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[发明专利]热轧铜合金板及溅射靶-CN202280016960.X在审
发明人：中里洋介;牧一诚;积川靖弘;谷雨 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C22C9/01 文献下载
摘要：该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg和0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质中，Fe的含量为0.0020质量％以下，O的含量为0.0020质量％以下，S的含量为0.0030质量％以下，P的含量为0.0010质量％以下，3≤∑≤29的各晶界长度之和Lσ与利用EBSD法测定的总晶界长度L的比率即特殊晶界长度比率(Lσ/L)为20％以上，板厚中心部的平均晶体粒径μA为40μm以下。
热轧铜合金溅射

[发明专利]镀锡铜端子材及其制造方法-CN201980017237.1有效
发明人：马渡芙弓;牧一诚;船木真一;井上雄基;中矢清隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25D5/50 文献下载
摘要：一种镀锡铜端子材，在由铜或铜合金构成的基材上依次层叠镍或镍合金层、铜锡合金层及锡层而成，锡层的平均厚度为0.2μm以上且1.2μm以下，铜锡合金层是以Cu6Sn5为主成分且所述Cu6Sn5的一部分铜取代为镍的化合物合金层，并且平均结晶粒径为0.2μm以上且1.5μm以下，在锡层表面露出有铜锡合金层的一部分，并且锡凝固部以岛状存在，所述锡凝固部的沿锡层表面的方向的平均直径为10μm以上且1000μm以下，所述锡凝固部相对于锡层表面的面积率为1％以上且90％以下。
镀锡端子及其制造方法

[发明专利]热轧铜合金板及溅射靶-CN202280017011.3在审
发明人：中里洋介;牧一诚;积川靖弘;谷雨 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22C9/01 文献下载
摘要：该热轧铜合金板含有0.2质量％以上且2.1质量％以下的Mg、0.4质量％以上且5.7质量％以下的Al和0.01质量％以下的Ag，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，利用EBSD法测定的Cube取向的面积率(晶体取向的面积率)为5％以下，当将相邻的像素间的取向差为5°以上的像素间的边界视为晶界时的KAM值的平均值为2.0以下，板厚中心部的平均晶体粒径μ为40μm以下。
热轧铜合金溅射

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080054912.0有效
发明人：森川健二;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：一种铜合金板，其在板厚方向的中心部含有超过2.0％(质量％、以下相同)且32.5％以下的Zn、0.1％以上且0.9％以下的Sn、0.05％以上且小于1.0％的Ni、0.001％以上且小于0.1％的Fe、0.005％以上且0.1％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述铜合金板的表面处的表面Zn浓度为中心部的中心Zn浓度的60％以下，所述铜合金板具有从表面到Zn浓度成为中心Zn浓度的90％为止的深度的表层部，关于表层部，从表面朝向板厚方向的中心部，以10质量％/μm以上且1000质量％/μm以下的浓度梯度增加Zn浓度。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及散热基板-CN202180045210.0在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子散热

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子、汇流条、引线框架及散热基板-CN202180045199.8在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子汇流引线框架散热

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子、汇流条、引线框架及散热基板-CN202180045132.4在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子汇流引线框架散热

[发明专利]铜合金塑性加工材、铜合金线材、电子电气设备用组件及端子-CN202180045904.4在审
发明人：松永裕隆;伊藤优树;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5masppm以下，As的含量为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
铜合金塑性加工线材电子电气备用组件端子

