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[发明专利]一种低温超声雾化热解沉积锂掺杂立方相SnO₂薄膜的方法-CN201510876448.4在审
发明人：郭一欣;程文娟;江锦春;左少华;石富文;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温超声雾化热解沉积锂掺杂立方相SnO₂薄膜的方法，该方法以氯化亚锡为溶质、无水乙醇与去离子水为溶剂、无机锂盐为掺杂剂混合成溶液，将溶液置于雾化罐中，衬底设置于夹具中，对衬底进行超声雾化热解喷涂，得到沉积于衬底上透过率导电性优良的SnO₂薄膜。锂离子以间隙离子的形式存在于SnO₂晶格间隙中，可提供一个导电电子，提高自由载流子的浓度，提升透明导电薄膜的综合性能。本发明采用高频超声波来雾化前驱溶液，可获得细小、均匀的雾气，通过对垂直衬底夹具的改进，能降低制备所需温度，节约能源，保护加热平台；本发明能在较低压力和较低温度下制备立方相二氧化锡薄膜。
一种低温超声雾化沉积掺杂立方 sno sub 薄膜方法

[发明专利]一种超声辅助制备CdS薄膜的方法-CN201410563951.X无效
发明人：褚君浩;孙雷;马建华;姚娘娟;江锦春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声辅助制备CdS薄膜的方法，该方法是在薄膜生长过程中直接对衬底施加超声振动，以减少现有制备方法在CdS薄膜中形成的孔洞和表面沉积的颗粒。本发明方法的优点是：所生长的CdS薄膜均匀致密，表面极少有CdS颗粒吸附，提高了薄膜太阳能电池效率。该方法还可同时进行多个衬底的CdS薄膜沉积，提高工作效率。
一种超声辅助制备 cds 薄膜方法

[发明专利]一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法-CN201110404998.8无效
发明人：褚君浩;曹鸿;王善力;江锦春;邬云骅;潘健亮;张传军;葛杰 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法。该方法基于射频磁控溅射，采用复合结构生长Cd1-xZnxTe复合薄膜。通过调节沉积的Zn膜的厚度，经过快速退火，使Cd、Zn和Te晶粒相互扩散，从而达到增加Cd1-xZnxTe薄膜中Zn含量的目的。采用本发明的方法制备的Cd1-xZnxTe薄膜均匀性好，表面平整度高，结晶性好，晶粒取向度高，结构致密，薄膜组分可控，易于制备高禁带宽度、大面积高质量的Cd1-xZnxTe薄膜。
一种宽度可调碲锌镉薄膜材料制备方法

[发明专利]具有渐变带隙结构的碲锌镉薄膜太阳能电池-CN201110173862.0无效
发明人：曹鸿;江锦春;胡古今;王善力;褚君浩 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有渐变带隙结构的碲锌镉薄膜太阳能电池，包括：玻璃衬底，在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层、n型CdS窗口层、p型Cd1-xZnxTe吸收层、背电极层。其中p型Cd1-xZnxTe吸收层由三个区域组成，中间区域的带隙不变，主要是用来增强对太阳峰值光谱的吸收，两侧的二个区域是渐变带隙结构，用于拓宽太阳光谱的吸收范围，这种结构可以降低电池载流子的背表面复合速率，改善电池背电极的欧姆接触，提高电池的开路电压和短路电流，从而提高电池的性能。
具有渐变结构碲锌镉薄膜太阳能电池

[实用新型]用于等离子体增强化学气相沉积设备的多腔室气路系统-CN201020653887.1无效
发明人：褚君浩;张传军;江锦春;庄春泉 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于等离子体增强化学气相沉积设备的多腔室气路系统，该系统包括：八种气路，分别为H2气路、Ar气路、CH4气路、PH3气路、SiH4气路、GeH4气路、TMB气路和NF3气路。设置氩气吹扫气路可对腔室和气路进行清洗。设置NF3气路可对电极进行清洁。设置机械泵抽气系统，有抽真空和过压放气的作用。全部气路设计能够满足硅基薄膜太阳能电池制备工艺对于气体的要求，安全可靠。
用于等离子体增强化学沉积设备多腔室气路系统

