专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310975730.2在审
  • 汪逸航;朱子凡 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-09-19 - H01L23/528
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。本公开的半导体结构包括:衬底以及依次层叠于衬底的表面上的第一介质层、第二介质层和轮廓改善层,第一介质层、第二介质层和轮廓改善层的材料均包括含碳的低K介质材料。第一介质层的含碳量大于第二介质层的含碳量,第二介质层的含碳量大于轮廓改善层的含碳量。轮廓改善层、第二介质层和第一介质层中设置有贯穿的金属互连凹槽。半导体结构中还包括导电层,导电层设置于金属互连凹槽内。上述半导体结构能够通过刻蚀制备槽壁笔直程度较高的金属互连凹槽,能够得到较小的金属线间的寄生电容,进而实现较低的芯片的延迟。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202310104747.0有效
  • 汪逸航;匡定东;闫冬;韦钧;康佳;李伟 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-07-04 - H01L21/768
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制作方法,涉及半导体技术领域,半导体结构的制作方法包括:将目标结构置于反应腔中,向反应腔中通入第一反应气体和第二反应气体;将反应腔内的工艺条件调节为第一工艺条件,第一反应气体和第二反应气体在目标结构上形成低介电材料层;将第一工艺条件调节为第二工艺条件,第一反应气体和第二反应气体在低介电材料层上形成保护层。本公开在制作过程中无需转移目标结构,在同一反应腔中形成低介电材料层和保护层,不仅节省了一个沉积腔室,还减少了沉积步骤,提高了制程效率、减少了制程时间,降低了生产成本;保护层能够保护低介电材料层的顶面轮廓,避免刻蚀过程中在低介电材料层的顶面形成“尖角”轮廓。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构的制作方法-CN202210030210.X在审
  • 李伟;闫冬;王梓杰;汪逸航 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-12 - 2022-04-15 - H01L21/28
  • 本公开提供一种半导体结构的制作方法,所述半导体结构的制作方法包括:提供基底,所述基底上包括第一介质层;采用持续模式的氮化工艺,对所述第一介质层进行第一次氮化处理,以形成第一掺杂层;采用断续模式的氮化工艺,对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理,以形成第二掺杂层;其中,所述第一次氮化处理的掺杂深度大于所述第二次氮化处理的掺杂深度,且所述第二掺杂层顶部的掺杂浓度大于所述第二掺杂层底部的掺杂浓度。在本公开中,将持续模式的氮化工艺和断续模式的氮化工艺相结合,能够同时控制掺杂层中氮元素的掺杂深度和氮浓度分布,从而提高半导体结构的介电常数和稳定性。
  • 半导体结构制作方法

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