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[发明专利]一种碳化硅基异质复合衬底材料-CN202311009640.4在审
发明人： 王含冠;梁庆瑞;王瑞;国洪晨;张超;徐汇祥;宋生;赵树春;杨晓俐;宁秀秀;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：一种碳化硅基异质复合衬底材料，包括基底层，中间层，表面层，所述基底层为碳化硅，所述中间层为多晶硅和二氧化硅，所述表面层为铌酸锂或钽酸锂；所述碳化硅基异质复合衬底材料的面型数据为：Warp＜50μm，BOW＜40μm；键合强度高达2J/m2以上。本申请选用碳化硅作为基底层制备复合衬底材料，能利用其杰出的机械性能、高化学稳定性、高载流子迁移速率、高热导率、高声速、耐高温、耐腐蚀等特性，从而使复合衬底在高声速、大带宽、高功率方面有质的提升；本申请制备得到的复合衬底具有低应力和高键合强度。
一种碳化硅基异质复合衬底材料

[发明专利]一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片-CN202211737883.5在审
发明人：梁庆瑞;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度。本发明提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。
一种激光剥离碳化硅片工艺以及碳化硅薄片

[发明专利]一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置-CN202211724331.0在审
发明人：梁庆瑞;宋建;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;宋生;杨晓俐;宁秀秀;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，属于激光加工技术领域。所述装置包括：包括：晶面检测单元、夹角判定单元、角度调节单元、激光扫描单元、外力施加单元、以及用于固定和支撑碳化硅晶锭的固定单元，其中，所述激光扫描单元包括能够产生所述第一激光束的第一激光头，并被设置为能够接收所述第一信号并启动所述第一激光头对碳化硅晶锭进行扫描，以形成含有多个裂纹且沿所述第一平面延展的待剥离面；所述外力施加单元被设置为能够对所述待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。本发明提供的激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，能够降低碳化硅晶片加工应力，减少外延后面型变化量，可实现自动化加工，提高加工效率。
一种激光制备碳化硅剥离装置

[发明专利]一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置-CN202211724329.3在审
发明人：梁庆瑞;宋建;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;王宗玉;宁秀秀;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片串联抛光装置，所述串联抛光装置包括：工作台以及通过所述工作台依次串联连接的第i抛光机构，所述第i抛光机构包括第i抛光组件、第i供液组件、第i导向组件，其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。本发明串联抛光装置采用全单片单面抛光，大幅度提升衬底的厚度均匀性，实现对单片晶片的精确控制。
一种激光剥离碳化硅薄片串联抛光装置

[发明专利]一种8英寸以上碳化硅衬底-CN202211724336.3在审
发明人：梁庆瑞;李霞;宋生;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;宋建;周敏;薛传艺;张长银;赵建国;滕永懂 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种8英寸以上碳化硅衬底，涉及晶体材料领域。所述碳化硅衬底具有不高于50的相对应力。本发明8英寸以上碳化硅衬底解决现有碳化硅衬底的加工应力大、翘曲度和弯曲度超标、表面金属离子浓度过高以及亲水效果差等问题。
一种英寸以上碳化硅衬底

[发明专利]一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法-CN202211724333.X在审
发明人：梁庆瑞;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;赵树春;李霞;周敏;宋建;高立志;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法，属于碳化硅切割技术领域。所述加工方法包括S01、检测碳化硅晶锭的(0001)晶面，得到晶面位置信息；S02、计算所述晶面位置信息与第一平面之间的夹角值，判断所述夹角值是否满足预设夹角值的要求；S03a、如满足，则启动第一激光束扫描碳化硅晶锭，以形成含有多个裂纹且沿所述第一平面延展的待剥离面；S03b、如不满足，则调节碳化硅晶锭的角度和/或第一方向的角度，并返回S02步骤，直至夹角值满足预设夹角值的要求；S04、对所述待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。本发明提供的基于激光致裂的碳化硅剥离片的加工方法，能够降低碳化硅剥离片的应力和材料损耗，提高碳化硅剥离片的品质。
一种基于激光碳化硅剥离加工方法

[发明专利]激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺-CN202211724363.0在审
发明人：梁庆瑞;刘家朋;王含冠;王瑞;马立兴;宋生;宁秀秀;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，所述串联抛光工艺包括以下步骤：将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光液的pH比第i+1次小；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。解决抛光片表面粗糙度高且均匀性差、划痕残留、加工效率低等问题。
激光剥离碳化硅薄片串联抛光工艺

[发明专利]一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统-CN202211724362.6在审
发明人：梁庆瑞;宋生;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;高宇晗;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统，所述系统包括：激光剥离装置，具有激光扫描单元和外力施加单元；减薄装置，具有能够对所述剥离片的至少一部分进行减薄从而得到减薄片的磨制机构；抛光装置，具有能够对所述减薄片进行抛光从而得到抛光片的抛光构件；清洗装置，具有能够对所述抛光片进行清洗从而得到大尺寸碳化硅衬底的清洗机构，其中，所述大尺寸碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统可以解决衬底应力大，SFQR值大，外延前后面型变化大，表面金属沾污问题。
一种激光剥离制备英寸以上碳化硅衬底系统

