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[发明专利]一种臭氧气体传感器及其制备方法和用途-CN202210140386.0有效
发明人：邓赞红;赵忠尧;孟钢;方晓东;王时茂;陶汝华 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种以尖晶石结构氧化物CuCo2O4为敏感材料的臭氧气体传感器及其制备方法。首次把尖晶石结构氧化物CuCo2O4作为臭氧气体传感器的敏感材料，构建了一种性能优良的电阻式臭氧气体传感器。该传感器充分利用了半导体电阻式传感材料灵敏度高、成本低、装置简单、易于集成化、易于实现现场连续检测的优点和CuCo2O4对臭氧响应选择性高的特点，构建出对臭氧响应灵敏(检测下限可达到10ppb)、选择性好、工作温度低且经济环保的电阻式传感器，同时也为臭氧气体传感器找到了一种很好的敏感材料，更为尖晶石结构氧化物CuCo2O4开辟了一种新的应用领域。
一种臭氧气体传感器及其制备方法用途

[发明专利]光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置-CN202211539695.1在审
发明人：孟钢;米龙庆;邓赞红;王时茂;周曙 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种在室温下提升半导体气体传感器灵敏度、降低其检测限的光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置。本发明通过将半导体气体传感器置于充满目标气体的腔室内，通过定时器周期性开启、关断激发光光源，采用脉冲光调制测试；利用脉冲光(周期性)清洗半导体敏感材料表面、产生表面活性氧，激活气敏响应；连接光脉冲关闭阶段末尾传感器在载气、及目标气体中的电阻(Ra_off、Rg_off)，获得光调制测试下的响应(n型半导体对氧化性气体：Rg_off/Ra_off)，在最优光开时间ton‑ov、光关时间toff‑ov、光功率密度Pov下，传感器可获得最高的气体响应。这种方法可克服现有持续光照带来的副作用，充分释放半导体敏感材料的气敏潜能。
激发半导体气体传感器测试方法装置

[发明专利]一种无机钙钛矿材料、光电探测器及其制备方法-CN202110133871.0有效
发明人： 王时茂;赵啸;孟钢;方晓东;陶汝华;邓赞红 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：发明涉及无机钙钛矿材料领域，具体涉及无机钙钛矿材料、光电探测器及其制备方法。本发明将无机钙钛矿粉料采用热等静压方法制备全无机钙钛矿多晶块体材料，使用准分子激光器对无机钙钛矿多晶块材进行表面改性。热等静压制备方法简单、材料利用率更高，方法更具普适性，且可以根据需求制备任意形状的器件，后期加工较便利；激光改性可以简单、快捷地降低无机钙钛矿多晶块体材料的表面缺陷耗时较短，且不需要引入新的化学试剂。然后在该无机钙钛矿材料表面蒸镀Au叉指电极获得光电探测器。该方法适用于基于无机钙钛矿材料的光电探测器件的研究和商业化生产，具有良好的应用前景。
一种无机钙钛矿材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种氧化铜微米球-纳米线微纳分级结构及其制备方法-CN202010989489.5有效
发明人：孟钢;代甜甜;方晓东;王时茂;陶汝华 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明属于光电与传感技术领域，具体涉及氧化铜微米球‑纳米线微纳分级结构及其制备方法。该制备方法包括利用有序微米孔阵列掩膜在衬底上依次叠加沉积有序银‑铜‑银薄膜阵列、高温退浸润得到银‑铜合金微米球阵列、高温真空挥发银得到铜微米球阵列、热氧化铜微米球制得氧化铜微米球‑纳米线微纳分级结构。该制备方法通过控制铜膜的厚度、微米孔的大小、制备工艺参数能实现直径、间距准连续可调的氧化铜微米球‑纳米线的可控制备，制备的氧化铜微米球‑纳米线微纳分级结构尺寸均一，在衬底上分布均匀，与衬底之间的粘附力强，解决传感、光电、能源存储与转化、结构疏水等应用场合纳米线易剥落的问题，便于推广使用。
一种氧化铜微米纳米线微纳分级结构及其制备方法

[发明专利]一种桥连氧化钨纳米线器件及其制备方法和用途-CN202210591397.0在审
发明人：孟钢;代甜甜;王时茂;方晓东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种桥连氧化钨(WO3)纳米线器件及其制备方法和用途。该桥连WO3纳米线器件包括绝缘衬底、叉指电极、及图形化生长的WO3纳米线，所述叉指电极设置在绝缘衬底的上表面，所述图形化生长的WO3纳米线生长在所述叉指电极和叉指电极所在绝缘衬底的上表面，部分所述图形化生长的WO3纳米线同所述叉指电极形成电学接触，相邻图形生长的WO3纳米线顶部随机桥连，形成稳定的导电通道。该器件通过气相输运沉积法在所述叉指电极基片原位生长制得，方法简单高效。无需外部加热器，该器件可利用高电压下产生的焦耳热实现高效自加热，在较低的功耗下，实现NO2的气敏响应及检测。
一种氧化钨纳米器件及其制备方法用途

