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[发明专利]移动式恶臭污染预警监测装置及监测方法-CN201210436775.4有效
发明人：包景岭;邹克华;王元刚;李伟芳;韩萌;李昌建;张欢;王健壮 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及了一种移动式恶臭污染预警监测装置，该装置由恶臭在线监测装置、恶臭无线采集装置、恶臭成分检测装置、车载供电装置和车载电脑控制中心组成，采用了防震措施保护仪器。预警监测装置安装在一辆客车内，可以随时开往事故现场，对恶臭污染现场进行检测,也可以安置在有潜在污染能力的恶臭污染源的厂界处进行恶臭污染的实时监测，并对恶臭污染进行预警。该预警监测装置实现了恶臭污染在线实时监测，恶臭污染物可能来源或设施的追踪和识别，恶臭污染变化趋势和污染范围的预测，并提供相应应急预案，为环境管理部门采取快速、高效的应急措施提供科学支撑，提高了恶臭污染事故应急处置的效率。
移动式恶臭污染预警监测装置方法

[发明专利]一种多嗅辨位智能恶臭测定仪-CN201210410041.9无效
发明人：包景岭;刘伟玲;李昌建;李伟芳;张菲菲;王健壮;邹克华;刘咏;宁晓宇;王亘;王元刚;张欢;翟增秀;刘博 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：一种多嗅辨位智能恶臭测定仪，包括：动态稀释装置和嗅辨实验台，动态稀释装置包括测控气路和控制系统；测控气路包括参比气体气路、混合气体气路和被测气体气路；嗅辨实验台包括：六组气体管路及六组转向出气装置，每组转向出气装置包括一个电机，一个圆盘及三个嗅杯，电机的输出轴与圆盘垂直相连，一个嗅杯作为臭气稀释出口与被测气体气路相连，另外两个嗅杯作为洁净气体出口与参比气体气路相连，嗅杯彼此之间呈均匀间隔的设置在圆盘上，电机带动圆盘进行顺时针或逆时针的旋转使圆盘上的嗅杯随机旋转位置。该测定仪供六个嗅辨员同时进行嗅辨实验，独立作答，互不干扰，更好的符合我国三点比较式臭袋法的标准。
一种多嗅辨位智能恶臭测定

[发明专利]一种具有高K介质槽的半导体功率器件-CN201110075604.9无效
发明人：罗小蓉;姚国亮;王元刚;雷天飞;陈曦;葛瑞;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺杂浓度高于第一半导体区，且所述第二半导体区的宽度小于所述第一半导体区的宽度；在所述槽栅结构正下方具有一个高K介质槽，高K介质材料两端分别与槽栅结构的导电材料和半导体衬底相接触，两侧与第二半导体区接触，且由第一半导体区和第二半导体区构成的漂移区在高K介质槽4两侧对称分布。本发明具有耐压高、导通电阻小、功耗低、工艺容差大，并且制造工艺简单、成本低等优点，适合做低功耗的功率半导体器件。
一种具有介质半导体功率器件

[发明专利]一种槽型纵向半导体器件的制造方法-CN201110075550.6无效
发明人：罗小蓉;王元刚;姚国亮;雷天飞;葛瑞;陈曦;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明的工艺方法有以下优点：第一，可以形成窄且高浓度P柱区或N柱区(即第二半导体漂移区)，有利于降低导通电阻和缩小器件横向尺寸；第二，可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低于体区下界面，从而提高器件耐压，并降低栅-源和栅-漏电容；第三、不需要复杂的掩模，避免了小角度注入对沟道区的影响；第四、避免了延伸槽填充及平坦化和槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响。
一种纵向半导体器件制造方法

[发明专利]一种槽型功率MOSFET器件-CN201110097449.0无效
发明人：张波;胡夏融;罗小蓉;李泽宏;邓小川;雷天飞;姚国亮;王元刚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降低源极串联电阻，而且提供良好的导热通道利于器件的双面冷却。同时，延伸的源金属场板覆盖于轻掺杂漏区（LDD）之上，降低栅极末端的高电场峰值，并辅助轻掺杂漏区（LDD）耗尽降低栅漏电容。轻掺杂漏区、源金属场板及下方P-衬底的电荷平衡作用，使轻掺杂漏区的载流子浓度提高，器件导通电阻降至最低。本发明在保证低的比导通电阻的前提下降低了栅电荷，从而使得器件具有更低的功耗，具有良好的散热特性。
一种功率 mosfet 器件

