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[发明专利]检查方法、检查装置及标记形成方法-CN202310864199.1在审
发明人：铃木信介;嶋瀬朗;铃木伸介 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
检查方法装置标记形成

[发明专利]检查方法、检查装置及标记形成方法-CN201780073132.9有效
发明人：铃木信介;嶋瀬朗;铃木伸介 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一个实施方式所涉及的检查方法，是对具有基板(SiE)及形成于基板(SiE)上的金属层(ME)的半导体器件(D)进行激光标记的检查方法，包含：通过检查半导体器件(D)，特定半导体器件(D)中的故障部位(fp)的步骤；基于故障部位(fp)，以至少在基板(SiE)与金属层(ME)的边界形成有标记的方式，自基板(SiE)侧对半导体器件(D)照射透过基板(SiE)的波长的激光的步骤。
检查方法装置标记形成

[发明专利]解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质-CN201880076287.2有效
发明人： 嶋瀬朗;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其与光传感器(12)电连接；控制装置(18)具有：测量部(25)，其取得不良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据、及良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据；计算部(26)，其在不良品的半导体器件(10)的波形数据与良品的半导体器件(10)的波形数据之间计算一致度；及解析部(28)，其基于通过计算部(26)计算的多个位置的每个位置的一致度，解析不良品的半导体器件(10)的不良部位。
解析方法装置程序以及记录存储介质

[发明专利]半导体检查方法及半导体检查装置-CN202180041063.X在审
发明人： 嶋瀬朗;毛祥光;内角哲人 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的半导体检查方法包含以下步骤：通过对半导体器件扫描激光，对激光的每一照射位置，取得表示与激光的照射相应的半导体器件的电信号的特性的特性信息，基于每一照射位置的特性信息，产生半导体器件的第1图案图像；基于半导体器件的布局图像与表示半导体器件的电流路径的电流路径信息，产生半导体器件的第2图案图像；及基于第1图案图像与第2图案图像的位置对准的结果，取得表示第1图案图像与布局图像的相对关系的匹配信息。
半导体检查方法装置

[发明专利]半导体器件检查方法及半导体器件检查装置-CN202180037685.5在审
发明人：茅根慎通;中村共则;嶋瀬朗 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-04-05 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/319 文献下载
摘要：本发明的半导体检查装置(1)具备：测定器(7)，其对半导体器件供给电力，同时测定半导体器件(S)的对应于电力的供给的电气特性；光扫描装置(13)，其对半导体器件(S)扫描以多个频率调变强度后的光；锁定放大器(15)，其取得对应于光扫描的表示多个频率成分的电气特性的特性信号；及检查装置(19)，其处理特性信号，检查装置(19)以反映半导体器件(S)中第1层(L1)的电气特性的扫描位置的特性信号的相位成分为基准，修正任意扫描位置的特性信号的相位成分，特定反映半导体器件(S)中第2层(L2)的电气特性的扫描位置的特性信号的相位成分，使用该相位成分将任意扫描位置的特性信号的相位成分标准化，输出基于经标准化的特性信号的相位成分的结果。
半导体器件检查方法装置

[发明专利]半导体器件检查方法及半导体器件检查装置-CN202180032979.9在审
发明人：茅根慎通;中村共则;嶋瀬朗;江浦茂 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-04-05 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R31/319 文献下载
摘要：本发明的半导体检查装置(1)具备：测量器(7)，其在对半导体器件(S)供给电力的同时，测量与半导体器件(S)的电力的供给相对应的电特性；光扫描装置(13)，其对半导体器件(S)扫描以多个频率强度调制的光；锁定放大器(15)，其取得表示与光的扫描相对应的多个频率成分的电特性的特性信号；及检查装置(19)，其处理特性信号。检查装置(19)求得：反映了半导体器件(S)的第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号、与反映了第2层(L2)的电特性的扫描位置的特性信号为规定的相位差的频率，并且以反映了第1层(L1)的电特性的扫描位置的特性信号的相位成分为基准，修正任意的扫描位置的特性信号的相位成分，输出在求得的频率的任意的扫描位置的特性信号的同相成分及正交成分。
半导体器件检查方法装置

[发明专利]半导体器件检查装置及半导体器件检查方法-CN201780066179.2有效
发明人：松本彻;嶋瀬朗 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/302 文献下载
摘要：本发明的半导体器件检查装置是基于相应于对于作为被检查体的半导体器件的测试图形信号的输入而输出的结果信号而检查该半导体器件的装置，其包含：超声波振子，其与半导体器件相对地配置，且产生超声波；载台，其使半导体器件与超声波振子的相对位置移动；刺激条件控制部，其控制对半导体器件赋予的超声波所引起的刺激的条件；及解析部，其基于自半导体器件输出的结果信号产生测定图像。
半导体器件检查装置方法

[发明专利]晶圆搬送单元及晶圆搬送方法-CN202080094175.7在审
发明人： 嶋瀬朗;石塚利道;活洲政敬 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的故障解析单元是在半导体故障解析装置中一边保持一边搬送晶圆的晶圆搬送单元，并且具备：载置台，其将晶圆固定于规定的观察位置；及晶圆卡盘，其保持晶圆并搬送至观察位置，晶圆卡盘具有设置为与晶圆的侧面相对的多个保持构件(突出部)，通过多个保持构件夹持晶圆(W)的周部而保持晶圆。
晶圆搬送单元方法

[发明专利]光测量方法、光测量装置、光测量程序以及存储光测量程序的存储介质-CN201880076257.1在审
发明人： 嶋瀬朗;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明的半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的DUT即半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其电连接于光传感器(12)；且控制装置(18)具有：数据读取部(23)，其读取表示半导体器件(10)的掩模布局的掩模数据；探索部(24)，其基于掩模数据所含的半导体器件(10)的栅极层的多边形数据，探索半导体器件(10)的晶体管的位置；设定部(25)，其将探索到的晶体管的位置设定为光检测对象的位置；及测量部(26)，其对经设定的光测量对象的位置执行光测量而取得测量结果。
测量方法测量装置程序以及存储介质

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054964.8无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054977.5无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序-CN200680054968.6无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
半导体不良分析装置方法以及程序

[发明专利]半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析程序-CN200680022711.2无效
发明人：真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏;武田雅裕 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G01R31/302 文献下载
摘要：由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。
半导体不良解析装置方法程序

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