专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体故障解析装置及半导体故障解析方法-CN202080096912.7在审
  • 活洲政敬;铃木信介 - 浜松光子学株式会社
  • 2020-11-17 - 2022-09-30 - H01L21/66
  • 本发明的半导体故障解析装置(1)具备:解析部(10),其解析半导体器件(D)的故障部位;标记部(20),其朝半导体器件(D)照射激光;器件配置部(30),其晶圆卡盘(32)相对于解析部(10)及标记部(20)相对移动,该晶圆卡盘(32)保持半导体器件(D)且设置有对准目标(50);及控制部(41b),其对解析部(10)、标记部(20)及器件配置部(30)输出命令。控制部(41b)在使晶圆卡盘(32)移动至解析部(10)能够拍摄对准目标(50)的位置后,输出以对准目标(50)为基准将标记部(20)对准解析部(10)的对准命令,在维持标记部(20)与解析部(10)的位置关系的状态下,朝半导体器件(D)照射激光。
  • 半导体故障解析装置方法
  • [发明专利]半导体故障解析装置-CN202080074955.5在审
  • 活洲政敬;荒田育男;伊藤能弘;石塚利道 - 浜松光子学株式会社
  • 2020-11-24 - 2022-06-10 - G01R31/265
  • 本发明的半导体故障解析装置(1)具备:测试器(2),其对半导体器件(100)施加刺激信号;光源(3),其产生照射于半导体器件(100)的照射光(L1);固体浸没式透镜(4),其配置于照射光(L1)的光路上;光检测部(5),其接受反射光(L2),并且输出对应于反射光(L2)的检测信号;光学系统(6),其配置于光源(3)与固体浸没式透镜(4)之间,经由固体浸没式透镜(4)对半导体器件(100)出射照射光(L1),且配置于固体浸没式透镜(4)与光学检测部(5)之间,将经由固体浸没式透镜(4)而接受的反射光(L2)出射至光检测部(5);及计算机(7),其利用检测信号获得与半导体器件(100)的故障部位相关的信息。光源(3)出射中心波长为880nm以上且980nm以下的照射光(L1)。固体浸没式透镜(4)由GaAs形成。
  • 半导体故障解析装置

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