[发明专利]超结结构和超结半导体器件的制造方法-CN201110051879.9有效
发明人：罗小蓉;姚国亮;王元刚;雷天飞;葛瑞;陈曦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用多次外延、多次注入的方式形成超结；第二、可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低，从而提高器件耐压，并降低栅-源和栅-漏电容；第三，由于沟槽的深度降低，小角度注入的工艺难度降低，工艺容差增加，且拓展沟槽内介质的填充和平坦化更容易；第四、不需要复杂的掩模，避免了小角度注入对沟道区的影响；第五、避免拓展槽填充及平坦化、槽栅制作以及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生不利影响。
结构半导体器件制造方法

[发明专利]SOI横向MOSFET器件和集成电路-CN201110003586.3有效
发明人：罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路，所述器件中，有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟道区(14')、源区(11a)、体接触区(10)和源区(11b)；位于体区(9)和漏区(12)之间的有源层(3)为漂移区，漂移区和体区(9)的导电类型相反；有源层(3)在其表面以下设置有半导体埋层(4)，半导体埋层(4)和体区(9)的导电类型相同；所述器件具有槽栅结构(8)和平面栅结构(8')，槽栅结构(8)与体区(9)接触，并且从有源层(3)的表面纵向延伸至介质埋层(2)，平面栅结构(8')形成于体区(9)的上方。本发明的器件耐压高、比导通电阻低、功耗低、成本低、易小型化而且便于集成。
soi 横向 mosfet 器件集成电路

[发明专利]具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法-CN201110051878.4有效
发明人：罗小蓉;王元刚;姚国亮;雷天飞;葛瑞;陈曦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，可以形成窄且高浓度P柱区或N柱区，有利于降低导通电阻；第二，可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低于体区下界面，从而提高器件耐压，并降低栅-源和栅-漏电容；第三、不需要复杂的掩模，避免了小角度注入工艺对沟道区的影响；第四、避免了延伸槽填充及平坦化、槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响。
具有延伸沟槽半导体器件制造方法

[发明专利]槽型半导体功率器件-CN201010610944.2无效
发明人：罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述半导体衬底上是高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻。所述半导体漂移区上是有源区。所述高K介质上是槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。其中，所述第二导电类型的半导体区通过小倾角离子注入形成，因此宽度窄且浓度高。
半导体功率器件

[发明专利]一种低浓度恶臭气体的测定方法-CN201010262776.2无效
发明人： 王元刚;韩萌;李伟芳;刘咏;王亘;宁晓宇;刘博;李昌建;邹克华;翟增秀;卢志强 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低浓度恶臭气体的测定方法，它包括如下步骤：吸附处理：在常温20～25℃下，将体积为100L恶臭气体通入装有固体Tenax聚2，6-二苯基对苯醚和活性碳两种吸附剂的玻璃管中，将恶臭气体中所含恶臭物质完全吸附。热解析处理：将第一步玻璃管加热到特定温度，被吸附的恶臭物质重新被解析出来。吹脱处理：通入体积为10L载气N2将恶臭物质脱附出来，恶臭物质与N2相混合，从另一端流出、收集，得到浓缩了10倍的恶臭气体，然后用GB/T14675-93三点比较式臭袋法测定该浓缩10倍恶臭气体的臭气浓度，通过计算得出原恶臭气体的臭气浓度。本发明将低浓度恶臭气体进行浓缩，达到现行三点比较式臭袋法可以测定的范围内，本发明的测定方法，具有无污染、成本低、脱臭效果好，经济、简便、快捷、易行等优点，更适用于低浓度环境恶臭的臭气浓度测定。
一种浓度恶臭气体测定方法

