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- [发明专利]制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310432456.0有效
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毛智彪
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上海华力微电子有限公司
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2013-09-22
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2013-12-25
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H01L21/28
- 一种制作高均匀度栅极线条的方法，包括：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻胶；执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；在第一光刻胶上涂布含有硫氰酸盐类化合物的固化材料，交联固化第一光刻胶中第一栅极线条的结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，形成第二栅极线条的结构。
- 制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310432435.9有效
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毛智彪
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上海华力微电子有限公司
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2013-09-22
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2013-12-25
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H01L21/28
- 一种制作高均匀度栅极线条的方法，包括：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜、和第一光刻胶；执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；在第一光刻胶上涂布胺类化合物和/或多胺类化合物，交联固化第一光刻胶中的第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，形成第二栅极线条的结构。
- 制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310432448.6有效
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毛智彪
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上海华力微电子有限公司
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2013-09-22
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2013-12-25
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H01L21/28
- 一种制作高均匀度栅极线条的方法，包括：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜、和含硅硬薄膜、以及第一光刻胶；执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；在第一光刻胶上涂布含有硫醇类化合物的固化材料，交联固化第一光刻胶中第一栅极线条的结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀含硅硬薄膜、旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，形成第二栅极线条的结构。
- 制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354606.0有效
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上海华力微电子有限公司
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2013-08-14
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2013-11-20
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布胺类化合物或多胺类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354689.3有效
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2013-11-20
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布硫醇类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354686.X有效
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布硫氰酸盐类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354604.1有效
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毛智彪
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2013-11-20
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布含烷基氨的固化材料固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354608.X有效
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布异氰酸盐类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
- [发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法-CN201310354609.4有效
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毛智彪
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上海华力微电子有限公司
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2013-08-14
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2013-11-20
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H01L21/28
- 一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布含烷氧基的固化材料固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
- 双重曝光制作均匀栅极线条方法
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