专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双沟结构的脊上开孔方法-CN201910769949.0有效
  • 邓仁亮;欧祥勇;薛正群;李敬波;杨重英;吴林福生;高家敏;郭智勇;苏辉 - 福州中科光芯科技有限公司
  • 2019-08-20 - 2021-08-03 - H01L21/027
  • 本发明涉及一种双沟结构的脊上开孔方法,包括如下步骤:在具有双沟的晶元上生长二氧化硅钝化层;匀胶负性光刻胶两次,进行前烘;准备好所需光刻版,将晶元对位曝光;将曝光后的晶元进行曝光后烘;将晶元泛曝光,进行显影;在显微镜下检验合格后,后烘;匀胶负性光刻胶一次,进行前烘;准备好所需光刻版,且晶元对位曝光预设时间;将曝光后的晶元进行曝光后烘;将晶元泛曝光,进行显影;在显微镜下检验合格后,后烘;将后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀;将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。本发明采用两次负胶反转光刻工艺和一次RIE刻蚀结合,减小对位难度并且能够有效保护台面边缘的二氧化硅钝化层,使得台面开孔区域形貌优良,便于电流注入。
  • 一种结构脊上开孔方法

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