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[发明专利]图像传感器对角隔离结构-CN202310272425.7在审
发明人：毛杜立;王勤;比尔·潘;孙世宇;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
图像传感器对角隔离结构

[发明专利]抑制串扰的像素阵列衬底及制造方法-CN202211724794.7在审
发明人：文成烈;比尔·潘;毛杜立 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种减少串扰的像素阵列衬底及其制造方法。减少串扰的像素阵列衬底包括半导体衬底、缓冲层、金属环和衰减层。半导体衬底包括第一光电二极管区域。半导体衬底的背表面在平行于第一光电二极管区域上方的背表面的第一背表面区域的截面平面中形成围绕第一光电二极管区域的沟槽。缓冲层在该背表面上，并且具有位于第一光电二极管区域上方的特征，该特征是凹口和孔口之一。金属环在该缓冲层上并且覆盖沟槽。衰减层在第一光电二极管区域上方。
抑制像素阵列衬底制造方法

[发明专利]高动态范围、背照式、低串扰图像传感器-CN202211562189.4在审
发明人：文成烈;毛杜立;比尔·潘 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括由隔离结构分隔的阵列式光电二极管，以及在第一层金属互连与衬底之间的层间介质。图像传感器在层间介质中在隔离结构与第一层互连之间具有阻挡金属壁，阻挡金属壁与隔离结构对准并且设置在隔离结构与第一层互连之间。通过以下步骤来形成背照式图像传感器：提供部分制成的半导体衬底，该部分制成的半导体衬底具有形成的光电二极管和源‑漏区域；在半导体衬底的前侧表面上形成栅电极，在栅电极之上沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积层间介质；形成穿过层间介质延伸到蚀刻停止层的沟槽，该沟槽位于光电二极管之间；以及用金属填充沟槽以形成阻挡金属壁。
动态范围背照式低串扰图像传感器

[发明专利]具有低色串扰的高动态范围分割像素CMOS图像传感器-CN202110528424.5有效
发明人：毛杜立;比尔·潘;马渕圭司;文成烈;刘远良;V·瓦乃兹艾 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/40 文献下载
摘要：本申请案涉及具有低色串扰的高动态范围分割像素CMOS图像传感器。本申请案涉及一种像素单元，所述像素单元包含多个子像素，以响应于入射光生成图像电荷。所述子像素包含被外部子像素横向环绕的内部子像素。第一多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的第一分组。第一浮动扩散部经耦合以通过第一多个传输门从外部子像素的所述第一分组接收所述图像电荷。第二多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的所述第二分组。第二浮动扩散部安置在所述半导体材料中，并经耦合以通过所述第二多个传输门从外部子像素的所述第二分组中的每一者接收所述图像电荷。所述内部子像素中的所述图像电荷通过相应的传输门被所述第一、第二浮动扩散部或其两者接收。
具有低色串扰动态范围分割像素 cmos 图像传感器

[发明专利]源极跟随器接触件-CN201811067853.1有效
发明人：王昕;杨大江;马四光;马渕圭司;比尔·潘;毛杜立;戴森·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。
跟随接触

[发明专利]具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器-CN202210526612.9在审
发明人：毛杜立;比尔·潘;文成烈;刘远良;A·博纳克达;刘成明;Z·林 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个大子像素LPD及至少一个小子像素SPD。多个彩色滤光片经安置在个别子像素上方。每一个别SPD横向相邻于至少一个其它SPD。
具有 led 闪烁减少颜色 cmos 图像传感器

[发明专利]具有部分环绕电路系统的光电二极管区域的像素布局-CN202210135944.4在审
发明人：臧辉;刘远良;马渕圭司;陈刚;比尔·潘;毛杜立;武田健 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及具有部分环绕电路系统的光电二极管区域的像素布局。图像传感器包括第一光电二极管区域及电路系统。所述第一光电二极管区域在半导体衬底内安置成靠近所述半导体衬底的第一侧以形成第一像素。所述第一光电二极管区域包含耦合到第二区段的第一区段。所述电路系统至少包含与第一晶体管相关联的第一电极。所述第一电极至少部分地安置在所述第一光电二极管区域的所述第一区段与所述第二区段之间，使得当从所述半导体衬底的所述第一侧观察时，所述电路系统至少部分地被所述第一光电二极管区域环绕。
具有部分环绕电路系统光电二极管区域像素布局

[发明专利]单曝光高动态范围传感器-CN201810636929.1有效
发明人：杨大江;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;毛杜立;成先富;王昕;比尔·潘;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种单曝光高动态范围传感器。所述单曝光高动态范围HDR图像传感器包含安置于半导体材料中的第一光电二极管及第二光电二极管，所述第二光电二极管具有小于所述第一光电二极管的满阱容量。所述图像传感器还包含：第一浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；及第一转移栅极，其耦合到所述第一光电二极管以将累积在所述第一光电二极管中的第一图像电荷转移到所述第一浮动扩散部中。第二浮动扩散部安置于所述半导体材料中，且第二转移栅极耦合到所述第二光电二极管以将累积在所述第二光电二极管中的第二图像电荷转移到所述第二浮动扩散部中。衰减层安置于所述第二光电二极管与朝向所述单曝光HDR图像传感器引导的图像光之间以阻挡所述图像光的一部分到达所述第二光电二极管。
曝光动态范围传感器

