“洪坰国”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双面冷却型半导体器件-CN202211111263.0在审
发明人：金永锡;洪坰国 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开提供一种双面冷却型半导体器件，该双面冷却型半导体器件包括：第一电路基板和第二电路基板；半导体元件，接合到第一电路基板的控制电极；第一间隔件，设置在第一电路基板与半导体元件之间，接合到第一电路基板并接合到半导体元件；以及第二间隔件，设置在第二电路基板与半导体元件之间，接合到第二电路基板并接合到半导体元件。
双面冷却半导体器件

[发明专利]用于车辆的功率模块-CN201711273586.9有效
发明人： 洪坰国;金永锡 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了用于车辆的功率模块。一种用于转换功率的车辆功率模块包括：引线框，其被配置为从外部接收功率或者向外部输出功率；以及基板，其被配置为与所述引线框接合。所述基板包括：图案层，其被设置为电连接到所述引线框；导电层，其被设置为远离所述图案层并且被配置为电接地；以及绝缘层，其设置在所述导电层和所述图案层之间，以使所述图案层与所述导电层绝缘。所述图案层比所述绝缘层更朝着所述引线框突出。
用于车辆功率模块

[发明专利]电力模块和适用于电力模块的基板结构-CN202010730802.3在审
发明人： 洪坰国;金永锡 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种适用于电力模块的基板结构。适用于电力模块的基板结构包括上基板和下基板，其中下基板包括：器件区域，多个半导体器件设置在器件区域上；源信号电极，将源信号传输到半导体器件；以及栅信号电极，将栅信号传输到半导体器件，源信号电极和栅信号电极中的一个通过导电柱连接到上基板，并且通过源信号电极和栅信号电极中的一个传输的信号通过上基板传输到半导体器件。
电力模块适用于板结

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410415577.9有效
发明人：千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n‑型外延层；布置在第一n‑型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n‑型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n‑型外延层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201410484433.9有效
发明人：千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在n‑型外延层上；n型外延层，布置在n‑型外延层和第一p+区上；第二p+区，布置在n型外延层上，并且与第一p+区相接触；肖特基电极，布置在n型外延层和第二p+区上；以及欧姆电极，布置在n+碳化硅基板的第二表面上，其中第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个垂直部的两端彼此连接的水平部，垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个第一部的第二部、以及多个连接第一部和水平部的第三部，并且第二部和第三部被定形为类杆状。
肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]肖特基势垒二极管和用于制造肖特基势垒二极管的方法-CN201310757126.9有效
发明人：郑永均;千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管及制造肖特基势垒二极管的方法。该二极管包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n‑型外延层；和设置在上述n‑型外延层内的多个p+区域。n+型外延层设置在上述n‑型外延层上，肖特基电极设置在上述n+型外延层上，欧姆电极设置在上述n+型碳化硅衬底的第二表面上。上述n+型外延层包括设置在上述n‑型外延层上的多个柱形部和设置在上述柱形部之间且露出上述p+区域的多个开口。每个柱形部包括接触上述n‑型外延层的大致直线部、和从上述大致直线部延伸的大致曲线部。
肖特基势垒二极管用于制造方法

[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201310757047.8有效
发明人：李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n‑型外延层；设置在n‑型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n‑型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n‑型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n‑型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。 1
外延层碳化硅衬底第一表面肖特基势垒二极管肖特基二极管肖特基电极第二表面欧姆电极分隔垂直延伸制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310593999.0有效
发明人：李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括碳化硅(SiC)的半导体器件及其制造方法。本发明利用沟槽栅极来增加碳化硅MOSFET中的沟道的宽度。与传统技术相比，根据本发明的示例实施例，可以通过在沟槽的两侧上形成多个延伸到p型外延层的突起来增加沟道的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310438998.9有效
发明人：李钟锡;洪坰国;千大焕;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n‑型外延层；布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201210120057.6有效
发明人：李钟锡;洪坰国 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开的是配置为将集中到栅氧化膜的电场减小并将在器件进行向前动作时所产生的导通电阻降低的LDMOS器件及其制造方法。更具体地，当将n‑漂移区形成在P‑型基底上时，通过外延工艺将p‑基体形成在n‑漂移区上，然后将该p‑基体区域部分蚀刻，以形成为多个p‑外延层，使得当器件执行用于阻断反向电压的动作时，在包括n‑漂移区与p‑基体之间的接合面的p‑外延层与n‑漂移区的接合面之间形成耗尽层。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率模块-CN201610528274.7在审
发明人：金永锡;卢炫祐;洪坰国;姜修槟 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高高温条件下的结构稳定性和可靠性的功率模块，起包括上衬底，其具有金属层；下衬底，其与上衬底隔开，并具有面对上衬底的金属层的金属层；半导体元件，其配置成布置在上衬底和下衬底之间；以及，至少一个支脚部，其在上衬底的金属层和下衬底的金属层中的至少一者上形成，从而以预定的间隔将上衬底与下衬底彼此隔开，其中，支脚部可将半导体元件与上衬底的金属层或下衬底的金属层电连接。
功率模块

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201510711838.6在审
发明人：千大焕;李钟锡;朴正熙;洪坰国;郑永均 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明概念涉及半导体器件，且更具体地，涉及能够通过减少阻抗来提高电流量的半导体器件，以及制造所述半导体器件的方法。半导体器件包括置于n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层；置于所述n-型外延层上的n+型区；置于所述n-型外延层和所述n+型区中的第一沟槽和第二沟槽；分别置于所述第一沟槽和第二沟槽内部的第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；分别置于所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上的第一栅极和第二栅极；置于所述第一沟槽和第二沟槽中一者的两侧的p-型区；置于所述第一栅极和第二栅极上的氧化膜；置于所述n+型区和所述氧化膜上的源极；以及置于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中在所述第一沟槽的两侧上设置有第一沟道，并且在所述第二沟槽的两侧上设置有第二沟道。
半导体器件制造方法

[发明专利]利用银膏进行粘结的方法-CN201510600204.3在审
发明人： 洪坰国;卢炫祐;郑永均;千大焕;李钟锡;姜修槟 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种利用银膏进行粘结的方法，包括：将银膏涂覆在半导体器件或者基板上。该银膏包含银和铟。将半导体放置在基板上。对银膏进行加热以形成粘结层。半导体器件与基板通过粘结层彼此粘结。铟以40摩尔％或者更少的摩尔％被包含在银膏中。
利用进行粘结方法

[发明专利]使用银浆料进行结合的方法-CN201510530833.3在审
发明人： 洪坰国;卢炫祐;郑永均;千大焕;李钟锡;姜修槟 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开一种使用银浆料进行结合的方法，该方法包括使用银浆料涂覆半导体器件或基板。该银浆料包含多个银颗粒和多个铋颗粒。该方法还包括将半导体器件布置在基板上以及通过加热银浆料来形成结合层，其中半导体器件和基板通过结合层相互结合。
使用浆料进行结合方法

[发明专利]接合银浆的方法-CN201410482929.2在审
发明人： 洪坰国;郑永均;李钟锡;千大焕;姜修槟 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种接合银浆的方法。该方法包括制备含有银粉末和铅粉末的银浆，以及加热银浆。然后接合银粉末。
接合方法

1
2
下一页»
尾页
共 25 条