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[发明专利]一种柔性磁结构及其制备方法-CN202310542635.3有效
发明人：员朝鑫;王向谦;谢明玲;强进;何开宙;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性磁结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域，磁结构柔性基体选用耐高温微米级聚酰亚胺（PI）薄膜，柔性磁结构的势垒层选用2D‑MoS2。柔性磁结构由下向上包含依次叠加分布的耐高温聚酰亚胺（PI）柔性基体、缓冲层、第一铁磁层、2D‑MoS2势垒层、第二铁磁层和覆盖层。制备方法包括：1）刚性衬底上制备第一柔性支撑层PI基体，柔性支撑层PI厚度为10~15μm，SiO2厚度为15~20nm；2）于刚性基片上柔性基体一侧表面制备磁结构缓冲层与参考层；3）于磁结构参考层之上插入2D‑MoS2势垒层；4）于2D‑MoS2势垒层一侧表面制备磁结构自由层与覆盖层；5）刚性衬底与PI剥离实现柔性磁结构。本发明具有可大面积成膜、高度挠性和微米级膜厚的几何特点。
一种柔性结构及其制备方法

[发明专利]一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法-CN202210554994.6有效
发明人：谢明玲;王向谦;宋玉哲;何开宙;员朝鑫;谭稀 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1：在预处理后的衬底上通过磁控溅射沉积金属钼，得沉积有金属钼薄膜的衬底；S2：将步骤S1所得沉积有金属钼薄膜的衬底在真空管式炉退火系统中硫化退火，得低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明还包括采用上述方法制备得到低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明采用磁控溅射制备金属钼薄膜，然后用真空管式炉退火系统进行硫化退火制得低维层状二硫化钼薄膜材料，有效解决了现有技术中薄膜面积有限、与衬底结合力差、易生成氧化钼和性能较差等问题。
一种层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种半导体光刻工艺-CN202211673735.1在审
发明人：刘斌;王向谦;谢明玲;谭稀;宋玉哲 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光刻工艺，涉及半导体制造技术领域，该半导体光刻工艺包括以下步骤：步骤一：衬底的准备；步骤二：涂抹光刻胶；步骤三：软烘干处理；步骤四：曝光及显影；步骤五：硬烘干处理。本发明通过机械清洁的方式能够进行微粒污染的清洁，并通过等离子体剥离的方式能够对衬底上的无机物和聚合物沉积物进行清洁，使得对衬底的清洁效果更好，并通过DELO‑MONOPOX单组分环氧胶粘合促进剂的涂抹，在提高衬底附着能力的同时，还具备着导热，绝缘的作用，之后通过甩胶法进行光刻胶溶液的涂抹，并在经过软烘干后，对半导体进行曝光和显影，最后通过硬烘干的处理，能够完成对半导体的光刻加工，使得半导体的加工质量有所提高，方便了半导体的使用。
一种半导体光刻工艺

[发明专利]一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法-CN202211179280.8有效
发明人：员朝鑫;何开宙;谢明玲;王向谦;强进;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法，涉及微纳加工与元器件集成技术领域，具体为选取完成器件核心微结构加工前道工序的晶圆作为衬底基片，在衬底基片上涂布一层PI薄膜；再将衬底基片置于恒温加热平板上保温一段时间；之后在光刻机中通过掩膜曝光完成图形化，再通过显影工艺去除金属电极Pad位置上方的PI薄膜；最后将衬底基片置于加热平台中进行阶梯式固化完成有机介电层的制备。一方面，旋涂工艺成膜、一次光刻实现图形化、低温可固化的制备方法，极大的简化工艺制程，降低生产成本；另一方面，有机材料可以在器件微结构及信号线存在较大坡度角位置处形成良好的包覆，有效降低介电层断裂风险的几率，从而提高电子器件的寿命。
一种 mems 电子器件有机介电层低温制备方法

