制备方法

[发明专利]一种高质量二维原子层薄膜的制备方法-CN202010194032.5有效
发明人： 王泽高;任启源;叶子萌 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量二维原子层薄膜的制备方法，将经过预处理的蓝宝石基片置于反应器内，通入二维原子层薄膜生长所需对应的原料蒸汽，在蓝宝石基片表面得到二维原子层薄膜；在上述产物表面上附着有机胶体，以一定角度浸入如去离子水中，使二维原子层薄膜与蓝宝石基片分离得到有机胶体/二维原子层薄膜结合体；再用目标基片将上述步骤产物取出，烘干，得到有机胶体/二维原子层薄膜/目标基片结合体；最后，用有机溶剂除去有机胶体，取出，自然干燥，得到位于目标基片上的二维原子层薄膜。本方法操作步骤简单，所得产品面积大，晶体质量高，原料成本低，主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。
一种质量二维原子薄膜制备方法

[发明专利]一种单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法-CN202110287807.8在审
发明人： 王泽高;王一涵;肖闳畅 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，在生长基片表面悬涂种子材料置于石英舟内，然后再在具有种子材料的生长基片表面覆盖钨箔片；在生长基片附近放置氯化钠粉末；通入含有硒的气体，调整反应器内压强；高温反应后，在生长基片表面获得单晶二硒化钨单分子层薄膜。本方法操作步骤简单，原料易得，所得产品纯度高，质量好，主要用于半导体、光电器件、逻辑器件等领域。
一种单晶二硒化钨单分子层薄膜制备方法

[发明专利]一种催化剂用二硫化钼及其制备方法和应用-CN201810301761.9有效
发明人：董明东;李强;王泽高 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种催化剂用二硫化钼及其制备方法和应用。所述制备方法具体为采用将二硫化钼原料置于含水蒸气气氛下加热反应，得到具有高效催化活性的催化剂用二硫化钼。本发明通过水蒸气的刻蚀作用，在二硫化钼平面上产生硫缺陷，大幅度提高二硫化钼的催化活性。本发明方法制备的二硫化钼催化剂具有高的催化活性，操作简单，而且成低廉，效率高，能真正实现公斤级二硫化钼催化剂的制备。不采用对环境危害较大或者毒性较强的化学试剂，对环境无污染，使生产流程大大简化，适合进行工业化生产，在基于二硫化钼的领域具有潜在的实际应用价值。
二硫化钼催化活性制备催化剂二硫化钼催化剂制备方法和应用环境无污染水蒸气气氛水蒸气化学试剂环境危害加热反应刻蚀作用生产流程潜在的应用

[发明专利]一种双层石墨烯薄膜的制备方法-CN201310441680.6无效
发明人：陈远富;刘竞博;李萍剑;王泽高;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种双层石墨烯薄膜的制备方法，属于薄膜材料技术领域。在经清洗的金属箔片上旋涂助催化剂，然后采用化学气相沉积法，在金属箔片上得到双层石墨烯薄膜；本方法利用引入助催化剂在金属箔片上制备的石墨烯为双层结构，双层石墨烯覆盖率大于90%，具有工艺流程简单，石墨烯层数可控性高，双层石墨烯表面覆盖率高，缺陷少等优点。本方法适用于大面积批量化可控生产制备双层石墨烯薄膜，可广泛应用于微电子、光电子器件领域。
一种双层石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法-CN201310143450.1无效
发明人：陈远富;郝昕;王泽高;李萍剑;刘竞博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法，属于材料技术领域。本发明在氩气辅助热裂解碳化硅制备外延石墨烯方法的基础上进行改进，在氩气辅助下热裂解碳化硅制备外延石墨烯过程中，通过增加一个若干气孔（5）的石墨罩（4）罩将碳化硅衬底（1）罩在电感应加热石墨舟内，从而减小了气流和温度的扰动，从而能够获得更大晶畴面积的石墨烯；气孔（5）的存在，一方面不影响Si的升华，同时可适当控制Si的升华速率从而适当降低石墨烯的生长速率，从而更好地控制石墨烯的生长厚度。若气孔（5）孔径一致且分布均匀，所制备的石墨烯均一性和电子迁移率可大幅度提高。
一种裂解碳化硅制备外延石墨方法

[发明专利]一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法-CN201310068741.9无效
发明人：郝昕;陈远富;王泽高;李萍剑;刘竞博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，可实现去除衬底耦合效应的目的。包括：（1）对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理；（2）按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液，并将待插层样品浸泡于混合酸溶液中；（3）向混合酸溶液中加入金属钼块，使得所述混合酸溶液与金属钼发生剧烈反应；（4）待步骤3所述过程持续10～20小时后，将样品取出，清洁、烘干后得插层处理后的硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品。插层后氟将界面缓冲层之间的键打断并将悬挂件饱和，同时部分缓冲层被转化为石墨烯。本发明具有简单，对设备要求低等优点，在工业生产领域有着较大的应用潜力。
一种 sic 外延石墨烯液相氟插层方法

[发明专利]一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法-CN201310037225.X有效
发明人：陈远富;郝昕;王泽高;李萍剑;刘竞博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、R30°界面碳缓冲层（2）、石墨烯层（3）；其中R30°界面碳缓冲层（2）位于Si面碳化硅衬底（1）和石墨烯层（3）之间；所述石墨烯层（3）上表面具有金属叉指对电极（4）。制备工程包括硅面SiC衬底表面处理和SiC热裂解生长R30°界面碳缓冲层（2）和石墨烯层（3）主要步骤。本发明提供的硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件具有石墨烯/R30°界面碳缓冲层/Si面碳化硅衬底的结构，制备工艺简单、无需掺杂工艺，制备过程中能够避免光刻胶对石墨烯的污染，制备出的石墨烯光电器件光照下的电阻变化率比传统结构高2～3个数量级。
一种 sic 衬底石墨光电器件及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯的制备方法-CN201210347577.0无效
发明人： 王泽高;陈远富;李萍剑;贺加瑞;郑斌杰;刘竞博;郝昕;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯的制备方法，具体通过将现有技术手段制备的氧化石墨分散在绿色还原剂中，在水热环境中，通过不平衡反应，将氧化石墨上的氧去除，使得其被还原，从而得到石墨烯。本发明法方法制备的石墨烯含氧量低，电导高，操作简单，而且成本低廉，效率高，能真正在实现公斤级石墨烯的制备，不采用对环境危害较大或者毒性较强的还原剂，对环境无污染，使生长流程大大简化，适合进行工业化生产，在基于石墨烯的领域具有潜在的实际应用价值。
一种石墨制备方法

[发明专利]SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法-CN201210312411.5有效
发明人：陈远富;郝昕;李萍剑;王泽高;刘竞博;张万里;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡保温层紧贴真空腔体的管壁并形成中空结构；所述真空腔体的一端具有真空腔门用以开启和关闭真空腔体，在所述真空腔门的下方依次连接有挡板阀、分子泵和机械泵组成的抽真空气路用以按需对真空腔体进行抽真空操作；真空腔体的另一端具有透红线外玻璃材质的红外探测窗口。本发明的有益效果是：采用本发明的系统和方法，可以在较高气压状态下（0.1～1个大气压）制备出高质量的石墨烯。
sic 裂解法制石墨系统及其方法

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