[发明专利]CdTe太阳能电池的复合透明导电薄膜及制备方法-CN201110046949.1无效
发明人：褚君浩;梁艳;马建华;朱晓晶;王善力;江锦春;姚娘娟 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdTe太阳能电池的复合透明导电薄膜及制备方法，该复合透明导电薄膜由绿色环保的ZnO:Al和Zn2SnO4构成，该方法通过磁控溅射生长及高温快速退火处理形成复合透明导电薄膜。本发明的优点是：薄膜材料具有无毒、来源丰富、价格便宜；Zn2SnO4薄膜既能解决电池的有源层与透明导电膜层之间的粘连性差的问题，又能解决CdS带隙太窄的问题，同时还能淡化CdS厚度对电池性能的影响，提高CdTe电池在整个有效波段的量子效率。ZnO:Al、Zn2SnO4结构的复合薄膜具有低电阻率和高透射率，是一种适合CdTe太阳能电池的新型透明导电薄膜。
cdte 太阳能电池复合透明导电薄膜制备方法

[发明专利]氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法及专用靶材-CN201110046931.1无效
发明人：褚君浩;梁艳;马建华;朱晓晶;姚娘娟;王善力;江锦春 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法及专用靶材，该方法用V2O5作为ZnO的掺杂材料并制备成陶瓷靶材，用高纯Ar对衬底进行等离子体反溅射清洗，而后低温生长掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是利用V5+替代Zn2+离子，V5+与Zn2+之间的价态差为3，可提供3个导电电子，进而在低掺杂剂量的情况下可提供足够的自由载流子，有效降低电离杂质散射，提高电子迁移率，提高透明导电薄膜的综合性能。同时低温生长实现了在有机聚合物等柔性衬底材料上的生长，为在柔性光电器件应用方面提供了更宽广的空间。等离子体反溅射处理衬底表面，有利于在低温条件下生长出高质量的薄膜。
氧化锌透明导电薄膜低温制备方法专用

[发明专利]一种用于太阳能电池的铜铟硒硫薄膜的制备方法-CN201010277868.8无效
发明人：左少华;江锦春;崔艳峰;禇君浩 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的CuInSe2-xSx薄膜的制备方法。该方法是基于电化学共沉积前驱体薄膜、硫化或硒化处理两个步骤。本发明方法所涉及的制备设备简单、反应条件温和，极大地降低了薄膜的制备成本。此外，本发明方法还有一个显著的特征，即容易通过改变制备参数来调整CuInSe2-xSx薄膜中Se与S的含量(x的取值范围为0～2)，从而改变薄膜的相关性能，如禁带宽度，以满足实际需要。
一种用于太阳能电池铜铟硒硫薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法-CN201010237578.0有效
发明人：褚君浩;马建华;姚娘娟;朱晓晶;王善力;江锦春 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法。它是采用化学溶液方法将铜、铟、镓的硝酸盐或氯化盐溶于醇类，将高纯硒粉溶于胺类，按一定原子组分比将两份溶液混溶在一起，并加入适量的粘度调节剂，配成稳定的前驱体溶液。采用非真空工艺在衬底上制备前驱体薄膜，然后低温热处理前驱体薄膜，最后采用固态源硒化工艺，制备得到目标CuIn1-xGaxSe2薄膜材料。本发明的特点是操作简单，成本低廉，制备过程环境友好，原料利用率高，薄膜组分可控，易于制备大面积高质量的CIGS薄膜。
一种铜铟镓硒薄膜材料制备方法

