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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211077745.9在审
发明人：安智薰;金丙上;洪承范 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式可以提供能够在保持电容器的上电极的厚度的同时通过增加连续性来覆盖电介质层的整个表面的半导体器件及其制造方法。此外，本发明的实施方式可以提供能够减轻下电极的弯曲的半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个实施方式，一种半导体器件包括：形成在衬底上方的下电极结构；形成在下电极结构上方的电介质层；以及形成在电介质层上并且包括与电介质层接触的含硅非晶层的上电极结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]全向轮及包括该全向轮的运动装置-CN201911111316.7有效
发明人：崔元准;李宰旭;元钟植;俞载元;许正大;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B60B19/12 文献下载
摘要：本发明提供一种全向轮及包括该全向轮的运动装置，所述全向轮包括：中心轮，被构造为围绕沿第一方向延伸的第一旋转轴线旋转；多个外围轮，沿着中心轮的周向布置并被构造为围绕沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二旋转轴线旋转；以及多个可变支撑件，设置在中心轮上并被构造为分别支撑所述多个外围轮。所述多个可变支撑件中的至少一个可变支撑件被构造为：当冲击力施加到所述多个外围轮中的由所述多个可变支撑件中的所述至少一个可变支撑件支撑的至少一个外围轮时，通过改变中心轮与所述多个外围轮中的所述至少一个外围轮之间的距离来吸收冲击。
全向包括运动装置

[发明专利]配备杀菌以及干燥功能的牙刷杀菌器-CN202011428444.7在审
发明人：李相勳;洪承范 -专利权人：您好李先生股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种配备杀菌以及干燥功能的牙刷杀菌器，尤其涉及一种携带方便且在内部配备紫外线(UV)灯以及加热组件，从而可以在短时间内对所插入的牙刷毛进行杀菌以及干燥的配备杀菌以及干燥功能的牙刷杀菌器。
配备杀菌以及干燥功能牙刷

[发明专利]可穿戴装置及其操作方法-CN201510487208.5有效
发明人： 洪承范;洪性旭;李承勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：可穿戴装置及其操作方法。提供一种可穿戴装置，该可穿戴装置包括：主体，其被配置为穿戴在用户的身体的特定部位上；感测单元，其被设置在所述主体中，感测用户的生物信号；存储单元，其收集与所述生物信号有关的日志信息，并且存储包括在收集的日志信息中的与用户的状态有关的指数模式；控制器，其利用存储的指数模式来设定参考驾驶指数，其中，当感测到用户进入车辆时，控制器基于设定的参考驾驶指数来确定与在用户进入车辆之前和进入车辆之后感测到的生物信号相对应的当前驾驶指数，并且输出通知与确定的结果对应的用户的状态的反馈。
穿戴装置及其操作方法

[发明专利]终端及其控制方法-CN201310319717.8有效
发明人：全兑泳;姜来勋;黄仁龙;洪承范;张丞镇;金成优;洪圭锡 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本发明提供了一种终端及其控制方法。终端包括：被构造为包在手腕的至少一个区域上并且可拆卸地形成的主体；布置在主体的一个表面中并且被构造为感测穿过手腕的肌腱与手腕中的至少一个的运动的感测单元；以及控制器，其被构造为生成用于控制外部装置以执行之前匹配到感测到的肌腱与手腕中的至少一个的运动的功能的控制信号。
终端及其控制方法

[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-CN201210194943.3无效
发明人：全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
提高电场传感器灵敏度方法存储设备再现

[发明专利]电场信息读头、电场信息写/读头及其制造方法以及使用其的信息存储装置-CN200780026478.X无效
发明人：丁柱焕;高亨守;朴弘植;洪承范;金庸洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
电场信息及其制造方法以及使用存储装置

[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-CN200810086943.5无效
发明人：全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
提高电场传感器灵敏度方法存储设备再现

[发明专利]铁电信息存储介质及其制造方法-CN200810142887.2无效
发明人：西蒙·比尔曼;张银珠;田信爱;洪承范;金容宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。
信息存储介质及其制造方法

[发明专利]铁电薄膜的制造方法以及铁电记录介质的制造方法-CN200710101992.7无效
发明人：西蒙·比尔曼;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：提供了一种具有良好结晶度、改善的表面粗糙度和高密度数据存储容量的铁电薄膜及其制造方法，以及包括该铁电薄膜的铁电记录介质的制造方法。所述铁电薄膜的制造方法包括：在衬底上形成非晶TiO₂层；在所述非晶TiO₂层上形成PbO(g)气氛；以及在400至800℃的温度下使所述TiO₂层与PbO(g)反应从而在衬底上形成具有1至20nm的纳米晶粒结构的PbTiO₃铁电薄膜。
薄膜制造方法以及记录介质

[发明专利]信息存储介质及其制造方法以及信息存储设备-CN200810005438.3有效
发明人： 洪承范;西蒙·比尔曼;田信爱;左圣薰;张银珠;金容宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G11B9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。
信息存储介质及其制造方法以及设备

[发明专利]具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200710186767.8有效
发明人：高亨守;丁柱焕;洪承范;朴哲民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。
具有电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]具有高分辨率电阻尖端的半导体探针和制造其的方法-CN200610142809.3有效
发明人：丁柱焕;金俊秀;申炯澈;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社;首尔国立大学校产学协力财团
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
具有高分辨率电阻尖端半导体探针制造方法

[发明专利]具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200710096631.8有效
发明人：丁柱焕;李载泓;申炯澈;金俊秀;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力财团
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
具有电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]具有楔形电阻性尖端的半导体探针及其制造方法-CN200710092110.5有效
发明人：高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
具有楔形电阻尖端半导体探针及其制造方法

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