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[发明专利]片模制芯片级封装-CN201210378005.9有效
发明人：弗兰克·J·尤斯基;保罗·班茨;奥托·贝格尔 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种片模制芯片级封装。实施例包括但不限于包括微电子装置的设备和系统，该微电子装置包括：裸片，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；传导柱，形成在裸片的第一表面上；以及包装材料，包装裸片，包括覆盖第一表面、第二表面以及传导柱的侧表面的至少一部分。还描述了用于制造该微电子装置的方法。
片模制芯片级封装

[发明专利]双重堆叠变容二极管-CN201510226390.9在审
发明人：彼得·V·赖特;蒂莫西·S·亨德森 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了一种双重堆叠变容二极管。实施方式包括与垂直堆叠的变容二极管有关的装置和方法。具体地，可以由包括阳极层、接触层和变容二极管层的垂直堆叠的层构成两个变容二极管。两个变容二极管可以共享一个或更多个公共层。在一些实施方式中两个变容二极管可以共享公共的阳极层，而在其它实施方式中两个变容二极管可以共享公共的接触层。
双重堆叠变容二极管

[发明专利]具有异质结构的变容二极管-CN201510249636.4在审
发明人：陶更明 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的实施方式描述了一种诸如变容二极管的集成电路(IC)器件的设备、方法和系统。IC器件包括组合集电极和异质结构。包括较宽带隙材料的层作为集电极/基极界面处的集电极的一部分。宽带隙材料的存在可以增加击穿电压并且允许在集电极的较窄带隙部分中增加超突变掺杂分布。这可以允许增加的调谐范围和改进的互调(IMD)性能，而不降低与单质结器件相关联的击穿性能。还可以描述和/或请求保护其他实施方式。
具有结构变容二极管

[发明专利]倒装芯片封装技术和配置-CN201310071623.3有效
发明人：弗兰克·J·尤斯基;罗伯特·C·哈特曼;保罗·D·班茨 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明内容的实施例涉及倒装芯片封装技术和配置。一种装置可以包括：封装衬底，该封装衬底具有形成在该封装衬底上的多个焊垫，该多个焊垫被配置成承载形成在管芯上的相应的多个互连结构；以及布置在封装衬底上的助熔底部填充材料，该助熔底部填充材料包括助熔剂和环氧材料，该助熔剂被配置成利于在多个互连结构中的各个互连结构和多个焊垫中的各个焊垫之间形成焊接接合部，该环氧材料被配置成在形成焊接接合部期间硬化以机械地加固焊接接合部。还可以描述和/或要求其他实施例。
倒装芯片封装技术配置

[发明专利]互补金属氧化物半导体直流-直流变换器-CN201210152749.9无效
发明人：安德鲁·拉巴杰维奇;曼比尔·纳吉 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：提供了一种互补金属氧化物半导体直流-直流变换器。公开的实施例包括一种直流-直流（DC-DC）变换器，该DC-DC变换器包括一个或更多个电荷泵并且被配置成接收输入电压以及第一时钟信号和第二时钟信号。第一时钟信号和第二时钟信号可以是不交叠的，并且各自可以在地电压与第一电压之间交替。该DC-DC变换器可以被配置成在时钟周期产生输出电压，该输出电压具有负极性且该输出电压的量值基本等于输入电压的量值与第一电压的整数倍数的量值之和，所述整数倍数等于DC-DC变换器中的一个或更多个电荷泵的数目。
互补金属氧化物半导体直流变换器

[发明专利]倒装芯片功率放大器和阻抗匹配网络-CN201210137367.9无效
发明人：彼得·V·赖特 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：公开了用于倒装芯片功率放大器和阻抗匹配网络的电路、装置和系统的实施例。可以描述和要求其它实施例。
倒装芯片功率放大器阻抗匹配网络

[发明专利]正交晶格匹配网络-CN201210076931.0有效
发明人：彼得·V·赖特 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H03H7/40 文献下载
摘要：提供了一种正交晶格匹配网络。实施例包括但不限于包括正交晶格匹配网络的装置及系统，该正交晶格匹配网络包括：第一路径，该第一路径具有串联电感器和并联电感器；以及第二路径，该第二路径具有串联电容器和并联电容器。可描述并要求保护其它实施例。
正交晶格匹配网络