[发明专利]铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及制备方法-CN200810208231.6无效
发明人：褚君浩;江锦春;石富文 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及制备方法，该电池包括玻璃衬底，在玻璃衬底上依次沉积有金属背电极层、P型Cu₂ZnSnS₄(CZTS)吸收层、n型CdS缓冲层、透明导电氧化物薄膜窗口层。该方法包括P型Cu₂ZnSnS₄吸收层的特殊后处理。本发明的优点是将CZTS替代CIGS作为新型薄膜太阳电池吸收层材料。CZTS中的Zn和Sn元素在地壳中的丰度分别为75ppm和2.2ppm，资源丰富且因不含毒性成分而对环境友好，从而成为最具发展潜力的低成本、无污染的新型薄膜太阳电池。
铜锌锡硫化半导体薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法-CN200810043520.5有效
发明人：褚君浩;江锦春;石富文 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，该方法采用Ba(dfhd)₂(tetraglyme)、Sr(dfhd)₂(tetraglyme)、TTIP－Ti(OC₃H₇)₄作为前驱物，用氧气作为反应气体，用氩气作为运载气体，采用两阶段生长法快速沉积钛酸锶钡(BST)薄膜，即在650－700℃为成核阶段，在800－850℃为生长阶段，然后在400－600℃有氧的气氛中进行热处理。由于从成核阶段到生长阶段采用快速升温，可以消除不理想的晶核形成和扩散过程。因此，采用本发明的方法得到了具有高度取向，粒度大小均匀的BST薄膜。该薄膜是用于动态随机存取存储器、单片微波集成电路、介质移相器、压控滤波器、非制冷红外焦平面阵列的理想材料。
一种钛酸锶钡薄膜材料制备方法

[发明专利]碲锌镉薄膜太阳能电池-CN200810037157.6有效
发明人：褚君浩;江锦春;石富文 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉薄膜太阳能电池，该电池包括：玻璃衬底，在玻璃衬底上依次沉积有透明导电氧化物前电极层、n型CdS窗口层、p型Cd_1－xZn_xTe吸收层、P型ZnTe∶Cu背接触电极层。本发明的优点是：p型Cd_1－xZn_xTe吸收层是一个渐变带隙的吸收层，通过渐变带隙来拓宽太阳能电池的响应波段。利用P型Cd_1－xZn_xTe吸收层具有较低的功函数特征，当其与背接触电极层ZnTeCu结合时，能有效解决其欧姆接触问题，从而提高了这种电池的光电转换效率和稳定性。
碲锌镉薄膜太阳能电池

[发明专利]含镧介孔分子筛除砷吸附剂及其制备方法-CN200710042509.2无效
发明人：蓝闽波;江锦春;邬贤波;袁慧慧;赵红莉 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镧介孔分子筛除砷吸附剂及其制备方法，所述吸附剂，由具有两套互不相连的三维孔道结构的介孔氧化硅MCM－48和负载在其上的镧所组成，镧的重量含量为1.17～9.80％，表面积为202－732m²/g，平均孔径为2.7－3.2nm，孔体积为0.2－0.7ml/g。本发明的含镧介孔分子筛比表面积大、孔径分布窄、稳定性高、性能良好，具有高容量、高选择和高吸附率、高机械强度、可再生利用，制备工艺简单，制备成本低廉。
含镧介孔分子筛除吸附剂及其制备方法

[发明专利]一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法-CN200410009367.6无效
发明人： 江锦春;沈德忠 -专利权人：清华大学
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法属于无机非金属材料领域。其主要内容是利用氢氧化锌作前驱物，用氨水作矿化剂，在高压釜中加热来生长氧化锌晶体。加热方式可以是微波加热，也可以是电阻丝加热；长出的晶体可以是氧化锌纳米纤维，也可以是大块氧化锌单晶。本发明的优点是工艺简单、成本低，可以通过改变工艺条件来控制氧化锌晶体的大小。
一种用水热法生长氧化锌单晶体方法

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