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- [发明专利]半导体装置-CN202180004693.X在审
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洼内源宜
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富士电机株式会社
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2021-02-17
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2022-03-11
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H01L29/739
- 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并且整体分布有第一导电型的体施主；第一导电型的高浓度区，其包括半导体基板的深度方向上的中央位置，并且施主浓度高于体施主的掺杂浓度；以及上表面侧氧减少区，其在半导体基板的内部与半导体基板的上表面接触而设置，并且越接近半导体基板的上表面则氧化学浓度越小。氧化学浓度分布可以具有氧化学浓度成为最大值的50％以上的最大值区，在高浓度区的深度方向的端部可以配置有杂质化学浓度的第一峰，第一峰可以配置在最大值区内，或者可以配置在比最大值区更靠半导体基板的上表面侧的位置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202080018058.2在审
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儿玉奈绪子;洼内源宜
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富士电机株式会社
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2020-08-11
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2021-10-22
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H01L21/308
- 在半导体晶片(10')的正面的多晶硅保护膜(21)和虚设图案用聚酰亚胺膜(22)和虚设图案上形成为了通过氦照射而向IGBT区(31)的重叠区(33)和FWD区(32)导入杂质缺陷而用作遮挡膜的抗蚀剂膜(52)。虚设图案用聚酰亚胺膜(22)(第一聚酰亚胺膜(22a))至少配置在距聚酰亚胺保护膜(21)的距离(w1)成为小于1mm的位置，并且被抗蚀剂膜(52)完全地覆盖。虚设图案用聚酰亚胺膜(22)从相邻的重叠区(33)离开而配置。相邻的虚设图案用聚酰亚胺膜(22)间的距离(w3)是小于1mm。由此，能够使用抗蚀剂膜(52)作为遮挡膜而向预定位置高位置精度地导入预定杂质，并且能够防止成本增大。
- 半导体装置以及制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN202080007299.7在审
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洼内源宜
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富士电机株式会社
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2020-05-11
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2021-08-20
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H01L29/78
- 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含第一导电型的漂移区；内侧区域，其包含设置于半导体基板的上表面与漂移区之间的第二导电型的基区，以及阱区，其掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，且从半导体基板的上表面起设置到比基区的下端深的位置为止，并被配置为在半导体基板的上表面夹着内侧区域，内侧区域具有多个沿半导体基板的上表面的预定的长边方向具有长边，并从半导体基板的上表面到达漂移区的沟槽部，至少一个沟槽部在与阱区不重叠的区域中沿长边方向分离为2个以上的部分沟槽。
- 半导体装置
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