[实用新型]无臭空气净化分配器-CN200920096399.2有效
发明人：宁晓宇;李昌建;刘咏;耿静;王亘;韩萌;王元刚;刘博;邹克华 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无臭空气净化分配器，包括顶盖、滤芯和底座，滤芯上下两端装有顶盖和底座，顶盖内侧开有内螺纹，在顶盖上面设有圆柱形出气口，通过硅胶软管与配气管相连接。底座内侧开有内螺纹，底座侧面设有一处进气口，底座下方直径大于上方直径。滤芯由压板、滤筒、滤料和支撑板组成，其中滤筒上下两端外侧开有外螺纹，与顶盖和底座的内螺纹啮合连接，滤筒顶部为开口式，底部为固定的填滤料支撑板，在装填满滤料后，顶部覆盖压板，支撑板和压板上开有数个小孔。本实用新型采用空气过滤与空气分配一体化设计，提高了整体设备的可操作性，增强了设备的适用性、耐用性和易用性，同时便于携带，延长了整体的使用寿命。
空气净化分配器

[发明专利]双面介质槽部分SOI材料的制备方法-CN200910058508.6无效
发明人：罗小蓉;雷磊;傅达平;高唤梅;蒋辉;雷天飞;王元刚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO₂层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的SiO₂层；4.淀积多晶硅；5.多晶硅平坦化。在本发明制备的SOI材料上制作的器件通过增强埋氧层电场，从而提高器件耐压，同时又能充分散热。本方法制备的SOI材料上制备的SOI器件与常规SOI结构的器件相比，可以用较薄的顶层硅和埋氧层来达到相同的耐压，进而降低了自热效应。
双面介质部分 soi 材料制备方法

[发明专利]在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法-CN200910058291.9无效
发明人：罗小蓉;张伟;邓浩;高唤梅;肖志强;陈正才;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a.在顶层硅背面生长阻挡层；b.在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c.对顶层硅进行离子注入；d.对顶层硅去胶清洗后高温热氧化生长SiO₂层；e.顶层硅的氧化层面和衬底片键合，或者顶层硅的氧化层面和衬底片的氧化层面键合形成完整的材料这五个步骤，充分利用了顶层硅上SiO₂层生长和与衬底片键合两个高温过程对图形化半导体埋层进行两次推结，既适用于全介质隔离工艺，又适用于自隔离工艺的SOI功率器件的相关功率集成电路中。
soi 材料顶层介质界面形成图形半导体方法

[发明专利]基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构-CN200910058145.6无效
发明人：罗小蓉;张伟;詹瞻;邓浩;高唤梅;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上方，所述漂移区层和界面岛型埋层的导电类型相同，半导体有源层的导电类型与界面岛型埋层或漂移区层的导电类型相反。将本发明采用的结构应用于高压功率器件或功率集成电路中，其耐压比常规的采用自隔离技术的SOI器件的耐压大大提高，且该工艺和标准CMOS工艺完全兼容。
基于隔离技术介质增强 soi 耐压结构

[发明专利]动态恶臭测定仪-CN200710060143.1有效
发明人：邹克华;宁晓宇;刘咏;耿静;韩萌;王亘;王连生;王元刚;李昌建 -专利权人：天津市环境保护科学研究院
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01N1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态恶臭测定仪，包括壳体及壳体内装有的测控气路，所述的测控气路分为三条气路，第一条气路为参比气体气路，第二条气路为混合气体气路，第三条气路为被测气体气路，三条气路通过管路由气源接入口连接截止阀、稳压阀，转子流量计，质量流量控制计、文丘里混流管、旋转混合室和参比气体出口、混合气体出口。本发明利用动态稀释并联方式设计，文丘里管负压混合机理，并在高速旋转混流罐的作用下，实现动态配气，性能可靠，同时可以满足国内三点比较式臭袋法，也可以满足欧洲嗅觉计方法。它用于测定排气筒中或者环境气体恶臭或异味气体样品强度及浓度，该气体样品包括含一种恶臭物质的样品和含二种以上恶臭物质的复合臭气样品。
动态恶臭测定