[发明专利]一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法-CN202211724348.6在审
发明人：梁庆瑞;王含冠;王瑞;马立兴;刘家朋;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法，所述加工方法包括以下步骤：检测碳化硅晶锭的(0001)晶面，得到晶面位置信息；然后计算所述晶面位置信息与第一平面之间的夹角值，判断所述夹角值是否满足预设夹角值的要求，其中，所述第一平面与第一激光束所在的第一方向始终保持垂直；对待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。再对剥离片依次进行减薄、抛光、清洗，得到8英寸以上碳化硅衬底，其中，所述8英寸以上碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的加工方法可以解决衬底加工应力大，外延前后面型(bow和Sori)变化大，表面金属沾污问题。
一种英寸以上碳化硅衬底应力加工方法

[发明专利]一种高质量碳化硅衬底及其制备方法-CN202110546515.1有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，从而减少了碳化硅晶体籽晶面和生长面表面与中心区域应力的差值，改善了碳化硅晶体的面型质量。
一种质量碳化硅衬底及其制备方法

[实用新型]一种晶体抛光装置-CN202121081301.3有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体抛光装置，该装置包括转动盘、第一抛光盘和第二抛光盘，所述第一抛光盘位于所述转动盘的下方，所述第一抛光盘设置有用于放置第一晶体的第一放置孔，所述转动盘能够接触所述第一晶体的表面，且转动盘与第一抛光盘能够相对转动；所述第二抛光盘位于所述第一抛光盘的下方，所述第二抛光盘设置有用于放置第二晶体的第二放置孔，所述第一抛光盘能够接触所述第二晶体的表面，且第一抛光盘与第二抛光盘能够相对转动。该抛光装置通过设置转动盘、第一抛光盘和第二抛光盘，且通过第一抛光盘的抛光液可进入第二抛光盘，提高了单位时间内处理晶体的数量，且使得抛光液可重复利用，从而提高了晶体抛光处理的效率。
一种晶体抛光装置

[发明专利]一种阻挡碳化硅晶体边缘位错向内滑移的方法及其晶体-CN202110947961.3有效
发明人：张九阳;李霞;王永方;赵树春;张红岩;高超;王含冠;王宁;苏丽娜 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻挡碳化硅晶体边缘位错向内滑移的方法，包括：步骤一、构造热场：将坩埚置于保温罩中，再将坩埚连同保温罩置于长晶炉生长腔中，保温罩包括保温盖，保温盖的底部开设有与保温筒同轴的圆形凹槽，圆形凹槽的直径至少小于碳化硅籽晶直径1mm，且大于等于碳化硅籽晶直径的三分之二；步骤二、利用热场制备碳化硅晶体，以使得获得的碳化硅晶体的靠近边缘处形成与圆形凹槽的槽侧壁位置大致对应的环形形貌，所述环形形貌的宽度为100‑600微米。本申请提供的阻挡碳化硅晶体边缘位错向内滑移的方法，能够获得边缘位置具有一定宽度的环形形貌的碳化硅晶体，该环形形貌能够阻挡形貌外侧的边缘位错向其内侧滑移，提升碳化硅晶体中部区域的晶体质量。
一种阻挡碳化硅晶体边缘向内滑移方法及其

[实用新型]一种用于碳化硅晶体的退火载具-CN202121081115.X有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于碳化硅晶体的退火载具，属于半导体材料制备技术领域。该用于碳化硅晶体的退火载具，包括：第一罩盖，所述第一罩盖包括第一盖板；第二罩盖，所述第二罩盖包括第二盖板，所述第二盖板设置在所述第一盖板的下方，所述第一盖板和第二盖板的边缘通过支撑柱连接，所述第一盖板和第二盖板之间用于放置待退火处理的碳化硅晶体。使用该退火载具对待退火处理的碳化硅晶体进行退火处理，能够减少碳化硅晶体两侧与中间区域的应力差，改善碳化硅晶体的面型质量，避免晶体出现开裂。
一种用于碳化硅晶体退火

[实用新型]一种晶体研磨装置-CN202121081302.8有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体研磨装置，该装置包括研磨料加工机构，所述研磨料加工机构用于获得研磨浆料；一次研磨机构，所述一次研磨机构通过运输管与所述研磨料加工机构连通；所述一次研磨机构包括第一研磨盘和第一放置盘，所述第一放置盘设置有用于放置晶体的第一容纳孔，所述第一研磨盘和第一放置盘能够相对旋转；二次研磨机构，所述二次研磨机构通过运输管与所述一次研磨机构的底部连通；所述二次研磨机构包括第二研磨盘和第二放置盘，所述第二放置盘开设有用于放置晶体的第二容纳孔，所述第二研磨盘和第二放置盘能够相对旋转。通过该研磨装置可实现对晶体的二次均匀化研磨，提高晶体表面的研磨效果。
一种晶体研磨装置

[发明专利]一种SiC单晶片研磨用水基研磨液及其制备方法-CN201910001883.0有效
发明人：王瑞;梁庆瑞;王含冠 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种SiC单晶片研磨用水基研磨液及其制备方法，将初始研磨液置于SiC单晶片研磨装置中，并放入SiC单晶片或与SiC单晶片硬度大体一致的块状物质，进行研磨作业至满足第一条件即得水基研磨液。将本申请中的初始研磨液进行研磨处理后得到水基研磨液，利用水基研磨液对SiC单晶片双面研磨加工，晶片表面产生的损伤和划痕数量少、程度低，对后续加工工序影响低，提高抛光效率；同时该研磨液分散均匀，状态稳定，加工SiC单晶片去除率快，可循环使用，磨料寿命长。
一种 sic 晶片研磨用水基及其制备方法

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