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[发明专利]半导体制造设备尾气处理系统和尾气处理方法-CN202310869672.5在审
发明人：刘潇;朱明星;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01D53/76 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体制造设备尾气处理系统，包括：反应腔室，其排出的尾气中包含砷和/或磷；尾气管道，接收反应腔室排出的尾气；过滤器，与反应腔室通过尾气管道连接，用于过滤反应腔室排出的尾气；其中，在反应腔室和过滤器之间的尾气管道上连接活性砷磷去除装置,所述活性砷磷去除装置包括气路系统，连接至反应腔室和过滤器之间的尾气管道上，用于向尾气管道中输送与活性As和/或P发生氧化反应的氧化性气体,以消除尾气中的活性砷和/或磷。本发明通过在尾气系统中设置活性砷磷去除装置，消除尾气中的活性砷和/或磷，提高了设备清理维护的安全性；同时反应后的氧化物更易被过滤器过滤，提高了尾气过滤的效率。
半导体制造设备尾气处理系统方法

[发明专利]一种砷化镓激光光伏电池及其制备方法-CN202011359049.8有效
发明人：朱明星;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本公开涉及一种砷化镓激光光伏电池，包括至少一个砷化镓子电池，每个所述砷化镓子电池包括由基区材料构成的基区和由发射区材料构成的发射区，其中，所述基区材料的禁带宽度适于吸收激光源发出的激光，所述发射区材料的禁带宽度大于1.54ev。根据本发明实施例的GaAs激光光伏电池及其制备方法，电池的发射区采用禁带宽度大于1.54eV的材料，不会吸收激光源发出的激光，只有基区作为激光吸收层，因而降低了电池吸收层厚度设计和优化难度，有利于减小吸收层厚度误差，提升电池性能。
一种砷化镓激光电池及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法-CN202211597471.6有效
发明人：孙浩然;褚君浩;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。所述半导体器件激光钝化设备包括：载物台，用于承载半导体器件；第一定位组件，用于确定半导体器件上的异常部位的位置；激光发射系统，用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理；以及控制装置，用于控制半导体器件移动到载物台上的相对于激光束照射的目标位置。利用本申请的半导体器件激光钝化设备和钝化方法可实现对半导体器件上的异常部位的精准钝化。
一种半导体器件激光钝化设备方法

[外观设计]太阳能电池-CN202230629495.X有效
发明人：蒋晶;吴志猛 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： 13-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：太阳能电池。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于太阳能发电。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品形状、图案及其结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。5.设计1左右视图对称，省略右视图;设计1俯仰视图对称，省略仰视图;设计2左右视图对称，省略右视图;设计2俯仰视图对称，省略仰视图;设计3左右视图对称，省略右视图;设计3俯仰视图对称，省略仰视图。6.指定设计1为基本设计。7.外观设计产品为薄形件。
太阳能电池

[发明专利]一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备-CN202310560736.3在审
发明人：贾松霖;周鹏程;陈亮;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备，晶振膜厚监控装置包括：晶振盘；沿圆周方向间隔布置在晶振盘上的多个晶振片；以及晶振盖板，所述晶振盘可相对于所述晶振盖板旋转；其中，所述晶振盖板上设有主晶振开口以暴露主晶振片，所述开口上设有可转动的主晶振掩模版，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域。根据本申请的晶振膜厚监控装置，由于设置了主晶振掩模版，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域，从而增加了单个晶振片的使用寿命，提高了镀膜工作效率。
一种晶振膜厚监控装置镀膜设备

[发明专利]柔性太阳能电池阵-CN201911152392.2有效
发明人：吴志猛;王伟明;李华 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/044 文献下载
摘要：一种柔性太阳能电池阵，包括：电池串，所述电池串包含多个串联连接的电池，每个电池的表面设置有一个薄膜二极管，所述薄膜二极管的厚度在50微米以下，各个电池与表面对应设置的薄膜二极管之间并联；其中，当电池串中某个电池停止工作，停止工作的电池并联连接的薄膜二极管正向导通使得该电池被短路，电池串中其余电池正常工作。利用互联片实现相邻电池的主栅极和背电极的连接，也可利用叠瓦方式将相邻电池边缘叠加实现串联。薄膜二极管可安装在电池背面或正面，薄膜二极管与电池并联，电极方向相反。通过为每个电池配置一个二极管，只有被遮挡的电池停止工作，其他受光照的电池可以正常工作，减少了遮挡对组件整体输出功率的影响。
柔性太阳能电池