[发明专利]一种硫化氢气体传感材料、传感器及制备方法与使用方法-CN201910884324.9有效
发明人：孟钢;童彬;邓赞红;方晓东;王时茂;陶汝华 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化氢气体传感材料、传感器以及制备方法与使用方法。该传感材料包括p型铜铁矿CuAlO2颗粒和/或CuCrO2颗粒，所述CuAlO2颗粒、CuCrO2颗粒的粒径为10nm～20μm。该传感器包括p型铜铁矿敏感层以及平面型陶瓷基板，平面型陶瓷基板表面沉积有叉指测试电极以及对p型铜铁矿敏感层进行加热的加热电极，所述p型铜铁矿敏感层涂覆在叉指测试电极上并与平面型陶瓷基板表面贴合，p型铜铁矿敏感层由CuAlO2颗粒和/或CuCrO2颗粒构成。本发明所述传感器，对H2S分子具有很高的灵敏度、选择性高、且响应快，p型铜铁矿敏感层不需复杂的形貌控制、缺陷调控或特殊的异质结构设计，制备方法简单。
一种硫化氢气体传感材料传感器制备方法使用方法

[发明专利]P型金属氧化物气体传感器及其制备和使用方法-CN201910043375.9有效
发明人：孟钢;刘弘禹;方晓东;邓赞红;王时茂 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型金属氧化物气体传感器及其制备和使用方法。传感器由附有测试和加热电极的陶瓷基片上覆有P型金属氧化物纳米颗粒组成；方法为先将细菌纤维素水凝胶浸入金属盐溶液中静置后冲洗，再对其冷冻干燥，之后，先将得到的吸附有金属离子的纤维素干凝胶煅烧，再对得到的絮状金属氧化物颗粒与挥发性试剂的混合体研磨，最后，将得到的金属氧化物纳米颗粒浆料涂敷于陶瓷基片上后老化，制得目的产物；它事先进行定标处理，再根据测得的信号属于定标结果中的何种挥发性有机物的包络，或离何种挥发性有机物包络的距离最近，得出该次测量的气体为何种挥发性有机物。它极易于广泛地商业化应用于对多种挥发性有机物进行精确的识别检测。
金属氧化物气体传感器及其制备使用方法

[发明专利]一种以p型铜铁矿结构氧化物为敏感材料的室温氨气传感器及其制备方法-CN201810212137.1有效
发明人：邓赞红;方晓东;孟钢;董伟伟;邵景珍;王时茂 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种以p型铜铁矿结构氧化物为敏感材料的室温氨气传感器及其制备方法。首次把p型铜铁矿结构AgAlO2作为氨气传感器的敏感材料，构建了一种性能优良的电阻式室温氨气传感器。该传感器充分利用了半导体电阻式传感材料灵敏度高、成本低、装置简单、易于集成化、易于实现现场连续检测的优点和AgAlO2在室温下对氨气选择性高的特点，构建出可以在室温工作且对氨气响应灵敏（检测下限可达到百万级别）、选择性好、稳定性好且经济环保的电阻式传感器，同时也为氨气传感器找到了一种很好的敏感材料，更为p型宽带隙铜铁矿结构氧化物开辟了一种新的应用领域。
一种铁矿结构氧化物敏感材料室温氨气传感器及其制备方法

[发明专利]一种准分子激光刻蚀氟化钙晶体形成周期性条纹的方法-CN201910634479.7在审
发明人：邵景珍;方晓东;梁勖;林颖;邓赞红;王时茂 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明涉及一种准分子激光刻蚀氟化钙晶体形成周期性条纹的方法。该方法使准分子激光器产生的纳秒紫外脉冲光束依次经衰减片、成像光阑和聚焦物镜整形后辐照在氟化钙晶体表面。本发明不仅在氟化钙晶体形成周期性条纹，而且制备方法耗时短、效率高，准分子激光与氟化钙晶体材料的作用时间仅为几十纳秒，整个激光作用过程也仅需数秒即可完成。本发明提供的方法简单易控，激光的能量密度和频率、辐照的时间和脉冲数等均可精确控制。本发明提供的方法中使用了纳秒准分子激光，相对飞秒激光成本更低。
氟化钙晶体准分子激光周期性条纹辐照刻蚀氟化钙晶体材料激光作用过程准分子激光器飞秒激光聚焦物镜紫外脉冲脉冲数衰减片整形光阑制备成像耗时激光

[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法-CN201711259283.1有效
发明人：孟钢;方晓东;陶汝华;董伟伟;王时茂 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电氧化物薄膜‑纳米线网络的制备方法。本发明包括步骤1，利用脉冲激光沉积方法在清洁的基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；步骤2，然后将表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的指定区域沉积金催化剂膜；步骤3，之后利用脉冲激光沉积方法在所述金催化剂膜表面生长出透明导电纳米线。通过重复步骤2，步骤3获得多级分叉纳米线网络。本发明提供了一种在微纳尺度下设计人工纳米线网络的方法。本发明能实现包括氧化铟锡，氟、锑掺杂氧化锡在内的多种透明导电氧化物纳米线在透明导电基底指定区域的生长，并且能精细地调节纳米线的自组装生长，包括每一步的分叉生长。
一种透明导电氧化物薄膜纳米网络制备方法

