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[发明专利]信息存储介质、信息存储方法、信息再生方法-CN201580072023.6有效
发明人： 渡部隆夫;森重喜;今井亮;渡边康一 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于在使用激光对透明介质的内部进行制标时不会损伤美观地提高肉眼观察时或照相机拍摄时的可视性。本发明通过对透明介质的内部照射激光而在介质内部的第一以及第二层上分别形成微小变性区域。各层中的微小变性区域以在二维平面上相互错开的方式配置，参照图1。
信息存储介质方法再生

[发明专利]信息记录介质、信息再现装置和信息再现方法-CN201410073900.9有效
发明人： 渡部隆夫;富田大辅;渡边康一;今井亮 -专利权人：日立乐金光科技株式会社
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11B7/004 文献下载
摘要：一个或多个层状地形成折射率等光学特性与周围不同的多个微小变性区域的点来记录信息的透明的信息记录介质中，公开了尝试从显微镜图像再现被记录的信息，但没有研究用于一般用户在通常的居住空间中能够容易地再现的再现装置及其记录装置。本发明的信息记录介质、信息再现装置和信息再现方法中，对记录介质的规定的再现层一边改变聚焦位置一边以运动图像进行摄像，利用介质的以规定频率记录的检查图案，检查通过运动图像拍摄得到的多个静止图像的分辨率，判断能否用于数据再现，对判断为能够使用的多个静止图像进行合成。
信息记录介质再现装置方法

[发明专利]半导体器件-CN201110257859.7有效
发明人：菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：第1电路，将第1电源电压作为动作电压，输出具有第1电源电压振幅的第1信号；第2电路，将比上述第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压；以及电平变换电路，将上述第1电源电压和上述第2电源电压作为动作电压，将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出，其特征在于：上述电平变换电路包括：具有与外部输入信号同步进行锁存动作的主锁存器部分和次锁存器部分的锁存器电路。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201010163012.8有效
发明人：菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，具备电平变换电路，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。
半导体器件

[发明专利]车辆用前照灯装置以及车辆用前照灯装置的控制方法-CN200910203902.4有效
发明人： 渡部隆夫;山村聪志 -专利权人：株式会社小糸制作所
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B60Q1/076 文献下载
摘要：一种车辆用前照灯装置，即使在远光照射中也能够进行不给对面的车辆、在前面行驶的车辆以及行人等带来眩光的照射控制，在远光照射情况下能够充分提高驾驶员的识认能力，并且结构简单。车辆用前照灯装置具有远光照射用光源以及对该光源进行照射控制的控制机构。控制机构进行照射控制，当将光源照射的远光照射区域(42)的至少一部分分割为上下方向的多个区段时，以对于多个区段中的一部分，在下侧区段形成多个在左右方向有规定区域宽度的第1区域(42a)而在上侧区段形成左右方向区域宽度比第1区域(42a)宽的第2区域(42b)。
车辆用前照灯装置以及控制方法

[发明专利]车辆用前照灯装置及其控制方法-CN200910203901.X有效
发明人： 渡部隆夫;山村聪志 -专利权人：株式会社小糸制作所
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B60Q1/076 文献下载
摘要：一种车辆用前照灯装置，其改变了近光时的光照范围，提高了驾驶员对道路的识认性。该车辆用前照灯装置具有远光照射光源和对由光源产生的光照射进行控制的前照灯装置控制部。将由光源的光照射形成的配光图形PH分割为多块，前照灯装置控制部对被分割的每个区域PHa～PHe进行光照射的控制，控制成在近光用配光图形PL上进行附加的照射。
车辆用前照灯装置及其控制方法

[发明专利]信息存储装置和存储介质-CN200810184164.9无效
发明人： 渡部隆夫;新谷俊通;前田武志;广常朱美;尾藤良孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种信息存储装置，在固体状的介质的不接近表面的内部，呈三维状配置存储器单元，并使存储器单元具有依存于其空间坐标的电磁波的共振特性。上述介质选择存储器单元的透射共振频率的电磁波的材料。通过观测从介质外部所照射的电磁波的吸收波谱或吸收后的发射波谱，计算存储器单元的三维空间坐标。在利用了电磁波的共振现象的信息存储装置中，兼顾存储数据的高密度化和长期保存性。
信息存储装置介质

