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[发明专利]一种光刻胶树脂及其制备方法-CN202011634104.X在审
发明人：顾大公;马潇;余绍山;陈鹏;齐国强;许东升;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C08F220/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶树脂及其制备方法，该方法包括：预处理：将至少两种丙烯酸酯类单体与有机溶剂在氮气环境下进行均匀混合，得到混合液，其中，所述丙烯酸酯类单体中极性单体与非极性单体的质量比为(3‑7)：(3‑7)；光刻胶树脂的合成：氮气环境下在所述混合液中加入引发剂并进行搅拌、升温反应，得到聚合物溶液；光刻胶树脂的分离提纯：在所述聚合物溶液中加入沉淀剂并进行抽滤干燥，得到光刻胶树脂。通过该方法制备得到的光刻胶树脂可以较好的调控树脂的极性组分与非极性组分，该光刻胶树脂在进行应用的过程中，使得光刻胶膜的显影液浸润性和光刻胶膜与衬底的黏附性适中，同时减少了光刻胶膜在显影液中的过多损失。
一种光刻树脂及其制备方法

[发明专利]一种电子级四甲氧甲基甘脲及其制备方法-CN202011637637.3在审
发明人：余绍山;许东升;齐国强;顾大公;陈鹏;陈伟琴;陈情丽;李珊珊;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级四甲氧甲基甘脲的制备方法，该方法包括如下步骤：将AR级四羟甲基甘脲与电子级甲醇溶剂混合成反应液，并向反应液中加入电子级催化剂；反应液在预设温度下反应预设时长后，冷却至室温，并加入有机碱调节pH至中性；将调节后的反应液进行分离纯化，得到电子级四甲氧甲基甘脲。本发明还提供一种电子级四甲氧甲基甘脲。在反应体系中加入的甲醇溶液以及催化剂均为电子级试剂，减少金属杂质的引入，在反应结束后，采用有机碱代替传统无机碱进行pH的调节，同样大大降低了金属杂质引入。因此，采用本发明中的制备方法制备出的四甲氧甲基甘脲金属残留少，纯度高，可用作负性光刻胶中的交联剂。
一种电子级四甲氧甲基及其制备方法

[发明专利]一种甲基丙烯酸树脂及其制备方法-CN202011591160.X在审
发明人：陈鹏;马潇;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C08F220/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种甲基丙烯酸树脂的制备方法，方法包括如下步骤：将甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯以及2‑甲基‑2‑金刚烷基甲基丙烯酸酯溶解于乙酸乙酯中，并加入引发剂，形成混合溶液；预设温度下通入保护气体；将混合溶液置于微波条件下进行聚合反应；其中，微波条件下的微波功率为100‑480W，引发剂的添加量为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯以及2‑甲基‑2‑金刚烷基甲基丙烯酸酯质量之和的1‑10％。本发明还提供一种甲基丙烯酸树脂。在本方案将微波加热技术结合引发剂的不同添加比例，使得单体分解产生不同浓度的自由基，自由基相互聚合的程度不同，从而聚合出不同分子量的甲基丙烯树脂，达到对控制产品分子量的同时，加快反应速度，大大提高合成效率。
一种甲基丙烯酸树脂及其制备方法

[发明专利]一种光刻胶组合物及其制备方法-CN202110089814.7在审
发明人：齐国强;顾大公;岳力挽;李珊珊;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种光刻胶组合物及其制备方法，该光刻胶组合物包括以下原料：0.1‑10重量组分的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A；其中所述光致酸产生剂为含双酯结构的光致酸产生剂，所述酸扩散抑制剂为含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂。本发明实施例提供的光刻胶组合物在采用含双酯结构的光致酸产生剂的条件下，通过添加含有羟基功能单元和碱性功能单元的酸扩散抑制剂，进一步改善了光刻胶的线宽粗糙度，提高了光刻胶的分辨率，增强了光刻胶的成膜能力。
一种光刻组合及其制备方法

[发明专利]一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法-CN202110089856.0在审
发明人：齐国强;顾大公;岳力挽;李珊珊;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法，该光刻胶包括以下原料：0.1‑10重量组分的含双酯结构的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及55‑89.8重量组分的有机溶剂A。本发明实施例提供的所述的含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶通过添加的含双酯结构的光致酸产生剂使得光刻胶在进行光刻工艺时，光刻胶中的光致酸产生剂可产生有效的可控大体积酸，进而提升光刻胶的分辨率，减小了制作的电路的线宽和粗糙度，提高树脂的黏附性，改善光刻胶的整体性能。
一种含双酯结构光致酸产生光刻及其制备方法

