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[实用新型]一种多晶硅铸锭炉的热场结构-CN201320151089.2有效
发明人：张帅;田义良 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉的热场结构，包括炉体、置于所述炉体内的隔热笼、置于所述炉体内用以放置坩埚的导热块、固定在所述炉体内支撑所述导热块的支柱，所述隔热笼包括侧隔热笼、隔热顶板和隔热底板，所述导热块位于所述隔热顶板与隔热底板之间，所述导热块与所述隔热底板之间还设置有石墨板。上述多晶硅铸锭炉的热场结构，在导热块的下方设置有石墨板，在长晶阶段，热量从导热块底部辐射至石墨板，由于石墨板的导热率高，石墨板的横向温度梯度很小，热量通过石墨板能够均匀辐射，能最大程度降低铸锭过程中的横向温度梯度，从而减少硅锭中的应力。
一种多晶铸锭结构

[发明专利]晶体硅及其制备方法-CN201310178470.2有效
发明人：武鹏;胡亚兰;游达;郑玉芹;徐岩;郑循强 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚内的温度，在单晶硅籽晶层熔化10%～90%时进入长晶阶段；控制长晶时的温度，在垂直于坩埚底部方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液沿单晶硅籽晶的晶向方向定向凝固，得到中间为单晶硅边缘为多晶硅的晶体硅，上述方法减少了单晶硅籽晶的用量，提高了边缘硅片的转换效率。还提供了一种通过该方法制得的晶体硅。
晶体及其制备方法

[发明专利]提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法-CN201210013750.3有效
发明人：武鹏;胡亚兰 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司;江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开一种提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法，其特征在于，该方法包括通过化学和/或物理方法去除单晶硅籽晶表面的损伤层和应变层的步骤。本发明方法可减少高温过程中由籽晶中引入的缺陷密度，从而减少铸造单晶硅中的缺陷密度。本发明方法可以将现有的铸锭成品率提高约1个百分点以上，达到或超过现有铸造多晶硅的铸锭成品率。利用这些低缺陷密度的硅片制成的太阳能电池的光电转换效率也有明显的提升，有利于光伏产业大规模应用。
提高铸造单晶硅铸锭成品率转换效率方法

[实用新型]一种铸锭炉热场结构-CN201220690530.X有效
发明人：武鹏;游达;胡亚兰;郑玉芹 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司;江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铸锭炉热场结构，包括炉体、设于炉体内的侧隔热笼及位于所述侧隔热笼中的热交换块，所述热交换块的底部的边缘位置安装有柔性保温材料和/或所述侧隔热笼的底部向内凸出的隔热条上安装有柔性保温材料。上述铸锭炉热场结构中，在长晶阶段，由侧部散失的热量减少，热量主要通过热交换块底部散热，使长晶时固液界面变凸，有利于提高铸锭工艺的排杂能力。
一种铸锭炉热场结构

[发明专利]多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法-CN201110397731.0有效
发明人：黄春来;薛抗美;游达 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构，包括：置于坩埚基底上的第一涂层，和置于该第一涂层上的第二涂层；所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成，所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70-80％的溶剂和20-30％的粘结剂组成；所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成，所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14-20％的氮化硅、60-70％的溶剂和14-20％的粘结剂，且所述溶剂选自水或醇；所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。本发明也公开了该涂层结构的制备方法。该涂层结构在多晶硅的生产过程中，作为坩埚脱模涂层，可直接涂覆使用，免除涂层烧结热处理的步骤，减少生产环节，极大地降低了生产成本。
多晶铸锭烧结坩埚涂层结构及其制备方法

[发明专利]用于多晶硅铸锭炉的石墨器材的涂层组合物-CN201110397801.2无效
发明人：黄春来;薛抗美;游达 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开一种用于多晶硅铸锭炉的石墨器材的涂层组合物，其特征在于，所述涂层组合物含有：涂覆物5-30wt％、溶剂60-85wt％，其中所述涂覆物选自氮化硅、碳化硅、二氧化硅和碳酸钡中的一种或几种；所述溶剂选自水或乙醇。本发明涂层组合物可减少气态碳硅化合物对多晶硅锭的碳污染，同时也在坩埚开裂漏锅时，保护石墨器材免受硅液的损毁。
用于多晶铸锭石墨器材涂层组合

[实用新型]一种切割硅锭的装置-CN201220679936.8有效
发明人：武鹏;游达;胡亚兰;郑玉芹 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种切割硅锭的装置，包括两个导轮、布置在所述两个导轮上的切割线网及位于所述两个导轮之间的砂浆槽，所述砂浆槽上设有泄砂孔。上述切割硅锭的装置，两个导轮之间设有砂浆槽，切片时切割线网能浸没在砂浆槽的砂浆中，并且砂浆槽设有泄沙孔使砂浆槽内的砂浆量可以保持动态平衡，可以明显提高钢线的带沙能力和砂浆的切割能力，降低由于切割能力不足引入的线痕等缺陷的比例，可以将现有的切片成品率提高5个百分点以上，从而降低硅片的生产成本。
一种切割装置

[发明专利]一种切割硅锭的方法及装置-CN201210530204.7有效
发明人：武鹏;游达;胡亚兰;郑玉芹 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种切割硅锭的方法，包括以下步骤：在布置有切割线网的两个导轮之间设置装有砂浆的砂浆槽；利用所述切割线网对硅锭进行切片，切片时使切割线网浸没在砂浆槽的砂浆中，并且使砂浆槽中的砂浆量保持动态平衡。另外，还提出一种切割硅锭的装置。上述切割硅锭的方法及装置，两个导轮之间设有砂浆槽，切片时切割线网能浸没在砂浆槽的砂浆中，并且砂浆槽设有泄沙孔使砂浆槽内的砂浆量可以保持动态平衡，可以明显提高钢线的带沙能力和砂浆的切割能力，降低由于切割能力不足引入的线痕等缺陷的比例，可以将现有的切片成品率提高5个百分点以上，从而降低硅片的生产成本。
一种切割方法装置