[发明专利]具有部分囊封衰减层的图像传感器-CN202011587383.9有效
发明人：刘远良;比尔·潘;毛杜利 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有部分囊封衰减层的图像传感器。像素单元包含第一光电二极管、第二光电二极管、第一深沟槽隔离区、第二深沟槽隔离区、缓冲氧化物层及光衰减层。所述衰减层通过在所述半导体材料与所述缓冲氧化物层之间从所述第一深沟槽隔离区横向延伸到所述第二深沟槽隔离区而部分地囊封所述第一光电二极管。
具有部分衰减图像传感器

[发明专利]闪烁减轻像素阵列基板-CN202111295918.X在审
发明人：刘远良;比尔·潘;毛杜立;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种闪烁减轻像素阵列基板和一种用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法。该闪烁减轻像素阵列基板包括半导体基板和金属环。半导体基板包括小光电二极管区域。半导体基板的后表面形成在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽。金属环(i)至少部分地填充沟槽，(ii)在横截面平面中包围小光电二极管区域，并且(iii)在后表面上方延伸。该用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法包括(i)在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽中以及(ii)在后表面区域上形成金属层。方法还包括减小位于后表面区域上方的金属层的二极管上方区段的厚度。
闪烁减轻像素阵列

[发明专利]用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构-CN202110759842.5在审
发明人：文成烈;比尔·潘 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构。所公开标的物的实例提出围绕像素单元的像素晶体管区的周边安置深沟槽隔离结构。在一些实例实施例中，所述深沟槽隔离结构从半导体衬底的后侧延伸到所述半导体衬底中且毗邻或接触安置在所述半导体衬底的前侧中的浅沟槽隔离结构的底部。所述沟槽隔离结构一起将所述像素晶体管区的晶体管沟道隔离。所述沟槽隔离结构在所述像素晶体管区中的形成及布置形成浮动掺杂阱区，例如浮动P掺杂阱区(P阱)，其含有浮动扩散区FD及像素晶体管的源极/漏极(例如，(N)掺杂区)。这个浮动P阱区旨在减少与所述像素单元的所述浮动扩散区相关联的结泄漏。
用于抑制 cmos 图像传感器中的浮动扩散泄漏隔离结构

[发明专利]减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和成像系统-CN201710905557.3有效
发明人：毛杜立;特吕格弗·维拉森;约翰内斯·索尔胡斯维克;马渕圭司;陈刚;真锅宗平;戴森·H·戴;比尔·潘;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;林志强 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。
减少照明诱发闪烁图像传感器像素成像系统

[发明专利]具有增加的有效沟道宽度的晶体管-CN202110312013.2在审
发明人：胡信中;文成烈;比尔·潘 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及具有增加的有效沟道宽度的晶体管。图像传感器包含安置于半导体衬底中的光电二极管及可操作地耦合到所述光电二极管的晶体管。至少三个衬底沟槽结构经形成于所述半导体衬底中，从而界定各自具有多个侧壁部分的两个非平面结构。隔离层包含各自经安置于所述三个衬底沟槽结构中的相应者中的至少三个隔离层沟槽结构。栅极包含各自经安置于所述三个隔离层沟槽结构中的相应者中的三个指部。所述晶体管的电子沟道沿着所述两个非平面结构的所述多个侧壁部分延伸于沟道宽度平面中。
具有增加有效沟道宽度晶体管

[发明专利]具有通过倒锥体提高的量子效率的图像传感器-CN202110096108.5在审
发明人：阿里雷萨·博纳达;林志强;比尔·潘;巴德里纳斯·帕德玛纳班 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：具有通过倒锥体提高的量子效率的图像传感器包括半导体衬底和多个微透镜。半导体衬底包括像素阵列。每个像素用于将入射在像素上的光转换为电输出信号，半导体衬底具有用于接收光的顶表面。顶表面在每个像素中形成多个倒锥体。多个微透镜设置在顶表面上方并且分别与多个倒锥体相对准。
具有通过锥体提高量子效率图像传感器

[发明专利]具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法-CN202011259895.2在审
发明人： 比尔·潘;刘远良;毛杜利;文成烈;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包含衬底材料。所述衬底材料包含设置在其中的多个光电二极管。所述多个光电二极管包含多个小光电二极管SPD和大于所述SPD的多个大光电二极管LPD。滤色器阵列设置在所述衬底材料之上。缓冲层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。金属图案设置在所述滤色器阵列中的滤色器之间以及所述滤色器阵列与所述缓冲层之间。衰减层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。所述衰减层在所述多个SPD和所述多个LPD中的每一个的一部分之上并与之对准。所述衰减层的边缘在所述多个LPD中的一个之上。
具有分割像素结构图像传感器及其制造方法

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