“武汉敏芯半导体股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果72个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶圆涂胶装置及方法-CN202310706109.6在审
发明人：高满;刘巍;刘应军;汪嵚 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B05C13/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆涂胶装置及方法，包括盛具、取料部、动力部和加热部，盛具用于盛放光刻胶，取料部用于固定晶圆，加热部设置在取料部上，用于加热晶圆，取料部设置在盛具的上方，动力部与取料部相连接，用于带动取料部上下移动，以使晶圆接触光刻胶和脱离光刻胶，动力部还用于带动取料部以晶圆的中轴线为旋转中心转动，可使晶圆底面光刻胶的涂布更为均匀，尤其可使不规则的晶圆的边角有相同的胶厚。通过带动晶圆旋转，避免晶圆底面的光刻胶出现中间厚边缘薄以及正面涂胶造成的边缘堆胶和背面残胶的问题，还能将多余光刻胶甩至盛具中，提高光刻胶利用率，还可避免使用边胶清洗剂，节约工艺成本。通过设置加热部，在甩胶的过程中实现软烘。
涂胶装置方法

[发明专利]一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法-CN202310602701.1在审
发明人：余黎明;刘巍;刘应军;易美军 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法，所属光通信技术领域，包括：第一二氧化硅层、金属层和第二二氧化硅层；通过在二氧化硅膜内部设置一层金属层，形成复合膜结构，金属层能够很好的释放和缓解二氧化硅膜的压应力，起到缓冲作用，从而能低整个膜系的应力，以减少划裂片工艺因二氧化硅应力过大导致二氧化硅薄膜破损的情况发生，提高产品良率。通过在膜系上刻蚀出第一接触口和第二接触口，使电极层能够与第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之间的金属层相连接，使电极层的电势和金属层的电势相同，进而使芯片的寄生电容的两电极间距减小，使得寄生电容增大，以使芯片能承受更大的冲击电压，提升了芯片的耐静电放电能力。
一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法

[发明专利]复合钝化层及其制作方法、光电设备-CN202310609581.8在审
发明人：汪嵚;刘巍;刘应军;金灿 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合钝化层及其制作方法、光电设备，包括第一BCB钝化层、SiO2层和第二BCB钝化层，所述第一BCB钝化层用于设置在基底上，所述SiO2层设置在所述第一BCB钝化层远离所述基底的一侧，所述第二BCB钝化层设置在所述SiO2层远离所述第一BCB钝化层的一侧，能够有效解决因BCB涂敷不均引起的厚度差问题，以及BCB钝化后形变引起的异色或裂纹的问题，可使BCB更均匀且更平整的覆盖于芯片的表面，起到更好的绝缘和保护作用。
复合钝化及其制作方法光电设备

[发明专利]激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法-CN202310759847.7在审
发明人：夏宏宇;刘应军;易美军;崔涛;张烜 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器芯片的老化条件获取方法、系统及芯片筛选方法。其中激光器芯片的老化条件获取方法包括：根据不同的设定电流值，对激光器芯片进行分组；对每组激光器芯片进行升温老化试验，获取每个设定电流值下的极限温度；获取每个设定电流值下和极限温度下的加速因子；选取加速因子大于第一预设值的多组激光器芯片，基于其对应的极限温度和试验电流，进行老化试验及HTOL测试，获取失效比例和失效时间节点；将HTOL测试无失效且失效时间节点小于第二预设值的一组激光器芯片，其对应的试验电流和极限温度作为老化条件。该老化条件能有效筛选早期失效产品，以及不会因为应力过大而破坏产品，还能够得到合理的老化时间，提高老化试验的效率。
激光器芯片老化条件获取方法系统筛选

[发明专利]薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法-CN202310572056.3在审
发明人：周江昊;周志强;姚齐;罗绍迪 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法，薄膜组结构包括了多个薄膜层和连接于多个薄膜层中至少一个薄膜层的电极，通过电极的设置可以为多个薄膜层中的至少一个薄膜层施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。使得一个薄膜组结构适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。
薄膜结构光电器件调节方法

