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[发明专利]一种用于GaN MIS-HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路-CN202310866470.5在审
发明人：孙鹏菊;胡应鹏;黄旭;兰昱锋;房新斌;杨滢辉;周兴豪;刘青松;高铭泽;欧阳铭熙;欧阳文远;谢明航 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路，所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压，以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流；然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷；再通过比较器获取短路故障信号；最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存，锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号，锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动，控制驱动芯片使能工作。所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响，短路保护电路设计复杂、成本高等问题。
一种用于 gan mis hemt 功率器件短路保护方法电路

[发明专利]一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法-CN202310578346.9在审
发明人：孙鹏菊;谢明航;欧阳文远;房新斌;罗全明;杜雄;马兴 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
一种 sic mosfet 器件键合线老化监测电路在线方法

[发明专利]一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法-CN202310578297.9在审
发明人：孙鹏菊;欧阳文远;谢明航;杜雄;罗全明;马兴 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法，包括Sic MOSFET器件及其栅极驱动电路，还包括漏压分压模块和栅压钳位模块，其中，所述漏压分压模块设于Sic MOSFET器件的漏极和源级之间，所述栅压钳位模块设于Sic MOSFET器件的栅极和源级之间；所述栅压钳位模块包括MOS管T1，所述漏压分压模块与栅压钳位模块的MOS管T1的栅极相连，当Sic MOSFET器件的漏极与源级之间的电压超过阈值时，漏压分压模块能够触发栅压钳位模块工作；当栅压钳位模块工作时，能迅速将Sic MOSFET器件的驱动电压钳位在安全电压范围内，使Sic MOSFET器件的短路电流减小。本发明将SiC MOSFET的短路耐受时间延长到与IGBT相同的水平，并缩减了电路成本，便于推广应用。
一种提升 sic mosfet 器件短路耐受时间电路方法

[发明专利]一种SiC MOSFET短路保护电路-CN202111636551.3在审
发明人： 欧阳文远 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET短路保护电路，包括峰值采集模块、短路监测模块、隔离和锁存模块，所述峰值采集模块监测SiC MOSFET源极寄生电感上的电压波动而触发短路监测模块开始工作；所述短路监测模块判断是否发生短路并输出短路故障信号，隔离和锁存模块负责将各类信号进行隔离与锁存，通过这种结构，既能快速实现保护动作，同时又能对不同类型短路故障实现精准监测识别，再者使用的元件较少，保证较低成本的同时还易于集成在驱动电路中，以便实际应用。
一种 sic mosfet 短路保护电路

[发明专利]一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法-CN202111248678.8在审
发明人：孙鹏菊;谢明航;李凯伟;欧阳文远;罗全明;杜雄 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET栅极老化监测电路及在线监测方法，该监测电路包括常规驱动、监测驱动、采样与逻辑运算电路以及控制单元；监测方法包括：当待测器件正常工作时，由常规驱动控制器件的开通和关断；当待测器件处于关断状态且实施栅极老化监测时，电路由常规驱动切换到监测驱动，对栅极进行充电；当栅极电压到达设定值时，由逻辑运算电路关断监测驱动并生成充电时间信号传送至控制单元，控制单元捕捉充电时间信号有效电平的持续时间，该充电时间作为栅极老化的特征量，用于监测栅极老化状态。本发明不会影响到器件以及装置的正常工作，可实现栅极老化在线监测，解决了大多数栅极老化监测方法难以在线实施的问题，有效避免停机监测造成的经济损失。
一种 sic mosfet 器件栅极老化监测电路在线方法