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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]互连结构及其形成方法-CN202210557185.0在审
  • 蔡曜任;张志福;洪圣强;柯锦源 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-05-20 - 2022-11-22 - H01L23/528
  • 描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括：第一金属间介电(IMD)层，设置在多个导电部件上方；以及第一无源组件，设置在衬底的第一区域中的第一IMD层上。结构还包括：第二无源组件，设置在衬底的第二区域中的第一IMD层上。第二无源组件包括第一导电层，并且第一导电层具有第一厚度。结构还包括：第二IMD层，设置在第一区域中的第一无源组件上以及第二区域中的第二无源组件和部分第一IMD层上。第二IMD层具有范围在从第一厚度的约五倍至约20倍的第二厚度。
  • 互连结构及其形成方法
  • [发明专利]场效晶体管的制作方法及场效晶体管-CN201010612269.7有效
  • 洪圣强;黄怀莹;王屏薇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-12-17 - 2011-10-12 - H01L21/336
  • 本发明是关于场效晶体管的制作方法及场效晶体管。此方法包含对半导体基板进行袋型布植。之后，在半导体基板上形成多晶硅层。图案化多晶硅层以形成多晶硅栅极。此场效晶体管包含第一型掺质的井，其形成于半导体基板中；金属栅极位于半导体基板上且位于井的上方；通道形成于半导体基板中且位于金属栅极下；数个相对于第一型掺质的第二型掺质的源极区与漏极区，这些源极区与漏极区形成于半导体基板中且位于通道的相对侧上；以及第一型掺质的袋型掺杂轮廓，此袋型掺杂轮廓定义在井中，以自源极区到漏极区之间形成连续且均匀的掺杂区。
  • 晶体管制作方法
  •  1 
  • 共 5 条
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