[发明专利]一种电极制作方法、电极和半导体器件-CN202310500071.7在审
发明人：王松;阳红涛;刘巍;刘应军;金灿 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电极制作方法、电极和半导体器件，在晶圆表面沉积金属层，金属层通常由若干种金属分层沉积于晶圆表面，通常选用钛、铂、金、锗、镍等能够保护半导体材料和易导电的金属，在本申请中，金属层包括金属钛、铂、金层，在晶圆表面的电极区域设置光刻胶层，所述光刻胶层设置在所述金属层的上层，以所述光刻胶层为掩膜，蚀刻所述晶圆表面的非电极区域的金属层；除去光刻胶层；对比传统剥离法制备出的金属电极，通过本方法制备成的电极其边缘更加规整，没有翻金和残金，传统剥离法在形成电极的剥离过程中容易导致电极脱落，而本方法将光刻膜设置在金属层上方作为掩膜，可完全避免此现象。
一种电极制作方法半导体器件

[发明专利]激光器芯片、制备方法及激光器-CN202310501495.5在审
发明人：方子明;张绪源;刘巍;刘应军;金灿 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光器芯片、制备方法及激光器，属于激光器技术领域，用于解决电镀外观粗糙、各处电镀厚度不一的问题。本申请的激光器芯片包括：衬底、第一绝缘层及光刻胶层。第一绝缘层覆盖于衬底的背面上。光刻胶层覆盖于第一绝缘层上。本申请的激光器芯片能够获得均匀性更好的镀层，以提高芯片的散热效果，同时，能够降低镀层的粗糙度，使电镀外观更好，以便于后序测试时的识别。
激光器芯片制备方法

[实用新型]光电探测器和光电设备-CN202321118642.2有效
发明人：孙将;罗妍;张新安;刘应军 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电探测器和光电设备，包括TO‑CAN组件和金属管体，金属管体套设在TO‑CAN组件上，TO‑CAN组件与金属管体之间设置有间隙形成容纳空间，容纳空间用于设置粘接剂，TO‑CAN组件与金属管体之间还设置有储存槽，储存槽与容纳空间相连通，储存槽用于储存粘接剂。能够避免TO‑CAN与金属管体之间进行封焊，进而从根本上避免了因封焊引起的漏气、炸膜、电击穿等现象，提高成品率。通过设置储存槽，可以使得容纳空间内多余的粘接剂能够储存至储存槽内，避免粘接剂外溢，降低了因粘接剂溢出所导致的风险，如外观不良、激光打标异常等问题，另一方面也极大的提高了员工的工时功效，而且也能在向容纳空间添加粘接剂时保证添加量充足，进而保证良好的粘接强度。
光电探测器设备

[发明专利]窄线宽半导体激光器及其制备方法-CN202211076812.5有效
发明人：魏思航;周志强;刘永康 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽半导体激光器及其制备方法，涉及半导体光芯片技术领域，主要目的是降低窄线宽激光器的制备难度和成本，并提高其结构稳定性。本发明的主要技术方案为：该窄线宽半导体激光器包括DFB增益区、深刻蚀光栅区和无源波导区；DFB增益区的端面为第一解理面，第一解理面上设置有高透射介质膜；深刻蚀光栅区包括衬底和在衬底上由下至上依次生长的N型包层、光栅波导层和P型包层；深刻蚀光栅区包括多个光栅，多个光栅沿激光器腔体的长度方向间隔排布；无源波导区包括衬底和在衬底上由下至上依次生长的N型包层、无源波导层和P型包层；无源波导区的端面为第二解理面，第二解理面上设置有高反射介质膜。
窄线宽半导体激光器及其制备方法

[发明专利]高可靠性边发射激光器及工艺-CN202110695380.5有效
发明人：魏思航;周志强;刘倚红;王任凡 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明为高可靠性边发射激光器及工艺，公开了一种提高边发射激光器可靠性的方法，包括以下步骤：激光器结构中仅去除边发射激光器端面附近的衬底材料，且利用腐蚀截止层从背面去除；将与衬底形貌契合的导热介质作为异质衬底，填充在端面处被腐蚀的区域；导热介质的热导率高于原衬底材料，且导热介质热膨胀系数大于原衬底材料；通过高温退火改变端面量子阱的带隙。本发明通过去除边发射激光器端面附近的衬底材料，用高热导率、高热膨胀系数的材料替代，用于提升激光器COD，改善可靠性。
可靠性发射激光器工艺

