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[发明专利]一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置-CN202111136017.6在审
发明人： 武晓玮;董佳俊;赵万利 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置，采用化学气相沉积工艺在晶圆表面沉积均匀厚度的氧化层；在氧化层表面形成掩膜图形；根据掩膜图形，采用蒸发工艺或溅射工艺在氧化层表面沉积第一金属层。本申请保证了金属层的沉积质量，有效地提高了金属层与氧化层之间的接触，通过蒸发工艺或溅射工艺实现了金属层的有效沉积，改善了金属层的台阶覆盖性，大大地提高了功率半导体器件的工艺稳定性，进而提高功率半导体器件的良品率。
一种改善金属沉积台阶覆盖方法装置

[发明专利]一种晶圆金属层的腐蚀方法和装置-CN202110579185.6在审
发明人：吴沛飞;孙俊敏;武晓玮;韩纪层 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆金属层的腐蚀方法和装置，采用溅射工艺或蒸发工艺在晶圆表面沉积一定厚度的金属层，采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案，采用腐蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的金属层进行腐蚀，能够尽可能避免腐蚀后出现掉胶和塌胶现象，避免掉胶和塌胶而引起的表面线条不规整、侧壁形貌参差不齐等工艺不良问题，可极大改善腐蚀区边缘线条的光滑平直性，提高了晶圆的良率。同时保证了金属层腐蚀图形的质量，有效地完善了金属腐蚀工艺和光刻工艺之间的互补性。
一种金属腐蚀方法装置

[发明专利]一种利用金属催化腐蚀技术切割晶体硅的方法-CN201910473197.3有效
发明人：李佳艳;武晓玮;谭毅;蔡敏 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属催化腐蚀技术切割晶体硅的方法，其特征在于具有如下步骤：对开方后的晶体硅锭依次进行单面抛光，清洗和烘干；在烘干后的抛光面覆盖一层掩模板，掩模板具有多个相互平行的直线形孔隙；在覆盖掩模板的抛光面上镀催化剂，以获得覆盖在抛光面上的线性催化剂线；将上述具有线性催化剂线的晶体硅锭浸入到腐蚀液中进行腐蚀；腐蚀过程完成后将腐蚀后获得的硅片从腐蚀液中取出，并除去硅片表面剩余的催化剂。通过本发明可以实现在指定区域上进行硅锭的切割以获得硅片，大幅度减少了晶体硅的浪费；通过本发明可以有效减少切割过程中杂质及机械应力的引入，减少硅片缺陷的产生。
一种利用金属催化腐蚀技术切割晶体方法

[发明专利]一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法-CN201910473210.5有效
发明人：李佳艳;武晓玮;谭毅;蔡敏 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法，具有如下步骤：对开方后的晶体硅锭依次进行单面抛光，清洗和烘干；烘干后的抛光面进行涂底、旋涂光刻胶和软烘后，将掩模板置于其上；对置有掩模板的抛光面进行对准曝光；将曝光后的抛光面依次进行后烘、显影和硬烘，得到光刻后的抛光面；在光刻后的抛光面上沉积金属催化剂，并浸入到腐蚀液中；腐蚀过程完成后将腐蚀后获得的硅片从腐蚀液中取出，并除去硅片表面剩余的催化剂，获得切割后的硅片。通过本发明可以实现在指定区域上进行硅锭的切割以获得硅片，大幅度减少了加工区域，减少了晶体硅的浪费；通过本发明可以有效减少切割过程中杂质及机械应力的引入，减少硅片缺陷的产生。
一种利用光刻金属催化腐蚀切割晶体方法

[发明专利]一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及应用-CN201910472041.3在审
发明人：李佳艳;蔡敏;谭毅;武晓玮 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及应用，所述添加剂的组分包括第一添加剂、第二添加剂、第三添加剂、第四添加剂中的一种或多种组合；第一添加剂为聚乙二醇溶液(质量分数为0.5～5％)、聚乙烯醇溶液(质量分数为0.5～5％)和十二烷基苯磺酸溶液(质量分数为0.5～5％)的混合溶液；第二添加剂为亚硝酸钠溶液(质量分数为5～10％)；第三添加剂为磷酸溶液(体积分数为5～10％)；第四添加剂为冰乙酸溶液(体积分数为5～10％)。本发明通过向酸性腐蚀液中添加添加剂，能够控制反应速率、降低多晶硅片与腐蚀液之间的张力、增加润湿性，使腐蚀液更均匀的附着于多晶硅片表面，通过腐蚀获得形貌优良的制绒绒面，绒面腐蚀坑大小在200～500nm之间。
添加剂多晶硅片质量分数第一添加剂体积分数腐蚀液酸制绒线切割十二烷基苯磺酸聚乙二醇溶液聚乙烯醇溶液亚硝酸钠溶液形貌冰乙酸溶液酸性腐蚀液混合溶液磷酸溶液绒面腐蚀润湿性附着应用腐蚀