[发明专利]铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子-CN202180046181.X在审
发明人：松永裕隆;伊藤优树;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S为10质量ppm以下，P为10质量ppm以下，Se为5质量ppm以下，Te为5质量ppm以下，Sb为5质量ppm以下，Bi为5masppm以下，As为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN201980086408.6有效
发明人：宫嶋直辉;牧一诚;船木真一;久保田贤治 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种铜合金板，在板厚方向的厚度中心部包含0.3质量％以上且1.2质量％以下的Mg及0.001质量％以上且0.2质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，板表面的Mg浓度为所述厚度中心部的块体Mg浓度的30％以下，具备具有从所述板表面起至Mg浓度为所述块体Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部中，Mg浓度从所述板表面朝向所述厚度中心部以1.8质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]超导稳定化材料、超导线及超导线圈-CN201880069609.0有效
发明人：福冈航世;伊藤优树;牧一诚 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于超导线的超导稳定化材料，其由铜材料构成，所述铜材料在总计3质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内含有选自Ca、Sr、Ba及稀土元素中的一种或两种以上的添加元素，且剩余部分为Cu及不可避免杂质，除了气体成分的O、H、C、N及S以外的所述不可避免杂质的总浓度为5质量ppm以上且100质量ppm以下，所述超导稳定化材料的半软化点温度为200℃以下，维氏硬度为55Hv以上，剩余电阻比(RRR)为50以上且500以下。
超导稳定材料导线线圈

[发明专利]Cu-Ni-Si系铜合金板、带镀膜的Cu-Ni-Si系铜合金板及它们的制造方法-CN202180021981.6在审
发明人：坂井和章;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：一种Cu‑Ni‑Si系铜合金板，含有Ni和Si，其中，在板厚方向的中心部，含有0.4质量％以上且5.0质量％以下的Ni和0.05质量％以上且1.5质量％以下的Si，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，板表面的Ni浓度为所述厚度中心部的中心Ni浓度的70％以下，具有从板表面起到中心Ni浓度的90％为止的深度的表层部，在表层部中，Ni浓度从板表面向厚度中心部以5.0质量％/μm以上且100质量％/μm以下浓度梯度增加，提高高温环境下的电连接可靠性，即使在设有Sn等镀膜的情况下，也会提高高温环境下的电连接可靠性、焊料润湿性及镀膜的密接性。
cu ni si 铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080019903.8有效
发明人：宫岛直辉;小林敬成;牧一诚;船木真一;森广行;伊藤优树 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提高了降低接触电阻的镀膜与含有Mg的铜合金板的密接性。一种铜合金板，在板厚方向的中心部包含超过1.2质量％且2质量％以下的Mg，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，表面处的表面Mg浓度为所述板厚方向的所述中心部的中心Mg浓度的0％以上且30％以下，具有从所述表面起至Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部，Mg浓度从所述表面向所述板厚方向的所述中心部，以0.2质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080075886.X在审
发明人：秋坂佳辉;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜合金板，板厚方向的中心部的中心Mg浓度为0.1质量％以上且小于0.3质量％、中心P浓度为0.001质量％以上且0.2质量％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质形成，所述铜合金板的表面的表面Mg浓度为所述中心Mg浓度的70％以下，从所述表面起以规定的厚度设定的表层部具有Mg浓度随着从所述表面朝向所述板厚方向的所述中心部增加的0.05质量％/μm以上且5质量％/μm以下的浓度梯度，并且所述表层部中的最大Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％，由此抑制表面的变色及接触电阻的上升且镀膜的密接性优异。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]连接器用端子材-CN202080068848.1在审
发明人：宫岛直辉;牧一诚;船木真一;石川诚一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种端子材，具有至少表面由Cu或Cu合金构成的基材、所述基材上的厚度0.1μm以上且1.0μm以下的Ni层、所述Ni层上的厚度0.2μm以上且2.5μm以下的Cu‑Sn金属间化合物层及所述Cu‑Sn金属间化合物层上的厚度0.5μm以上且3.0μm以下的Sn层，通过EBSD法以0.1μm的测量步长来分析所述Cu‑Sn金属间化合物层及所述Sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2°以上的边界视为晶界，所述Cu‑Sn金属间化合物层的平均结晶粒径Dc为0.5μm以上，所述Sn层的平均结晶粒径Ds与所述平均结晶粒径Dc的粒径比Ds/Dc为5以下。
连接器用端子

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