[发明专利]激光器-CN202211090563.5有效
发明人：姚齐;魏思航;周志强;刘永康 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种激光器，包括：下限制层；多量子阱层，设置在所述下限制层上，所述多量子阱层的多量子阱对数为3对至6对，所述下限制层的带隙与所述多量子阱层的带隙差值为0.12eV至0.24eV；上限制层，设置在所述多量子阱层上，所述上限制层的厚度小于所述下限制层的厚度。该激光器能够提升电流波长漂移系数，进而提升调谐能力。
激光器

[发明专利]一种高速激光器及其制作方法-CN202211103499.X在审
发明人：潘钺;刘应军;刘陆萌;易美军 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速激光器及其制作方法，该激光器包括衬底以及位于衬底上方的有源层，有源层包括下限制层、量子阱层和上限制层；有源层两侧分别为P型InP层和N型InP层，共同形成横向p‑i‑n结；P型InP层上方为P型InGaAs层，P型InGaAs层上方为P型电极层，N型InP层上方为N型电极层，横向注入电流；有源层上方为光栅层，表面光栅周期设计为激射波长与增益谱峰值波长具有负的失谐，失谐量为10‑20nm。本发明通过采用横向电流注入结构，降低了激光器寄生电容，利于高速调制应用；以及激射波长与增益谱峰值波长采用负的失谐设计提高微分增益从而提高带宽。
一种高速激光器及其制作方法

[发明专利]半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202211076815.9有效
发明人：夏宏宇;刘应军;易美军;王健 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及光通信技术领域，方法包括：响应于半导体激光器的测试指令，在第一预设温度条件下测试半导体激光器的光谱特性，得到光谱特性数据；根据多个波长的多个第一强度，确定主峰和次峰；获取主峰的第二强度、次峰的第三强度和次峰的位置信息；根据第二强度、第三强度和次峰的位置信息，判断半导体激光器是否满足预设条件，其中，预设条件为半导体激光器在第二预设温度下出现扭折的概率小于预设概率阈值；在半导体激光器满足预设条件的情况下，确定半导体激光器为良品。实现了在生产流程上可以省略低温测试环节，大大节省了生产成本和生产时间，有效提高生产效率。
半导体激光器测试方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种增透膜及其制作方法-CN202211026957.4有效
发明人：余黎明;刘巍;金灿 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种增透膜及其制作方法，其中增透膜包括：衬底、SiNx薄膜和SiO2薄膜；所述衬底为InP或GaAs；所述SiNx薄膜和所述衬底相接，所述SiO2薄膜和所述SiNx薄膜相接，所述SiO2薄膜设置在所述SiNx薄膜远离所述衬底的一侧。本发明中SiNx薄膜具有张应力，SiO2薄膜具有压应力，通过在SiNx薄膜上再设置一层SiO2薄膜，降低了增透膜的整体应力，使得增透膜不易出现划片裂片等现象，提高了增透膜的使用寿命。
一种增透膜及其制作方法

[发明专利]激光器和激光器的制备方法-CN202211089099.8在审
发明人：姚齐;魏思航;周志强;刘永康 -专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种激光器和激光器的制备方法，其中本激光器包括了衬底和共用一个衬底的光栅波导结构、无源波导结构和DFB激光器结构，在使用过程中，激光器加正向电压激射产生激光，激光的一部分从光栅波导结构中进入无源波导结构中，无源波导结构的FP腔两端都为高反射率，FP腔除了能提升腔长，还会给DFB结构一个负反馈稳定激光器的波长，进而压缩了线宽。光在无源波导结构几乎没有损耗。本申请实施例提供的激光器真正实现了激光器和FP反馈腔的高效耦合，并且其可给FP腔无法镀膜的一个端面提供高反射率，提升了FP腔的反馈作用。
激光器制备方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 72 条