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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法-CN202110126895.3有效
发明人：王嘉熙;陈彦羽;陈奕志;毕诗伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法，用于执行物理气相沉积(PVD)制程的PVD标靶包括背板及耦接至背板的标靶板。标靶板包括溅射源材料及掺杂剂，前提为此掺杂剂并非溅射源材料中的杂质。溅射源材料包括扩散阻障材料。
物理沉积形成半导体元件方法

[发明专利]集成电路结构及制造集成电路结构的方法-CN202211627242.4在审
发明人： 毕诗伟;叶昇韦;陈彦羽;郑文豪;林志威;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。
集成电路结构制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202210451008.4在审
发明人： 毕诗伟;廖汉文;颜桓佑;陈彦羽;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件及绝缘层的制造方法-CN201810985149.8有效
发明人：程仲良;毕诗伟;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体元件包含：具有数个侧壁与底面的第一导电结构，第一导电结构延伸穿过形成在基材上的一或多个隔离层；以及设于第一导电结构的至少一侧壁与一或多个隔离层的各自侧壁之间的绝缘层，其中第一导电结构至少透过底面电性耦合于第二导电结构。
半导体元件绝缘制造方法

[发明专利]集成电路结构及制造集成电路结构的方法-CN201810582909.0在审
发明人： 毕诗伟;叶昇韦;陈彦羽;郑文豪;林志威;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。
集成电路结构互连结构扩散层金属部件阻挡层衬底半导体再分布层金属层集成电路制造金属

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN201711206711.4在审
发明人： 毕诗伟;林群智;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法，包含沉积介电层于栅极堆叠上，移除一部分的栅极堆叠以于介电层中形成沟槽，沉积绝缘层于沟槽内，沉积粘着层于绝缘层上，以及于粘着层上执行含氢等离子处理。
绝缘层半导体结构栅极堆叠粘着层沉积沉积介电层氢等离子介电层移除制造

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