[发明专利]一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法及装置-CN201210512673.6有效
发明人：郑玉芹;朱常任;胡亚兰;武鹏;周之燕 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，包括以下步骤：在多晶硅铸锭炉的坩埚和石墨护板之间设置在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应的隔离层；使用所述多晶硅铸锭炉通过定向凝固法铸造多晶硅或准单晶硅。另外还提出一种铸造多晶硅或准单晶硅的装置。上述铸造多晶硅或准单晶硅的方法及装置，在坩埚和石墨护板之间设置隔离层，以在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应生成CO，从而能够减少多晶硅铸锭炉内C含量，使SiC杂质沉淀的生成减少，使铸造多晶硅或准单晶硅中的C杂质减少、缺陷密度减少，进而提高铸造多晶硅或准单晶硅的铸锭成品率、切片良率以及电池片的转换效率。
一种铸造多晶单晶硅方法装置

[实用新型]铸锭炉用隔热装置-CN201220103692.9有效
发明人：武鹏;胡亚兰 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型铸锭炉用隔热装置，包括顶隔热板(4)，由提升连杆(3)连接在上炉体(1)上的侧隔热笼(2)，以及由支柱(8)固定于下炉体上的下隔热板(9)和热交换块(10)，其特征在于：热交换块(10)的侧面和/或底部边缘区域由隔热材料(11)覆盖。该新型隔热装置解决了现有铸锭炉在长晶中前期，固液界面为W形的问题，并与其他手段相结合在铸锭炉内生产出质量优异的铸造单晶硅。
铸锭隔热装置

[发明专利]一种铸锭炉的加热器-CN201110232791.7有效
发明人：杨细全;薛抗美;胡亚兰 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭炉的加热器，其具有第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的热产生本体部，其中，热产生本体部与第一电极和第二电极分别电连接；第一电极和第二电极用于直接或间接地连接于电源以使在第一电极和第二电极之间的热产生本体部中形成电流；热产生本体部沿纵向和/或径向延伸以至少部分地包围坩埚的侧部和/或端部，其中，热产生本体部用于在纵向上和/或端部形成温度递变的热场。该加热器本身所占几何空间少，重量轻，能够产生梯度分布的温度场，能够提高长晶速度，此外，对于铸锭类单晶技术中保护籽晶及提供平面型固液界面从而扩大单晶区域均有良好的效果。
一种铸锭加热器

[实用新型]多晶硅铸锭炉导热装置-CN201220221893.9有效
发明人：杨晓琴;胡亚兰;陈伟;武鹏 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉导热装置，包括导热块，所述导热块具有侧壁及承载坩埚的承载面，其中所述导热块的侧壁上设置有导热镶条。上述多晶硅铸锭炉导热装置中，在原有导热块的四周设置导热镶条，如此，可增加导热块的面积和承重量，在对多晶硅铸锭炉已有设备作最少改进的情况下，允许增加多晶硅铸锭炉的投料量，进而尽可能的提高单位时间内的产能。
多晶铸锭导热装置

[实用新型]多晶硅铸锭炉-CN201220047145.3有效
发明人：杨细全;胡亚兰;周之燕 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉，其包括炉体、由炉体围设形成的炉室、置于所述炉室内并用于放置坩埚的热交换台、向所述坩埚内充气的充气管及分别对所述坩埚进行加热的顶部加热器和侧部加热器，所述顶部加热器设置于所述坩埚的上侧，所述侧部加热器设置于所述坩埚的侧边，所述多晶硅铸锭炉还包括设置于所述顶部加热器与所述坩埚之间的热屏。热屏可以明显减弱高温腐蚀气体对顶部加热器的直接冲刷，从而保护顶部加热器，以延长多晶硅铸锭炉的寿命，同时热屏还能够减少顶部加热器石墨挥发物进入硅液，从而降低铸锭硅的碳含量，以提高铸锭硅的品质。
多晶铸锭

[实用新型]一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置-CN201220042458.X有效
发明人：武鹏;胡亚兰;郑玉芹;徐岩 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其包括炉体及掺杂补偿单元，该炉体包括上炉体与下炉体，该掺杂补偿单元设置于上炉体上，并包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件。其中，承载件连接于驱动件上，驱动件设置于上炉体上。该在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置可将制备的90％的晶体硅硅锭的电阻率控制在1.0～3.0Ω·cm的范围内，有利于提高硅料的利用率，从而降低生产成本。
一种晶体形成过程控制电阻率装置

[实用新型]一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置-CN201220047131.1有效
发明人：游达;吴义华;黄春来;周声浪;权祥 -专利权人： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于多晶硅铸锭炉的进气排杂装置，该铸锭炉内设有护板，该进气排杂装置设置在该护板上方，并与护板之间设有出气口，该进气排杂装置包括进气管及将从进气管进来的气体进行分流的分流组件，该进气管与分流组件相连。分流组件将气流分散，从而减弱对硅液表面的冲击，同时分散的气流不容易在铸锭炉内形成循环气流，从而减少气体在坩埚、护板及盖板组成的结构中停留的时间，使气体能够尽快排出，减少含碳气体流经硅液表面时被吸附及溶入硅液的碳含量。这样，生长出来的硅锭就会有较高的质量。
一种用于多晶铸锭进气排杂装置