“永峰佳纪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法-CN201210345416.8有效
发明人： 永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO（氧化镁）层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta（钽）。
磁阻效应元件制造方法

[发明专利]真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法-CN201080028305.3有效
发明人：恒川孝二;永峰佳纪;古川真司 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在成膜处理之后在维持高真空度的状态下仅急速地加热和急速地冷却基板的真空加热/冷却装置。根据本发明的实施方式的真空加热/冷却装置包括真空室(1)、发出加热光的卤素灯(2)、用于允许加热光进入真空室(1)的石英窗(3)、具有冷却功能的基板支撑台(9)、以及使基板(5)停在加热位置(P3)和冷却位置(P1)并且使基板(5)在加热位置(P3)与冷却位置(P1)之间移动的升降销(13)。
真空加热冷却装置磁阻元件制造方法

[发明专利]磁阻元件的制造方法、用于该制造方法的存储介质-CN200980135276.8无效
发明人：恒川孝二;永峰佳纪;山形伸二 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了具有比以往更高的MR比的磁阻元件的制造方法。该磁阻元件的制造方法包括如下工序：在基板上进行磁化固定层、磁化自由层和位于该磁化固定层与该磁化自由层之间的隧道阻碍层的成膜的工序，在该磁阻元件的制造方法中，直径小于基板直径、含有氧化镁烧结体的相对密度在90％以上的靶向被成膜面倾斜，在使基板旋转的同时，通过溅射法进行氧化膜层的成膜，从而形成隧道阻碍层。
磁阻元件制造方法用于存储介质

[发明专利]基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法-CN200980000400.X有效
发明人：细谷裕之;恒川孝二;永峰佳纪 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法。该基板处理装置能够根据形成的膜的材质来切换是否对基板施加磁场，从而能够在同一个室内形成磁性层和非磁性层这两者。溅射装置(100)包括：基板保持架(102)，支承基板(W)；磁铁保持架(106)，配置在基板保持架的周围；磁铁(104)，可移动地载置在磁铁保持架上；支承构件(103)，面向磁铁地突出设置在基板保持架上；连结构件(105)，面向基板保持架地突出设置在磁铁上；旋转机构(121)，使基板保持架或磁铁保持架中的至少一个转动；连结切换机构(122)，在通过旋转机构的转动而使支承构件与连结构件的位置对齐时，使基板保持架上下运动而将支承构件与连结构件结合或脱离，切换是否对基板(W)施加磁场。
处理装置磁性设备制造方法

[发明专利]高频溅射装置-CN200880110336.6有效
发明人： 永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压，根据本发明的高频溅射装置包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置有基板承载台；转动驱动部件，其能够转动所述基板座；溅射阴极，其设置有靶材承载台，并被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行；电极，其设置在所述基板座内；以及可变阻抗机构，其电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板电位。
高频溅射装置

[发明专利]真空薄膜形成设备-CN200780100963.7无效
发明人： 永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：为了始终将基板上的自偏压自动地调整为固定值并以良好的工艺再现性形成高质量的绝缘膜，根据本发明的真空薄膜形成设备包括：高频溅射装置，其包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置在所述室内；以及电极，其设置在所述基板座内；以及至少一个真空处理室，其能够从由物理气相沉积(PVD)室、化学气相沉积(CVD)室、物理蚀刻室、化学蚀刻室、基板加热室、基板冷却室、氧化处理室、还原处理室和灰化室构成的组中选择，其中，所述高频溅射装置还包括电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板的电位的可变阻抗机构。
真空薄膜形成设备

[发明专利]隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置-CN200880019712.0无效
发明人：恒川孝二;永峰佳纪 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供一种兼具高MR比和低磁致伸缩的隧道磁阻薄膜。所述隧道磁阻薄膜为具有磁化固定层、隧道势垒层、磁化自由层的隧道磁阻薄膜，所述隧道势垒层为具有(001)取向的氧化镁晶粒的氧化镁膜，所述磁化自由层为第一磁化自由层与第二磁化自由层的层叠结构，所述第一磁化自由层由含有Co原子、Fe原子和B原子的体心立方结构或含有Co原子、Ni原子、Fe原子和B原子的体心立方结构的(001)取向的合金所构成，所述第二磁化自由层由含有Fe原子和Ni原子的面心立方结构的合金所构成。
隧道磁阻薄膜磁性多层制作装置

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法以及制造设备-CN200910146788.6有效
发明人： 永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件(第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等)的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO(氧化镁)层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta(钽)。
磁阻效应元件制造方法以及设备

[发明专利]隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置-CN200880000586.4有效
发明人：恒川孝二;永峰佳纪 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置。在维持用作交换耦合用非磁性层的Ru层为薄膜的状态下，改良耐热性，即使经过高温退火，Ru层也良好地呈现交换耦合磁场，MR比高。在隧道磁阻薄膜中，将夹着交换耦合用非磁性层(5)层叠的第一磁化固定层(4)及第二磁化固定层(6)中的至少一层做成由互不相同的磁性材料构成的2层以上的层叠结构。
隧道磁阻薄膜磁性多层制作装置

[发明专利]氧化方法和氧化装置-CN200880000094.5无效
发明人： 永峰佳纪;渡边直树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化方法和氧化装置，其中，通过具有若干通孔的隔离物连接具有氧化气体供给端口的等离子体产生室和具有排放端口并在内部具有衬底基座的衬底处理室，产生供给到等离子体产生室中的氧化气体的等离子体，并且通过将产生的活性物种供给到衬底上而在衬底表面上形成氧化物层，它们的特征在于，隔离物通过开关机构与电源连接，使得正电压、负电压或零电压被施加到隔离物，并且，通过在氧化过程期间切换电压至少一次而改变供给到衬底上的活性物种中的基团、正离子和负离子的比率，从而执行氧化过程。
氧化方法装置

[发明专利]磁阻效应元件的制造方法以及制造设备-CN200780007233.2无效
发明人： 永峰佳纪;恒川孝二;D·D·贾亚普拉维拉;前原大树 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件(第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等)的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO(氧化镁)层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta(钽)。
磁阻效应元件制造方法以及设备

1
共 11 条