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[实用新型]半导体器件结构-CN201821649482.3有效
发明人： Z·豪森;浅野哲郎;宫原昭二;佐山康之 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件结构，包括具有第一导电类型的半导体材料区，半导体材料区包括有源区和端接区。第一有源沟槽结构设置在有源区中，第二有源沟槽结构设置在有源区中并且通过具有第一宽度的有源台面区与第一有源沟槽横向隔开。第一端接沟槽结构设置在端接区中并且通过过渡台面区与第二有源沟槽隔开，该过渡台面区具有第二宽度并且具有的载流子电荷比有源台面区的载流子电荷高。在一个示例中，第二宽度大于第一宽度以提供更高的载流子电荷。在另一个示例中，过渡台面区中的掺杂剂浓度比有源台面区中的掺杂剂浓度高以提供更高的载流子电荷。该半导体器件结构表现出经改善的器件耐用性，包括例如经改善的无钳位感应开关(UIS)性能。
载流子电荷半导体器件结构沟槽结构过渡台面台面区源区半导体材料区掺杂剂隔开无钳位感应开关第一导电类型本实用新型沟槽横向第一端耐用性浓度比表现

[发明专利]清净化多结晶硅块破碎物的制造装置及利用该制造装置制造清净化多结晶硅块破碎物的方法-CN201580005415.0在审
发明人：西村茂树;藤井正美;川口一博;义松信昭;浅野哲郎 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造装置，能够通过吹出的气流更有效率地除去多结晶硅块破碎后混入其中的金属微粉或硅微粉等。这种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置包括：输送带，最好是网状，用以搬运多结晶硅块破碎物；吹飞用气流喷射器，设置于该输送带的移动面的上方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的微粉；以及飞跃防止用网，设置于该网状输送带的该移动面以及位于该移动面的上方的该吹飞用气流喷射器之间，防止该多结晶硅块破碎物过度弹跳。
净化结晶破碎制造装置利用方法

[发明专利]化合物半导体装置-CN200610089830.1有效
发明人： 浅野哲郎;日下佑一;榊原干人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体装置。以往，在邻近的两个元件间配置高浓度杂质区域，通过施加浮动电位或GND电位来提高两元件间的隔离的方式，在泄漏的高频信号的功率大的情况下使高浓度杂质区域的电位变动，而不能充分确保两元件间的隔离。为解决该问题，在邻近的两个元件间配置传导区域或金属层构成的分离元件。分离元件连接高电阻元件，与直流端子焊盘连接。另外，从直流端子焊盘到分离元件的连接路径成为电位不进行高频振动的路径。由此，至少一侧上高频信号传送的两元件间配置高频GND电位，防止两元件间的高频信号的泄漏。
化合物半导体装置

[发明专利]有源元件以及开关电路装置-CN200610071452.4无效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源元件和开关电路装置。将单位HBT与单位FET经由分离区域相邻配置，将多个在单位HBT的基极与单位FET的源极连接而得的单位元件而连接而构成有源元件。由此，可得到电流难以向单位元件集中，不会由二次击穿而破坏的有源元件。另外，在单位FET中为确保耐压而采用掩埋栅极结构，通过使之成为不使掩埋部向InGaP层扩散的结构可防止Pt的反常扩散。另外，在单位HBT的发射极台面、基极台面形成及突缘形成及单位FET的栅极凹陷蚀刻中可使用选择性蚀刻，再现性良好。由此，可解决在HBT中实现增加基极电流提高电流密度会引起二次击穿，导致破坏的问题。
有源元件以及开关电路装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200610074646.X无效
发明人： 浅野哲郎;榊原干人;日下佑一;石原秀俊 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：一种化合物半导体开关电路装置。在开关MMIC中，在将源极电极及漏极电极近接配置的位置产生高频信号的泄漏，存在有失真特性不良的问题。本发明的开关电路装置使栅极布线电极形成为梯形图案。另外，在开关MMIC的全部源极电极－漏极电极间配置栅极布线电极。进而在栅极布线电极和源极电极或漏极电极的交叉部，在它们之间配置相对介电常数大的氮化膜、和相对介电常数小的聚酰亚胺或中空部。由此，将交叉部的电容降低，可使二次高谐波电平降低。另外，由于可防止漏极电极－源极电极间的高频信号的泄漏，故可使三次高谐波电平降低，且可大幅提高开关MMIC的失真特性。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200610073261.1无效
发明人： 浅野哲郎;日下佑一;榊原干人;石原秀俊 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体开关电路装置，在内装有逻辑电路的化合物半导体开关MMIC中，存在有逻辑电路的E－FET、电容抗静电击穿弱的问题。在逻辑电路的逻辑电路L的控制端子Ctl－接地端子GND之间、点CP－接地端子GND之间以及电源端子VDD－接地端子GND之间分别连接保护元件(200)。由此，可防止构成倒相元件(70)的E－FET和电容Ci、Cr被来自外部的静电破坏。由于保护元件可由逻辑电路的必要结构要素构成，故不必附加特别的工序或结构即可实现。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200510131706.2有效
发明人： 浅野哲郎;榊原干人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种化合物半导体开关电路装置，在反向控制型逻辑MMIC中，将电阻配置于共通输入端子焊盘和FET之间。即，在电阻上介由氮化膜配置焊盘配线，存在焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到控制端子上，使插入损耗增加的问题。在第一及第二控制端子附近，在到第一连接装置及第二连接装置的交叉部的之间连接5KΩ以上的高电阻体。即使焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到第一及第二连接装置上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上不向控制端子焊盘传送高频模拟信号，可抑制插入损耗的增大。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200510136182.6有效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，具有为提高静电击穿电压，将控制电阻靠近共通输入端子焊盘及输出端子焊盘而配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，由于电阻值低的控制电阻和保护元件的寄生电容而产生高频信号的通路，存在绝缘劣化的问题。在与开关元件接近的保护元件间、及相邻的保护元件间的控制电阻上连接高电阻体。即使遮断高频信号的通路，并连接保护元件而存在寄生电容，也可以防止高频信号的泄漏。因此，可提高静电击穿电压，且可抑制绝缘的劣化。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]化合物半导体开关电路装置-CN200510131707.7有效
发明人： 浅野哲郎;榊原干人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，为提高静电击穿电压，有将控制电阻靠近共通输入端子焊盘配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，当输入到共通输入端子焊盘上的高频模拟信号泄漏到控制电阻上，而到达控制端子焊盘上时，存在插入损耗增大的问题。在控制端子焊盘的附近，从控制端子焊盘到保护元件之间的控制电阻上连接高电阻体。由此，即使高频模拟信号泄漏到控制电阻上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上高频模拟信号不会传递到控制端子焊盘上，可抑制插入损耗的增大。
化合物半导体开关电路装置