[发明专利]手动涂胶协助装置-CN202011578407.4在审
发明人：何学涛;顾大公;岳力挽;阴奔野;张宇;郑广磊;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B05C17/00 文献下载
摘要：本发明适用于光刻胶涂胶设备领域，提供了一种手动涂胶协助装置，其包括固定支架、倾斜固定在该固定支架上的试管、分别固定在该试管两端且与该试管相连通的漏斗和滴管。本发明的手动涂胶协助装置，在涂胶时，将胶体装入漏斗内，胶体在自身重力的作用下，通过试管流入滴管，再在自身重力作用下滴在基材表面，如此，涂胶的速率均衡，因此，基材表面胶体涂布均匀。此外，使用本发明的手动涂胶协助装置时，不需要实验者将手伸入机台内部进行涂胶，因此，不存在胶体溅出而对实验者造成伤害的情况。
手动涂胶协助装置

[发明专利]一种调控甲基丙烯酸树脂分子量的方法-CN202011473012.8在审
发明人：陈鹏;马潇;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C08F220/14 文献下载
摘要：本发明适用于高分子材料领域，提供了一种调控甲基丙烯酸树脂分子量的方法，包括如下步骤：将甲基丙烯酸树脂的单体置于玻璃瓶中；向玻璃瓶中加入光引发剂，混合均匀，得到预聚体，该光引发剂与所述甲基丙烯酸树脂的单体互溶，该预聚体中不包含溶剂；使用一定强度的光对玻璃瓶中的预聚体进行光辐射，使预聚体进行光聚合反应，得到甲基丙烯酸树脂。本发明的调控甲基丙烯酸树脂分子量的方法所使用的甲基丙烯酸树脂的单体与光引发剂可以互溶，不需要额外添加溶剂或乳液等媒介，可以有效的提高聚合反应速率和产率，减少成本，且后处理方便，不需要使用大量的试剂洗涤所制得的甲基丙烯酸树脂。
一种调控甲基丙烯酸树脂分子量方法

[发明专利]一种硅片转移装置-CN202011526943.X在审
发明人：阴奔野;岳力挽;顾大公;何学涛;郑广磊;张宇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明适用硅片转移技术领域，提供了一种硅片转移装置，包括：底座；设置于底座上、用于放置硅片盒的支架；活动设置于底座上的支撑板，支撑板可相对底座向支架的方向移动或向远离支架的方向移动；支撑于支撑板上、并可相对支撑板升降的支撑主轴；以及与支撑主轴形成转动连接的多层硅片载台，多层硅片载台沿支撑主轴的轴向彼此间隔设置并可分别绕支撑主轴转动。本发明提供的硅片转移装置可以实现硅片盒内的硅片批量转移，方便将硅片盒内的硅片批量转移到另外的硅片盒或将硅片盒内的硅片批量转移出来进行硅片的表面观察检查，无需人工手动逐一将硅片盒内的硅片取出，方便用户使用，且结构简单轻巧，便于携带使用，生产成本低。
一种硅片转移装置

[发明专利]一种双光子引发控制甲基丙烯酸树脂分子量的方法-CN202011470023.0在审
发明人：陈鹏;马潇;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C08F220/14 文献下载
摘要：本发明适用于高分子材料领域，提供了一种双光子引发控制甲基丙烯酸树脂分子量的方法，包括如下步骤：将甲基丙烯酸树脂的单体混合，得到混合溶液；向混合溶液中加入双光子引发剂，该双光子引发剂与所述甲基丙烯酸树脂的单体互溶，混合均匀，得到预聚体；对预聚体进行光辐射，使预聚体进行聚合反应，得到甲基丙烯酸树脂。本发明的控制甲基丙烯酸树脂分子量的方法可以通过改变双光子引发剂的浓度及光源强度来控制甲基丙烯酸树脂的分子量。本发明的控制甲基丙烯酸树脂分子量的方法，使用双光子引发剂进行光引发，双光子引发剂每次可以吸收两个光子，产生两个自由基来进行聚合反应，使用能量较小的光即可快速进行光聚合反应，耗能低。
一种光子引发控制甲基丙烯酸树脂分子量方法

[发明专利]一种光刻胶颗粒度测试装置-CN202011554004.6在审
发明人：顾大公;陈玲;马新龙;许东升;许鹏;陈阳;胡海斌;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明适用于光刻胶测试技术领域，提供了一种光刻胶颗粒度测试装置，包括，取样管路，与光刻胶生产线连接用于输入待测光刻胶；与所述取样管路连接的用于测试所述待测光刻胶颗粒度的颗粒仪；所述取样管路与所述颗粒仪进样管路之间设有用于缓冲进入所述颗粒仪待测试光刻胶流量波动的缓冲管路，所述缓冲管路的直径均大于所述取样管路和所述进样管路的直径；所述颗粒仪的出口端还设有用于调节所述颗粒仪中待测光刻胶流量参数的流量计。本实施例的光刻胶颗粒度测试装置，通过缓冲管路有效减缓了采用泵推动物料时的流量波动，同时通过出口端的流量计来规范颗粒仪的检测流量，稳定了测试流量并提高了测试精度。
一种光刻颗粒测试装置