[发明专利]薄膜型激光换能器及其制备方法-CN202211153947.7有效
发明人：朱明星;陈素丽;王伟明;李华 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本公开涉及一种薄膜型激光换能器及其制备方法，所述薄膜型激光换能器包括吸收1064nm波长激光的有源区及金属薄膜衬底，所述有源区包括1个或多个InGaAs子电池，每个InGaAs子电池包括背场层、基区、发射区、窗口层，所述背场层、基区、发射区、窗口层沿远离金属薄膜衬底的方向顺序设置；其中，每个InGaAs子电池的基区材料均为InxGa(1‑x)As。本申请提供的适用于1064nm激光能量转化的激光换能器及其制备方法，采用1个或多个InGaAs子电池作为有源区，能够充分吸收1064nm激光，充分发挥了激光换能器在测距、测高、信号干扰等方面的作用。
薄膜激光换能器及其制备方法

[发明专利]一种用于部件的加热保温的复合层结构和加热保温方法-CN202211734251.3在审
发明人：肖志;朱明星;王伟明;李华 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于部件的加热保温的复合层结构，包括：包覆在部件外侧的接触层；设置在接触层外侧的用于提供热量的加热层；以及设置在加热层外侧的保温层；其中：所述接触层由柔性导热材质构成，所述柔性导热材质能够适应部件的外部形状而变形，以紧密贴合所述部件的外部形状。根据本申请的用于部件的加热保温的复合层结构，能够紧密贴合待加热保温的部件，导热均匀，加热保温效果好，使用安全。
一种用于部件加热保温复合结构方法

[实用新型]一种简易式拆装无人机电池包-CN202223276278.0有效
发明人：谢瑶迪;王伟明;李华 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M50/249 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简易式拆装无人机电池包，包括若干串联的电芯组，电芯组包括若干呈叠放布置且相互不接触的圆柱电芯，电芯组内的圆柱电芯之间并联，电芯组两端设有电芯支架，电芯支架上设有容纳圆柱电芯的电芯槽，电芯支架上设有与圆柱电芯电性连接的镍片，电芯支架包括中间电芯支架和端部电芯支架，中间电芯支架布置在相邻电芯组之间，两端部电芯支架分别布置在最两端的电芯组外侧，电芯支架上设有两个以上通孔，通孔内穿过有串连电芯支架的螺杆，螺杆上旋接有压紧螺母，镍片上设有螺杆穿过的穿孔。本实用新型中省去焊接步骤，降低了电池包结构的复杂性，使得组装与拆卸过程更加方便。
一种简易拆装无人机电池

[发明专利]一种无烟化清洗含砷磷污染物部件的装置及方法-CN202211674113.0在审
发明人：高璐;肖志;朱明星;王伟明;李华 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种无烟化清洗含砷磷污染物部件的装置和方法，所述无烟化清洗含砷磷污染物部件的装置包括：清洗槽，所述清洗槽连接至至少一个清洗液供给装置；循环水泵，所述循环水泵与所述清洗槽通过管路连接成循环清洗回路，其中，所述含砷磷污染物部件通过接口连接在循环清洗回路的管路中；或者，所述含砷磷污染物部件放入所述清洗槽中；以及PLC(可编程逻辑控制器)系统，所述PLC控制系统通过阀件控制清洗液供给装置和循环水泵的工作，以对循环清洗回路中的含砷磷污染物部件进行循环清洗。整个清洗过程中，人员基本无接触，且设备运行过程中，无烟、无尘、无毒性物质泄漏，反应过程无明火、爆炸等异常状况，清洗过程安全无污染。
一种无烟清洗含砷磷污染物部件装置方法

[发明专利]一种多结半导体器件光学检测设备和光学检测方法-CN202111229474.X在审
发明人：张宇荧;莫晓亮;褚君浩;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种多结半导体器件的光学检测设备和方法。所述多结半导体器件光学检测设备包括：移动工作台，用于放置待测多结半导体器件并能够沿第一方向和第二方向移动；多个激发光源，适于同时照射所述多结半导体器件，以使所述多结半导体器件的每一结半导体材料分别产生光致发光；多个图像记录装置，适于分别捕获所述多结半导体器件的每一结半导体材料被激发后发出的辐射光并形成每结半导体材料的图像。根据本申请的多结半导体器件的光学检测设备和光学检测方法，实现了通过一次性检测获得多结半导体器件中的每一结半导体材料的性质，极大地减少了检测的工作量，提高了工作效率。
一种半导体器件光学检测设备方法

