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[发明专利]磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置-CN201410379802.8在审
发明人：井上健;清水谦治;黑川刚平;大桥荣久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
记录介质制造方法再生装置

[发明专利]磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置-CN200680049808.2有效
发明人： 清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：一种垂直磁记录介质A被设置在非磁性基底1上，至少具有软底层a、底膜5、中间膜6和垂直磁记录膜7。软磁底层a是具有非晶结构的软磁性膜。底膜5由Ni－W合金形成。中间膜6由Ru合金形成。在Ni－W合金中，Ni含量为80原子％或更大，而W含量为20原子％或更小，并且优选在1原子％至12原子％的范围内。装备有该磁记录介质A的磁记录和再现装置12的生产率优良，且能够记录和再现高密度信息。
记录介质以及使用再现装置

[发明专利]磁记录介质以及磁记录和再现装置-CN200680032934.7有效
发明人： 清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明的目标是提供磁记录介质以及磁记录和再现装置，通过优化构成软磁性衬层的软磁性层材料和衬层材料，能够记录和再现高密度数据。在本发明中，垂直磁记录介质A在非磁性基底1上至少有软磁性衬层a、衬层5、中间层6和垂直磁记录层。构成软磁性衬层a的软磁性层2、4具有非晶结构，并由饱和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金或CoFeAl合金构成。
记录介质以及再现装置

[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现装置-CN200680025096.0无效
发明人：福岛正人;村上雄二;清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质及其制造方法，以及包含这种磁记录介质的磁记录和再现装置。通过赋予理想的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)来对晶体取向进行很好的控制，能够提高生长在软磁性衬层的表面上的磁性层的膜层质量，以及能够获得可以抑制TA的产生并能实现高密度记录的SNR。所述磁记录介质包括在非磁性基底上形成的软磁性衬层、取向控制层、垂直磁记录层、以及保护层；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，所述Δθ50为1到6度。所述软磁性衬层形成在所述非磁性基底的主表面上，其中，所述主表面使用抛光带和含有胶态氧化硅研磨颗粒的浆体，通过片式纹理处理设备，一次一块基底地进行了抛光。
记录介质及其制造方法以及再现装置

[发明专利]磁记录介质的基底、磁记录介质以及磁记录和再现装置-CN200680022097.X有效
发明人：福岛正人;会田克昭;清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生，还提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，还提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。所述磁记录介质基底产品包括一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范围内，优选是落在4.0≤Ra≤50的范围内。
记录介质基底以及再现装置

[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现装置-CN200680018703.0无效
发明人：大泽弘;清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
记录介质及其制造方法以及再现装置

[发明专利]磁记录介质、其制造方法以及磁记录和再现装置-CN200580048297.8无效
发明人：大泽弘;清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
记录介质制造方法以及再现装置

[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法与磁记录和再现设备-CN200580034550.4无效
发明人： 清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
垂直记录介质制造方法再现设备

[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现设备-CN200580022116.4无效
发明人： 清水谦治 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-06-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：一种磁记录介质，包括在非磁性基底上层叠的至少一层软衬层、一层垂直磁记录膜和一层保护膜。所述非磁性基底为一个直径小于等于48mm的硅圆片。一种用于制造所述磁记录介质的方法包括在形成保护膜时在所述硅基底上施加一个偏压。可以用所述方法制造磁记录介质。可以用所述磁记录介质和一个用于在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头来制造一种磁记录和再现设备。所述磁头是一个磁单极磁头。
记录介质及其制造方法以及再现设备

[发明专利]使用抑制噪声产生的软磁层的垂直磁记录介质及利用其的垂直磁记录装置-CN200580009137.2无效
发明人：中村太;田中勉;青柳由果;清水谦治;酒井浩志;坂胁彰 -专利权人：株式会社东芝;昭和电工株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
使用抑制噪声产生软磁层垂直记录介质利用装置

[发明专利]磁记录介质及其制造方法和磁读/写装置-CN200480038388.9无效
发明人：前田知幸;及川壮一;岩崎刚之;中村太;酒井浩志;坂胁彰;清水谦治 -专利权人：株式会社东芝;昭和电工株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol％至15mol％之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti₂O₃。
记录介质及其制造方法装置

[发明专利]垂直磁性记录介质、其制造方法及磁性读取/写入装置-CN200480028831.4无效
发明人：前田知幸;及川壮一;岩崎刚之;中村太;酒井浩志;清水谦治;坂胁彰 -专利权人：株式会社东芝;昭和电工株式会社
申请日： 2004-10-05 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。
垂直磁性记录介质制造方法读取写入装置

[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录/再现装置-CN200480027438.3无效
发明人：岩崎刚之;中村太;及川壮一;前田知幸;酒井浩志;坂胁彰;清水谦治 -专利权人：株式会社东芝;昭和电工株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质10包括在非磁性基底1上层叠的至少非磁性下层2、垂直磁性层3以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物。
垂直记录介质再现装置

[发明专利]使用颗粒隔离型膜作为垫层的磁记录介质、其制造方法及利用其的磁记录/再现装置-CN200480019931.0无效
发明人：中村太;及川壮一;岩崎刚之;前田知幸;清水谦治;酒井浩志 -专利权人：株式会社东芝;昭和电工株式会社
申请日： 2004-07-13 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种具有磁记录层的磁记录介质，该磁记录层由具有改善取向性的精细晶粒制成。在非磁性基片1上依次形成软磁性层3、籽晶层4、垫层5和磁记录层7，其中籽晶层4由包含Ni的材料制成，垫层5具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且该非磁性阵列由包含Y₂O₃的材料制成。具有这种结构，改善了垫层5在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征，从而改善了在垫层上所形成的磁记录层7在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征。因此，改善了介质噪声和矫顽力，从而可以进行高密度记录。
使用颗粒隔离作为垫层记录介质制造方法利用再现装置

[发明专利]磁记录介质、其制造方法及磁记录与再现装置-CN200480015635.3有效
发明人：坂胁彰;清水谦治;小林一雄;酒井浩志;及川壮一;岩崎刚之;前田知幸;中村太 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社东芝
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
记录介质制造方法再现装置

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