专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法-CN200980000400.X有效
  • 细谷裕之;恒川孝二;永峰佳纪 - 佳能安内华股份有限公司
  • 2009-03-02 - 2010-12-01 - C23C14/34
  • 本发明提供基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法。该基板处理装置能够根据形成的膜的材质来切换是否对基板施加磁场,从而能够在同一个室内形成磁性层和非磁性层这两者。溅射装置(100)包括:基板保持架(102),支承基板(W);磁铁保持架(106),配置在基板保持架的周围;磁铁(104),可移动地载置在磁铁保持架上;支承构件(103),面向磁铁地突出设置在基板保持架上;连结构件(105),面向基板保持架地突出设置在磁铁上;旋转机构(121),使基板保持架或磁铁保持架中的至少一个转动;连结切换机构(122),在通过旋转机构的转动而使支承构件与连结构件的位置对齐时,使基板保持架上下运动而将支承构件与连结构件结合或脱离,切换是否对基板(W)施加磁场。
  • 处理装置磁性设备制造方法
  • [发明专利]高频溅射装置-CN200880110336.6有效
  • 永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 - 佳能安内华股份有限公司
  • 2008-08-29 - 2010-09-01 - C23C14/34
  • 通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压,根据本发明的高频溅射装置包括:室;排气部件,其对所述室的内部进行排气;气体导入部件,其将气体供给至所述室中;基板座,其设置有基板承载台;转动驱动部件,其能够转动所述基板座;溅射阴极,其设置有靶材承载台,并被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行;电极,其设置在所述基板座内;以及可变阻抗机构,其电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板电位。
  • 高频溅射装置
  • [发明专利]真空薄膜形成设备-CN200780100963.7无效
  • 永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 - 佳能安内华股份有限公司
  • 2007-10-04 - 2010-09-01 - C23C14/34
  • 为了始终将基板上的自偏压自动地调整为固定值并以良好的工艺再现性形成高质量的绝缘膜,根据本发明的真空薄膜形成设备包括:高频溅射装置,其包括:室;排气部件,其对所述室的内部进行排气;气体导入部件,其将气体供给至所述室中;基板座,其设置在所述室内;以及电极,其设置在所述基板座内;以及至少一个真空处理室,其能够从由物理气相沉积(PVD)室、化学气相沉积(CVD)室、物理蚀刻室、化学蚀刻室、基板加热室、基板冷却室、氧化处理室、还原处理室和灰化室构成的组中选择,其中,所述高频溅射装置还包括电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板的电位的可变阻抗机构。
  • 真空薄膜形成设备
  • [发明专利]氧化方法和氧化装置-CN200880000094.5无效
  • 永峰佳纪;渡边直树 - 佳能安内华股份有限公司
  • 2008-02-04 - 2009-09-23 - H01L21/316
  • 本发明提供一种氧化方法和氧化装置,其中,通过具有若干通孔的隔离物连接具有氧化气体供给端口的等离子体产生室和具有排放端口并在内部具有衬底基座的衬底处理室,产生供给到等离子体产生室中的氧化气体的等离子体,并且通过将产生的活性物种供给到衬底上而在衬底表面上形成氧化物层,它们的特征在于,隔离物通过开关机构与电源连接,使得正电压、负电压或零电压被施加到隔离物,并且,通过在氧化过程期间切换电压至少一次而改变供给到衬底上的活性物种中的基团、正离子和负离子的比率,从而执行氧化过程。
  • 氧化方法装置

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