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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁阻效应元件以及惠斯勒合金-CN202010777715.3有效
发明人： 犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、αβ且0.5α1.9，所述取代元素是选自第4族到第10族的元素中的比Fe熔点高的元素中的一种以上的元素。
磁阻效应元件以及惠斯勒合金

[发明专利]磁阻效应元件和铁磁性层的结晶方法-CN201980095846.9有效
发明人：市川心人;犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。
磁阻效应元件铁磁性结晶方法

[发明专利]层叠结构、磁阻效应元件、磁头、传感器、高频滤波器以及振荡器-CN202211376632.9在审
发明人： 犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明所涉及的层叠结构为位于非磁性金属层(5B)上的层叠结构，并具备铁磁性层(6)、介于非磁性金属层(5B)与铁磁性层(6)之间的中间层(5C)，中间层(5C)包含以通式(1)所表示的NiAlX合金层。Niγ1Alγ2Xγ3……(1)[X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5。
层叠结构磁阻效应元件磁头传感器高频滤波器以及振荡器

[发明专利]层叠结构、磁阻效应元件、磁头、传感器、高频滤波器以及振荡器-CN201811113397.X有效
发明人： 犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明所涉及的层叠结构为位于非磁性金属层(5B)上的层叠结构，并具备铁磁性层(6)、介于非磁性金属层(5B)与铁磁性层(6)之间的中间层(5C)，中间层(5C)包含以通式(1)所表示的NiAlX合金层。Niγ1Alγ2Xγ3……(1)[X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5。]。
层叠结构磁阻效应元件磁头传感器高频滤波器以及振荡器

[发明专利]磁阻效应元件-CN202011519004.2在审
发明人：市川心人;犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。
磁阻效应元件

[发明专利]磁阻效应元件-CN202011422090.5在审
发明人： 犬伏和海;中田胜之;市川心人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。
磁阻效应元件

[发明专利]磁阻效应元件以及惠斯勒合金-CN202010777761.3在审
发明人： 犬伏和海;中田胜之;植村哲也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进一步增大MR比(磁阻变化率)和RA(面电阻)的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金构成。Co2FeαXβ……(1)式(1)中，X表示选自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一种以上的元素，α和β表示满足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9的数。
磁阻效应元件以及惠斯勒合金

[发明专利]磁阻效应元件以及惠斯勒合金-CN202010784298.5在审
发明人：中田胜之;犬伏和海 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少磁化的旋转所需要的能量的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Mn、Cr、Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、αβ且0.5α1.9，所述取代元素与所述Z的元素不同，并且所述取代元素是比Co磁矩小的元素。
磁阻效应元件以及惠斯勒合金

[发明专利]磁阻效应元件-CN201811558321.8在审
发明人： 犬伏和海;中田胜之;植村哲也 -专利权人： TDK株式会社;国立大学法人北海道大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应大的磁阻效应元件，其使用含有Mn的赫斯勒合金作为磁阻层的铁磁性层。本发明所涉及的磁阻效应元件具备：作为磁化自由层发挥功能的第一铁磁性层、作为磁化固定层发挥功能的第二铁磁性层和设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，其中第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个包含式(1)所表示的赫斯勒合金。X₂Mn_αZ_β……(1)式中，X表示选自Co、Ni、Fe、Ru以及Rh中的至少一种元素，Z表示选自Si、Al、Ga、Ge、Sb以及Sn中的至少一种元素，并且2/3<α+β<2。
铁磁性层磁阻效应元件式( 1 )合金非磁性间隔层磁化固定层磁化自由层磁阻效应磁阻层式中

[发明专利]磁阻效应元件、磁头、感应器、高频滤波器和振荡元件-CN201810686463.6在审
发明人： 犬伏和海;中田胜之;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种改善了磁阻效应的磁阻效应元件。所述磁阻效应元件其特征在于，磁阻效应元件(MR)具备作为磁化固定层的第一铁磁性层(4)、作为磁化自由层的第二铁磁性层(6)、以及设置于第一铁磁性层(4)和第二铁磁性层(6)之间的非磁性间隔层(5)，所述非磁性间隔层(5)具有设置于非磁性间隔层(5)的下表面的第一插入层(5A)和设置于非磁性间隔层(5)的上表面的第二插入层(5C)中的至少一个，第一插入层(5A)和第二插入层(5C)是Fe₂TiSi。
磁阻效应元件非磁性间隔层铁磁性层插入层磁头磁化固定层磁化自由层高频滤波器磁阻效应振荡元件感应器上表面下表面

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