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[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法-CN201811562125.8在审
发明人：刘维;孟鹤;王品东;时新越 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小，进而可以减少制造过程中的废片率。
第一导电类型肖特基二极管肖特基势垒层合金外延层衬底渗入电子元器件反向漏电流制造过程表面态导电层废片率金属镍金属钛金属钼覆盖制造金属

[实用新型]一种改进后的压缩机脱氧水视镜-CN201721568607.5有效
发明人： 王品东;刘洪斌;郭雨;王作龙 -专利权人：七台河宝泰隆圣迈煤化工有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进后的压缩机脱氧水视镜，包括视镜主体，所述视镜主体上设置有塑料挡板，所述塑料挡板上设置有第一圆孔和第二圆孔，所述第一圆孔位于第二圆孔的上方，所述第一圆孔和第二圆孔的中心线均位于同一条直线上，所述塑料挡板与视镜主体之间设置有塑料圈。本实用新型改进后的压缩机脱氧水视镜，在视镜主体中加个塑料挡板，塑料挡板上设有第一圆孔和第二圆孔，在塑料挡板与视镜主体之间加入比第一圆孔和第二圆孔均大的塑料圈，水由圆孔进出，造成塑料圈上下浮动，利于观察管道是否有水流动，利于员工正常巡检，减小了压缩机因脱氧水断而引起气缸以及填料温度升高造成生产事故的风险。
塑料挡板圆孔第二圆孔视镜主体脱氧水压缩机塑料圈视镜本实用新型同一条直线改进上下浮动生产事故水流动减小气缸巡检观察员工

[发明专利]肖特基二极管的两次退火制造方法-CN201710761830.X在审
发明人：刘彦涛;王品东 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：肖特基二极管的两次退火制造方法属于半导体器件制造技术领域。现有技术直接导致肖特基二极管的势垒高度低、最大反向漏电流大。本发明在N+衬底上层外延形成N‑外延层；在N‑外延层上层热氧化形成氧化层；采用光刻工艺先后开设P+离子注入窗口和金属淀积窗口，并完成P+扩散保护环的制作和金属淀积；退火形成势垒层；最后蒸发制作上电极和下电极；其特征在于，所述的金属淀积为NiPt膜淀积，膜厚50±5nm；所述退火的工艺条件包括退火温度480～530℃，退火时间0.8～1.3h，氮气保护，在NiPt膜与N‑外延层的接触层面生成Ni2Pt2Si/Si势垒层；腐蚀去除NiPt膜未与Si反应的部分；再在相同工艺条件下退火，所述Ni2Pt2Si/Si势垒层转变为NiPtSi/Si势垒层。本发明用于肖特基二极管的制造。
肖特基二极管两次退火制造方法

[实用新型]一种二极管测量仪及其系统-CN201621490163.3有效
发明人：马志勇;孔玲娜;田振兴;张树宝;王斌;孟鹤;王品东 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种二极管测量仪及其系统，其主要涉及二极管领域。其中，二极管测量仪包括恒温测量室、电桥电路、放大器以及显示装置，通过将二极管置于恒温测量室进行测量减小了温度变化对于二极管漏电流测试稳定性的影响；通过电桥电路对于测量微弱电流的优势，将输入的微弱反向漏电流转换成电压并输给放大器进行放大，提高了二极管测量仪的测量精度；通过设置数据采集装置以及利用显示装置的数据处理和显示功能，使得被测二极管能够及时准确的显示反向漏电流的参数，故具有上述二极管测量仪的测量系统，不但系统稳定性好，而且测量精度和准确度高，能够满足动态测试二极管电性参数的高可靠性要求。
一种二极管测量仪及其系统

[发明专利]二极管反向特性筛选测试方法及其应用-CN201710046039.0在审
发明人：马志勇;孔玲娜;田振兴;张树宝;王斌;孟鹤;王品东 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种二极管反向特性筛选测试方法及其应用，涉及半导体器件测试技术领域，该二极管反向特性筛选测试方法包括以下步骤1)测试击穿电压；2)选取95％－99.5％击穿电压范围内的两点电压值，测试该两点电压值下的漏电流，分别记作IR1和IR2；3)计算IR1和IR2的比值；根据比值确定二极管反向特性是否合格。该测试方法用于筛选在击穿点处存在小分段线问题的二极管，以解决现有测试方法对上述缺陷二极管不适用的问题，以提高出厂二极管的质量，提高二极管的可靠性。
二极管反向特性筛选测试方法及其应用

[发明专利]半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法-CN201710045216.3在审
发明人： 王品东;陈明钰;杨硕;王斌;田振兴 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，该半导体晶圆的加工方法，是在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。该方法解决了现有技术的晶圆在进行背面刻蚀时正面图形发生二次腐造成的成品率低的技术问题，从而避免了晶圆正面的二次腐蚀。
半导体加工方法应用肖特基二极管制备