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[发明专利]绝缘膜的成膜方法、基板处理装置和基板处理系统-CN201880057445.X有效
发明人：村松诚;源岛久志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：[课题]提供一种技术，其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W，在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前，在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此，使在聚硅氮烷中预先要水解的部位的硅生成悬挂键。因此，由于水解所需的能量下降，因此，即使使固化工序的温度为350℃时，不水解而残留的部位变少。其结果，由于有效地引起脱水缩合，因此，交联率改善而可以成膜为致密的(优质膜质的)绝缘膜。而且，通过对前述涂布膜照射紫外线后在涂布膜的表面形成保护膜，从而可以抑制固化工序前的悬挂键的反应，涂布膜的膜质变良好。
绝缘方法处理装置系统

[发明专利]绝缘膜的成膜方法、绝缘膜的成膜装置及基板处理系统-CN201880025732.2有效
发明人：村松诚;斋藤祐介;源岛久志;藤井宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
绝缘方法装置处理系统