[发明专利]一种光刻胶颗粒度测试装置-CN202011573333.5在审
发明人：顾大公;陈玲;马新龙;许东升;许鹏;陈阳;胡海斌;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明适用于光刻胶测试技术领域，提供了一种光刻胶颗粒度测试装置，包括，高位槽，与光刻胶生产线连接用于存储待测光刻胶；颗粒仪，用于测量待测光刻胶的颗粒度；高位槽底部设有进料口；高位槽的侧下方设有出料口；颗粒仪的出口端还设有流量计。本实施例的光刻胶颗粒度测试装置，通过高位槽中待测光刻胶自身重力和出口端的流量计同时作用，使待测光刻胶以稳定的流速进入颗粒仪，简化了操作，提高了测试精度。解决了光刻胶颗粒度测试时，因流量不稳导致仪器容易报错的问题；并且相对于现有在进口端通过阀门需要实时调节的方法，简化了操作，可重复操作性高，并大大缩短了光刻胶产品生产时颗粒度检测的时间，提升了数据可靠性和重复性。
一种光刻颗粒测试装置

[发明专利]双酯结构单体及其制备方法和应用-CN202011129934.7在审
发明人：余绍山;顾大公;许东升;方涛;李庆伟;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C07C69/675 文献下载
摘要：本发明提供了一种双酯结构单体及其制备方法和ArF光刻胶配方的应用。所述双酯结构单体的制备方法包括如下步骤有：将乙醇酸酯类溶解于反应溶剂中，配制成乙醇酸酯类溶液；在保护气氛中，将所述乙醇酸酯类溶液与三乙胺混合处理后，进行冷却处理，形成混合溶液；保持保护气氛不变，将所述甲基丙烯酰氯加入至所述混合溶液中进行酯化反应，生成双酯结构单体。所述双酯结构单体制备方法生成双酯结构单体具有双酯长侧链和小体积、高酸敏度的基团；赋予所述双酯结构单体合成的树脂具有较好的附着力和成膜性能、去保护反应效率和可塑性，其硬度和脆性得到了改善。而且制得的双酯酸保护结构单体具有较高的产率，副产物低，易分离纯化。
结构单体及其制备方法应用

[发明专利]丙烯酸异冰片酯的制备方法-CN202010874647.2在审
发明人：许东升;余绍山;方涛;祝晓岚;陈鹏;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C07C67/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种丙烯酸异冰片酯制备方法。所述丙烯酸异冰片酯制备方法包括如下步骤有：将丙烯酸和丙烯酸酐中的至少一种与异冰片醇在含有催化剂的反应溶液中进行缩合反应，生成如下通式Ⅲ所示的丙烯酸异冰片酯。本发明丙烯酸异冰片酯制备方法通过一步缩合反应生成丙烯酸异冰片酯，其工艺步骤简洁，条件易控，反应体系稳定，目标产物得率高，适合大规模生产，且反应溶剂可重复利用，三废产生量小。
丙烯酸冰片制备方法

[发明专利]3-吗啉基丙酰吗啉的制备方法-CN202010874754.5在审
发明人：许东升;余绍山;方涛;祝晓岚;陈鹏;顾大公;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C07D295/185 文献下载
摘要：本发明提供了一种3‑吗啉基丙酰吗啉的制备方法。所述3‑吗啉基丙酰吗啉的制备方法包括如下步骤：将吗啉与丙烯酰氯加入至含有催化剂的反应溶剂中，进行加成反应，生成3‑吗啉基丙酰吗啉。所述3‑吗啉基丙酰吗啉的制备方法制备的目标产物得率和纯度高，纯度均大于98.0％，且过程简单，温度较为温和，提纯方式简单，试剂均为常用试剂，价格便宜，具有良好的经济效益。
吗啉基丙酰吗啉制备方法

[发明专利]一种掩膜板微尘影响评估方法和系统-CN201710701067.1有效
发明人：智慧;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板微尘影响评估方法和系统，属于集成电路制造技术领域，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，包括以下步骤：步骤S1、检测掩膜板上的所有微尘分别在掩膜板上的影响区域；步骤S2、生成对掩膜板表面的特定区域进行微尘检测的检测模板，检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于掩膜板图形上的目标检测区域；步骤S3、将检测结果嵌入检测模板，分析所有影响区域与分别目标检测区域的位置关系；步骤S4、根据所有位置关系评估掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响。上述技术方案的有益效果是：对掩膜板特定区域进行表面微尘检测，降低晶圆在光刻制程中的返工率，从而减少研发成本，提升研发进度。
一种掩膜板微尘影响评估方法系统