[发明专利]半导体集成电路装置-CN200810181438.9无效
发明人：梶山新也;品川裕;水野真;葛西秀男;渡部隆夫;竹村理一郎;关口知纪 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路装置，其即使在来自多个CPU的访问请求产生竞争时也能实现低等待时间下的访问。在X解码器(121)的后级配置了保持上述X解码器的输出信号而能传递给字线驱动器(106)的第一锁存电路(104)。在Y解码器(122)的后级配置了保持上述Y解码器的输出信号而能传递给上述Y选择电路的第二锁存电路(105)。在读出放大器(108)的后级配置了保持上述读出放大器的输出信号而能够传递给输出电路(111、112)的第三锁存电路(110)。由此，能使读取上述非易失性半导体存储器的存储数据时的一系列处理流水线化，即使是在来自多个CPU的访问请求产生竞争时，也能实现低等待时间下的访问。
半导体集成电路装置

[发明专利]信息存储装置和存储介质-CN200810170700.X有效
发明人： 渡部隆夫;新谷俊通;前田武志;广常朱美;关口知纪 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种信息存储装置和记录介质，一边使存储区MA在z轴的周围一点一点旋转，一边从与z轴正交的方向对存储区MA照射平行光线，拍摄存储区的投影像。这时，照射的光线具有至少覆盖存储区的xy平面方向的尺寸。根据上述投影像，根据计算机X射线断层摄影术的原理，在运算单元PU通过计算，求出三维分布的小区域的数据和地址。数据的写入将用放在存储区的外部的透镜OL聚光的激光照射所希望的小区域，在相应的小区域内部发生热引起的变性，从而对光的透射率或发光特性施加变化。在将存储信息的小区域配置为x、y、z方向的三维状的信息存储装置中，防止伴随着z方向的存储区的扩大的读出信号的SN比的下降，并且提供一种写入部件。
信息存储装置介质

[发明专利]半导体器件-CN200510072780.1有效
发明人：菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路-CN200410061559.1无效
发明人：布赖恩·阿特伍德;渡部隆夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11C11/405 文献下载
摘要：本发明一种提供一种使用了漏电电流小的3晶体管型动态单元的半导体集成电路。以降低待机时伴随通过3晶体管型动态单元中的存储晶体管的漏电电流的功率。在与电源端子之间设置连接构成存储器阵列的多个3晶体管型动态单元内的存储晶体管的源电极的开关。在动作时使上述开关导通，待机时使上述开关为非导通状态，由此截断待机时的漏电电流。
半导体集成电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01823596.4无效
发明人：秋山悟;渡部隆夫;松井裕一;平谷正彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2001-12-14 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：通过使用将逻辑电路(LOGIC)内的金属布线和相同层(M3)的金属布线作为电极来利用的MIM电容器，形成DRAM的存储单元电容C3，能够降低工艺成本。通过使用高电介质材料形成电容器，配置在比形成了位线(BL)的布线层更上层上，能够实现高集成化。此外，通过使用2T单元，即使在低电压中工作，也能确保充足的信号量。通过通用模拟(ANALOG)和存储器(MEM)中的形成电容器的工艺，能够用低成本来实现在一个芯片上搭载了逻辑、模拟、存储器的半导体集成电路。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器和高速缓存器-CN200410100391.0无效
发明人：鲇川一重;三浦誓士;佐藤润;渡部隆夫;柳泽一正;菅野雄介;水野弘之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1999-06-30 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：半导体存储器和高速缓存器，为使多存储体的存储器的快速存取(与前存取的字线不同的读出存取)高速化，使用多存储体构成的宏存储器，并将数据保持在各存储体的读出放大器中，当存取命中该保持数据时，输出锁存的数据，从而高速化。即使各存储体有读出放大器高速缓存功能。为进一步提高这种命中率，在存取宏存储器后，存取控制电路先行发生下一地址(加上规定的位移地址)，并把它预先读出到其它存储体的读出放大器中。
半导体存储器高速缓存

[发明专利]半导体集成电路器件-CN97181819.3无效
发明人：鲇川一重;渡部隆夫;成田进 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-02-17 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：一个存储器宏(MM)，它是下列功能模块的组合：例如一个主放大器模块(13)，每个存储器体都独立工作的存储器体模块(11)，一个电源电路(14)等。存储器宏(MM)的存储容量可以很简单地通过改变存储器体模块(11)的数量来从大容量变到小容量。在存储器宏(MM)的存储器体模块(11)中的控制电路(BKCONTH)有一个附加的地址比较功能(COMP)。因此，能够高速地访问同一页而不用任何存储器宏(MM)外部的控制电路。另外，还提供了具有例如存储器访问顺序控制功能的模块(17)，并且，当进行存储器访问时，在输入/输出地址或数据的同时产生一个标识信息(ID)。因此，通过用ID来校验数据和地址之间的一致性以及控制存储器访问顺序从而改变地址输入顺序和数据输出顺序，可以实现高速的存储器访问。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN00816937.3有效
发明人：菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。
半导体器件

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