[实用新型]一种晶圆匀胶设备-CN202222785515.X有效
发明人：刘斌;王向谦;徐武德;员朝鑫;谢明玲;李钰瑛;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆匀胶设备，涉及晶圆加工处理设备技术领域，该晶圆匀胶设备，包括底盘，所述底盘的表面固定连接有支撑杆，所述支撑杆的表面固定连接有胶液罐，所述支撑杆的表面固定连接有与胶液罐相连通的滴胶管，所述底盘的表面转动连接有吸盘，所述底盘的表面上设置有夹持机构，通过夹持机构的设置，使晶圆在放在吸盘上后，能够在吸盘的吸力和晶圆自身的重力下，带动夹块自动对晶圆进行夹持，从而无需工作人员放入晶圆后在进行操作，进而尽量避免了二次操作时，使外界的灰尘等杂质飘落在晶圆的表面，从而降低晶圆匀胶质量的情况，从而提高了晶圆的匀胶效果，保证了晶圆的加工质量。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜-CN202211090517.5在审
发明人： 王向谦;何开宙;谢明玲;刘斌;李钰瑛 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了交换偏置场可连续调控的垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层膜，由下而上依次包括：衬底、缓冲层、种子层、人工合成反铁磁层和覆盖层；其中，人工合成反铁磁层由两个具有垂直磁各向异性的复合磁性层中间夹一层非磁性的隔离层构成。本发明通过调节中间层隔离厚度以及磁性层参数，就可以改变两铁磁层之间的反铁磁耦合强度，从而实现对p‑SV交换偏置场的连续调控。本发明涉及磁性薄膜材料技术领域，本发明决现有技术中p‑SV交换偏置场不易连续调控的问题。
交换偏置连续调控垂直各向异性人工合成反铁磁耦合多层

[发明专利]一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法-CN202210147343.5有效
发明人：高晓平;谢明玲;王向谦;员朝鑫;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构简单，衬底电位生成子电路会产生PMOS管的衬底电位，在电源掉电情况下可有效降低输出端出现高电位时的电流倒灌，可以实现其漏电流低于1uA指标。
一种 cmos 工艺兼容接口芯片掉电保护电路方法

[发明专利]一种宽电源电压范围输入电平检测电路-CN202210523549.3在审
发明人： 王向谦;高晓平;员朝鑫;刘斌;李钰瑛;徐武德 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03K5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽电源电压范围输入电平检测电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、PMOS管P0、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、电阻R1和电阻R2。本发明的一种宽电源电压范围输入电平检测电路通过N1管来调节N2和P0的开启电流，从而实现输出端的电平识别翻转。并且电路能拓展VDD电源电压的范围，使VDD电源电压达到更低的电源电压要求，本发明的数字输入翻转点为通过加入电阻R1和电阻R2调节后级PMOS管P3与NMOS管N3的栅电容充放电平衡，实现最终电路输出波形的脉宽占空比传输稳定。
一种电源电压范围输入电平检测电路

[发明专利]一种γ′-Fe4-CN202010197894.3在审
发明人：卢启海;韩根亮;宋玉哲;王向谦;谢明玲 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ′‑Fe4N磁性多孔膜的制备方法，包括：步骤1，将硅基片表面进行清洗，干燥，得到预处理后的硅基片；步骤2，将所述与处理后的硅基片进行磁控溅射镀膜，所述磁控溅射镀膜采用Fe靶材，以氮气作为工作气体，溅射温度为常温；得到非磁性高氮相氮化铁薄膜，所述非磁性高氮相氮化铁薄膜中高氮相氮化铁为FexN；步骤3，将所述非磁性高氮相氮化铁薄膜材料进行磁性退火处理：所述磁性退火处理为真空磁性退火，在预定退火温度下保温预定时间，以释放所述高氮相氮化铁中多余的氮并形成孔，冷却后，得到γ′‑Fe4N磁性多孔膜；所述氮气纯度在99.99％以上，所述Fe靶材纯度为99.9wt％以上。
一种 fe base sub

[发明专利]一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法-CN201911203985.7在审
发明人：谭稀;史鑫;强进;高晓平;卢启海;王向谦;宋玉哲;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，属于半导体领域。包括如下步骤：在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘烤工艺；将烘烤后的样品置于激光直写机样品台，并设定曝光条件，对SU8系列光刻胶进行多次曝光；对多次曝光后的SU8系列光刻胶进行显影。本发明工艺步骤简单，缩短了科研开发的周期，节约了开发成本，且安全可靠。
一种利用激光直写机进行 su8 系列光刻曝光方法

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