[发明专利]一种制备黄铁矿相二硫化铁薄膜的方法-CN201610077574.8有效
发明人：董伟伟;宋超;王时茂;方晓东;陶汝华;邓赞红;邵景珍 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备黄铁矿相二硫化铁薄膜的方法，包括利用水热法或热注入法获得黄铁矿相二硫化铁粉末；将二硫化铁粉末和乙基纤维素、松油醇调成浆料；通过丝网印刷法将二硫化铁浆料刷在玻璃或FTO导电玻璃衬底上；在硫和氮气/氩气气氛下热处理，获得黄铁矿相二硫化铁薄膜。本发明获得的黄铁矿相二硫化铁薄膜可有效克服硫缺位的问题，可作为太阳电池的光吸收层或对电极使用。
一种制备黄铁矿二硫化铁薄膜方法

[发明专利]一种表面改性有机无机杂化钙钛矿材料及改性方法与应用-CN201810376353.X在审
发明人： 王时茂;单雪燕;董伟伟;方晓东;孟钢;陶汝华;邓赞红;邵景珍 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面改性有机无机杂化钙钛矿材料及改性方法与应用。表面改性有机无机杂化钙钛矿材料是使用准分子激光器产生的紫外脉冲激光辐照有机无机杂化钙钛矿材料的表面而获得。本发明改性方法快捷高效，改性效果好，使无机杂化钙钛矿材料表面尚未充分转化为钙钛矿的前驱体材料在高能量光子作用下发生反应生成钙钛矿，从而减少材料表面缺陷，进而降低钙钛矿太阳电池和其它钙钛矿基器件中载流子的复合几率，提升器件的性能。本发明与现有先进电子器件制造工艺兼容，适用于有机无机杂化钙钛矿基太阳电池、发光二极管、激光器、光电探测器、高能射线探测器、气体传感器和信息存储器等的研究和商业化生产，具有良好的应用前景。
有机无机杂化钙钛矿材料改性表面改性钙钛矿钙钛矿基载流子应用电子器件制造准分子激光器紫外脉冲激光发光二极管高能量光子光电探测器气体传感器前驱体材料商业化生产信息存储器辐照表面缺陷复合几率高能射线工艺兼容减少材料提升器件无机杂化激光器探测器转化研究

[发明专利]钙钛矿太阳电池准一维TiO₂纳米结构阵列骨架层制备方法-CN201510100147.2有效
发明人： 王时茂;董伟伟;方晓东;陶汝华;邓赞红;邵景珍;张庆礼 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，首先采用磁控溅射、真空热蒸发、脉冲激光沉积等物理镀膜技术在导电玻璃基底上依次制备TiO2致密层和Ti金属薄膜，然后采用溶液氧化方法将Ti金属薄膜氧化为准一维TiO2纳米结构阵列作为钙钛矿太阳电池的骨架层。在骨架层上制备钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层、空穴传输层和对电极后可获得钙钛矿太阳电池。本方法制备的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层可提高载流子传输速度，减小载流子复合几率等，提高钙钛矿太阳电池的载流子收集效率和光电转换效率，具有良好的应用前景。
钙钛矿太阳电池准一维 tio2 纳米结构阵列骨架制备方法

[发明专利]一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法-CN201611094991.X在审
发明人：夏锐;董伟伟;王时茂;方晓东;邵景珍 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法，采用的衬底可选择硬性衬底如氧化铟锡(ITO)，掺氟氧化锡(FTO)，柔性衬底如聚酰亚胺(PI)及聚对萘二乙酸乙二醇酯(PEN)等。电子传输层可选择氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)、Al掺杂的ZnO(AZO)、Ga掺杂的ZnO(GZO)、氧化锡(SnO2)等薄膜，其制备方法可采用磁控溅射法，旋涂法。激光退火处理使用包括308纳米、248纳米、355纳米等紫外激光。处理后的薄膜光学和电学性能得到改善，将其作为电子传输层运用在钙钛矿太阳能电池中，可有效降低提高电子传输层的处理温度，提高电池的光电转换效率。
一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池电子传输方法

[发明专利]p型铋锶钴氧化物半导体沟道薄膜晶体管及其制备方法-CN201510160660.0在审
发明人：邓赞红;方晓东;邵景珍;陶汝华;董伟伟;王时茂 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型铋锶钴氧化物半导体沟道薄膜晶体管及其制备方法，在基底上形成栅电极；形成栅极绝缘体；形成沟道层；以及形成源电极和漏电极。基底上形成p型铋锶钴氧化物半导体沟道，在沟道上形成源电极和漏电极；形成栅极绝缘体；以及形成栅电极。其中，沟道层通过溅射来形成，p型铋锶钴氧化物半导体包括铋、锶、钴和氧四种元素，溅射包括脉冲激光溅射、射频磁控溅射、直流磁控溅射、离子束溅射中的至少一种。
型铋锶钴氧化物半导体沟道薄膜晶体管及其制备方法

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