[发明专利]一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备-CN202211639056.2在审
发明人：贾松霖;陈亮;周鹏程;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备，所述晶振膜厚监控装置包括：晶振盘；在所述晶振盘上的多个棱柱形晶振底座，其中每个晶振底座具有多个棱柱面，每个棱柱面上适于承载晶振片，且所述晶振底座的中心轴线平行于晶振盘平面，每个晶振底座适于围绕其中心轴线自转；以及晶振保护罩，其在镀膜过程中遮挡晶振底座上的不进行镀膜的晶振片，并暴露正在进行镀膜的晶振片。根据本申请的晶振膜厚监控装置，由于棱柱形晶振底座具有多个棱柱面，且每个棱柱面上承载有晶振片，通过棱柱形晶振底座的自转，可以切换用于监测膜厚的晶振片，从而增加了用于监测膜厚的晶振片的数量，减少了更换晶振系统的频率，提高了晶振系统工作效率。
一种晶振膜厚监控装置镀膜设备

[发明专利]一种蒸镀设备、镀锅装置及镀膜方法-CN202211627809.8在审
发明人：周鹏程;贾松霖;陈亮;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请提供一种蒸镀设备、镀锅装置以及镀膜方法。所述蒸镀设备包括：镀锅装置和设置于镀锅装置上方的传动机构，所述镀锅装置包括多个间隔排列的环状固定架；可转动地承载于多个环状固定架上的多个环状转动部件，在所述环状转动部件的承载区域上承载待镀膜的工件；以及位于镀锅装置的转动轴线上的蒸发源。所述传动机构与各个环状转动部件相连，以驱动各个环状转动部件分别以不同的角速度围绕镀锅装置的转动轴线转动。根据本申请的蒸镀设备、镀锅装置以及镀膜方法，可以实现对具有不同旋转半径的环状转动部件的独立控制，因而便于调节镀锅上不同旋转半径处的蒸镀量，易于获得均匀的镀膜。
一种设备装置镀膜方法

[发明专利]校准太阳模拟器的方法、光源系统和太阳能电池测试方法-CN202011540915.3有效
发明人：高康;沈彬;吴志猛;李华;王伟明 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：本公开涉及一种校准太阳模拟器的方法、相应的模拟太阳光的光源系统和多结电池测试方法。所述校准太阳模拟器的方法包括步骤：在标准太阳模拟器下测试标准多结电池的短路电流Isc1；在标准太阳模拟器下测试n个单结标准子电池的短路电流Isc(i)；在待校准太阳模拟器下测试标准多结电池的短路电流Isc2，使Isc2接近Isc1；在待校准太阳模拟器下测试各单结标准子电池的短路电流Isc(I)，使各单结标准子电池的短路电流Isc(I)分别与步骤S2中的对应短路电流Isc(i)一致。根据本发明实施例提供的校准太阳模拟器的方法、光源系统和多结电池测试方法，降低了对普通太阳模拟器光谱光强匹配度的要求，提高了在普通太阳模拟器下进行多结太阳能电池性能测试的准确度。
校准太阳模拟器方法光源系统太阳能电池测试

[发明专利]一种二极管器件结构及其制备方法-CN202110976180.7在审
发明人：王俊;王伟明;张宇荧 -专利权人： 江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管器件结构及其制备方法，所述二极管器件结构包括：PN结层，所述PN结层包括P型半导体层、N型半导体层和位于P型半导体层、N型半导体层之间的耗尽区；其中，在所述耗尽区内具有多量子阱结构，所述多量子阱结构包括周期性排列的多个量子阱单元，每个量子阱单元包括阱层和垒层；并且所述多量子阱结构中的各个阱层材料的禁带宽度小于所述P型半导体层和N型半导体层材料的禁带宽度。本申请的二极管器件结构及其制备方法，通过在PN结中引入抑制反向漏电流的多量子阱结构，能够在PN结材料的禁带宽度相对较低的情况下实现高的反向击穿电压，同时具有较低的正向导通电压。
一种二极管器件结构及其制备方法

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