[发明专利]使微调影响和活塞波型不稳定性最小化的声波导器件和方法-CN201210057488.2有效
发明人：本·阿博特;艾伦·陈;特霍·科克;库尔特·斯坦纳;罗伯特·艾格纳;朱利恩·格拉捷 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种可操作为活塞波型波导的声波器件，其包括在压电基板的表面上形成叉指式换能器的电极，其中多个电极中的每一个均限定为具有横向延伸中央区域和横向相反边缘区域，用于引导声波沿纵向穿过换能器。氧化硅覆盖层覆盖换能器，并且氮化硅层仅在中央和边缘区域覆盖氧化硅覆盖层。氮化硅层的厚度足以为中央区域内的声波提供频率修改并且针对钛条在相反边缘区域中的每一个中的定位进行优化。钛条降低边缘区域内的声波速度，所述边缘区域内的速度低于换能器中央区域内的波速。
微调影响活塞不稳定性最小化声波器件方法

[发明专利]用于宽带放大器线性化的装置和方法-CN200980150691.0有效
发明人： C.J.戴 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种改进宽带放大器线性化的装置和方法。本电路利用预失真技术来改进放大器的三阶失真以减少为实现给定系统要求所需的DC功率量。此外，放大器具有适合于简化的预失真的宽带特性。预失真线性化器电路跨越放大器的输入端进行连接。线性化器电路包括多个二极管以改进线性化器的削波性能。此外，RC电路使线性化器失真的相位对准以与放大器的相反。
用于宽带放大器线性化装置方法

[发明专利]具有用于避免硬饱和的控制回路的电压调节器-CN201110092548.X有效
发明人：基兰·卡尔尼克;安德鲁·拉巴杰维奇 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：公开了具有用于避免硬饱和的控制回路的电压调节器的电路、装置和系统的实施例。可以描述其它实施例并要求其权利。
具有用于避免饱和控制回路电压调节器

[发明专利]自动校准电路-CN201110036405.7有效
发明人：基兰·卡尔尼克 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及自动校准电路。公开了涉及校准电路的电路、装置和方法的实施例。在各种实施例中，可以使用校准电路来校准功率检测器电路。在各种其他实施例中，可以使用校准电路来校准电阻器模块。还可以描述和要求其他实施例。
自动校准电路

[发明专利]输入功率过载保护电路-CN201010622619.8有效
发明人：约翰·贝兰托尼 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：公开了输入功率过载保护电路。公开了用于保护电路的电路、设备和系统的实施例，其中该保护电路包括具有衰减状态的控制元件，以防止过载状况。可以描述并要求保护其它实施例。
输入功率过载保护电路

[发明专利]改进的微电子焊盘-CN200680027468.3无效
发明人：格拉尔德·马奥尼;马修·埃萨尔;沃尔特·沃尔穆特;韦恩·斯特鲁布尔 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：集成电路(30)的一个实施例包括：衬底(38)；位于衬底之上的电气器件(34)；和焊盘(72)，焊盘位于电气器件上方并沿竖直轴与其对准，使得电气器件位于衬底和焊盘之间。
改进微电子

[发明专利]薄膜电阻器及其制造方法-CN200680027467.9有效
发明人：法比安·勒杜列斯库 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：集成电路(10)的一个实施例包括衬底(12)和在衬底上形成的SiWNi薄膜电阻器(16)。
薄膜电阻器及其制造方法

[发明专利]集成的侧面耦合传输线元件-CN02800127.3无效
发明人：托马斯·R·阿佩尔;理查德·L·坎贝尔 -专利权人： 特里奎恩特半导体公司
申请日： 2002-01-16 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型侧面耦合传输线元件。该元件包括第一金属化层，该层具有第一螺旋形传输线和其中形成的至少一个桥接段。该元件还包括第二金属化层，第二金属化层具有第二螺旋形传输线和其中形成的连接器段。连接器段提供了第一和第二传输线的内部区域和第一和第二传输线的外部区域之间相应的电连接。第一个连接器段电连接到第二传输线的内部终端上。第二传输线在每个与连接器段相交处具有间隙。介电层位于第一和第二金属化层之间。介电层具有多个其中形成的孔，用于提供第二传输线和第一金属化层的桥接段之间的电连接，并用于提供第一传输线的内部终端和第二个连接器段之间的电连接。该元件在集成电路环境中形成，并可以用于产生各种电路元件，诸如在高频下工作的平衡不平衡变换器、平衡和不平衡变压器以及电流和电压变换器。
集成侧面耦合传输线元件

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