[发明专利]保护元件及使用保护元件的半导体装置-CN200510103842.0有效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种保护元件及使用保护元件的半导体装置，在微波FET中，内在的肖特基结电容或pn结电容减小，这些结抗静电弱。但是，在微波器件中，存在连接保护二极管产生的寄生电容的增加导致高频特性恶化，不能使用上述方法的问题。在被保护元件的端子和GND端子之间连接由第一n⁺型区域－绝缘区域－第二n⁺型区域构成的保护元件。第一n⁺型区域柱状设于衬底深度方向，第二n⁺型区域形成与第一n⁺型区域的底部相对配置的板状。由此，可通过第一电流路径、第二电流路径使非常大的静电电流流向接地电位，可几乎不使寄生电容增加，而大幅衰减达到HEMT动作区域的静电能量。
保护元件使用半导体装置

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN200510077880.3无效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-13 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种化合物半导体装置及其制造方法，以往在化合物半导体装置中，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在采用埋入栅极电极结构的情况下，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，引线接合时多有不良产生。本发明的化合物半导体装置在HEMT中不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊盘电极。焊盘电极下方设置高浓度杂质区域，将焊盘电极直接固定在衬底上。由于可利用高浓度杂质区域确保规定的绝缘，故由不要和现有同样的氮化膜的结构，可进一步避免栅极金属层硬化造成的引线接合时的不良。因此，即使是提高HEMT特性的埋入栅极电极结构，也可以实现可靠性的提高及成品率的提高。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200510077884.1有效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-13 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、配线和金属层近接的区域，存在在配线中传输的高频信号通过作为电容成分的氮化膜，作为半绝缘衬底上的耗尽层的变化，泄漏到对方的问题。在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或配线和栅极金属层相邻的间隙的区域的衬底上岛状设置浮游杂质区域。浮游杂质区域是浮置电位，遮断从氮化膜上的配线向衬底延伸的耗尽层。因此，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或氮化膜上的配线和金属层相邻的区域，可防止高频信号介由从氮化膜上的配线在衬底上延伸的耗尽层泄漏到对方一侧。
半导体装置

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN200510077883.7无效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-06-13 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：一种化合物半导体装置，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在为埋入栅极电极结构时，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，多产生引线接合时的不良。不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊盘电极。焊盘电极的下方设置高浓度杂质区域，将焊盘电极直接固定在衬底上。可利用高浓度杂质区域确保规定的绝缘，故可由现有同样的不需要氮化膜的结构，进一步避免栅极金属层硬化造成的引线接合时的不良。因此，即使是提高FET特性的栅极电极结构，也可以实现可靠性的提高、及成品率的提高。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200510073880.6无效
发明人： 浅野哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，在反向控制逻辑开关电路装置中，将控制端子和动作区域的连接装置即电阻配置在共同输入端子焊盘和FET之间。在各焊盘周边设有用于提高绝缘的杂质区域，在其和电阻等其它杂质区域近接的区域产生高频信号泄漏，插入损失增大这样的问题。在施加规定的电位且相邻的杂质区域间的衬底表面上配置漂移电位的浮动杂质区域。由此，可遮断耗尽层向相邻的杂质区域间的衬底的延伸，故可抑制高频信号的泄漏。特别是当在开关电路装置的共同输入端子焊盘的周边杂质区域和电阻之间配置浮动杂质区域时，可抑制从输入端子向高频信号GND的控制端子泄漏高频信号，抑制插入损失的增加。
半导体装置

[发明专利]保护元件-CN03801340.1有效
发明人： 浅野哲郎;榊原干人;平井利和 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种保护元件。微波FET所具有的内在肖特基结(接合)电容或PN结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，存在不能采取该方法的问题。本发明在PN结、肖特基结或具有电容的被保护元件的2端子间并联连接由第1N⁺型区域－绝缘区域－第2N⁺型区域构成的保护元件。由于可在邻近的第1、第2N⁺区域间放电，所以可不增加寄生电容而衰减整个FET工作区域中的静电能量。
保护元件

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