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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]附着物的去除方法以及干式蚀刻方法-CN201580044038.1有效
发明人：菊池亚纪应;涉仁纪;龟田贤治;桧山真;坪田康寿 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。
附着物去除方法蚀刻以及处理装置

[发明专利]硅的干蚀刻方法-CN201480007116.6有效
发明人：菊池亚纪应;毛利勇;涉仁纪 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
蚀刻方法

[发明专利]由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法及回收装置-CN201410375846.3有效
发明人：菊池亚纪応;涉仁纪 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C01B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。
if sub 生成氟化碘化回收方法装置

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