“津田有三”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化物半导体激光元件及半导体激光装置-CN201911208715.5有效
发明人：野口哲宽;谷善彦;谷本佳美;津田有三 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
氮化物半导体激光元件装置

[发明专利]半导体激光元件-CN202010072729.5有效
发明人：高仓辉芳;谷本佳美;谷善彦;津田有三 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
半导体激光元件

[发明专利]半导体激光元件-CN202011463650.1在审
发明人：野口哲宽;谷善彦;津田有三 -专利权人：夏普福山激光株式会社
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：半导体激光元件(100)的基板(2)具有与波导(31)延伸的规定方向(Y方向)交叉延伸的多个空间部(43)。多个空间部(43)的至少两个空间部的至少一部分以沿Y方向重叠的方式设置,各空间部(43)的X方向的长度比半导体激光元件(100)的X方向的长度短。
半导体激光元件

[发明专利]半导体激光元件-CN202011475947.X在审
发明人：野口哲宽;谷善彦;津田有三 -专利权人：夏普福山激光株式会社
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：半导体激光元件(100)具备基板(10)、第一导电型半导体层(21)、活性层(22)、第二导电型半导体层(23)、脊部(24)、电介质层(31)、金属层(33)、导电部(32)。导电部(32)将第二导电型半导体层(23)的至少除脊部(24)以外的区域与金属层(33)电连接。
半导体激光元件

[发明专利]氮化物半导体激光元件-CN201811246829.4有效
发明人：驹田聪;津田有三 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]氮化物半导体激光元件-CN200980126170.1无效
发明人：太田征孝;伊藤茂稔;津田有三;麦华路巴武吕;高桥幸司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]氮化物半导体激光器件-CN200710153168.6无效
发明人： 津田有三;花冈大介;石田真也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
氮化物半导体激光器

[发明专利]制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件-CN200510119979.5无效
发明人：荒木正浩;山田英司;汤浅贵之;津田有三;阿久津仲男 -专利权人：夏普株式会社;大阳日酸株式会社
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含III族元素的源气体和V族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使III族元素的源气体和V族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使III族元素的源气体和V族元素的源气体更均匀地混合。
制造氮化物半导体装置方法获得半导体激光器

[发明专利]氮化物半导体激光器件-CN200510072704.0有效
发明人： 津田有三;花冈大介;石田真也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
氮化物半导体激光器