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[发明专利]单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用-CN202110273910.7有效
发明人：韩宏伟;梅安意;王一帆;邱泽雄 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体涉及单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用，单一载流子多孔膜支架包括单一空穴多孔膜支架与单一电子多孔膜支架。单一空穴多孔膜支架结构依次为第一电极、第一空穴传输层、多孔绝缘支架层和多孔电极层，多孔用于填充半导体，以测试半导体材料中的空穴迁移率、空穴浓度与缺陷态密度。单一电子多孔膜支架结构依次为第一电极、第一电子传输层、多孔绝缘支架层、多孔第二电子传输层和多孔电极层，同样多孔用于填充半导体，用以测试半导体材料中的电子迁移率、电子浓度与缺陷态密度。本发明提出的支架，制备工艺简单，成本低廉，便于灵活调控，适用于宏观化批量生产与高通量SCLC分析测试，是一种行之有效的SCLC器件设计思路。
单一载流子多孔支架及其制备方法应用

[发明专利]一种基于介电层响应的场效应管光电探测器-CN202110062343.0有效
发明人： 梅安意;韩宏伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器领域，具体公开一种基于介电层响应的场效应管光电探测器，包括栅极、光电响应复合介电层、载流子传输层、源极和漏极；其中，复合介电层由光电响应介质和电荷阻挡绝缘介质复合而成；载流子传输层用于传输电子或空穴，光电响应介质用于在光照下吸光产生电子、空穴或激子，电荷阻挡绝缘介质用于限制电子、空穴、激子的通过；复合介电层中光生电子、空穴或激子的产生以及其被限制在光电响应介质中的移动导致复合介电层等效介电常数变化，引起载流子传输层载流子浓度和导电性的变化，根据光照前后源极和漏极之间电流的变化实现光电探测。本发明显著提升了光电探测器件设计的灵活性，有助于进一步实现高性能低成本的光电探测器。
一种基于介电层响应场效应光电探测器

[发明专利]一种导电浆料及其制备方法与在多孔背电极中的应用-CN202310156226.X在审
发明人：韩宏伟;梅安意;高桥娇;王晓如 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在多孔背电极中的应用，属于光伏器件的电极制备技术领域。本发明中导电浆料包括导电介质颗粒、造孔剂、粘结剂和溶剂；所述导电介质颗粒包括金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物和金属硅化物中的至少一种。其中，导电介质颗粒作为多孔背电极的主要成分，具有高导电性以及高温稳定性。本发明导电浆料中包括金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物、金属硅化物其中的一种或多种，从而增大多孔背电极整体的导电性，使得载流子在多孔背电极上传输阻碍更小，从而提升钙钛矿太阳能电池的性能。
一种导电浆料及其制备方法多孔电极中的应用

[发明专利]一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用-CN202310156507.5在审
发明人：韩宏伟;梅安意;高桥娇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01B1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用，属于光电/电子器件的电极制备领域。本发明导电浆料包括导电介质颗粒、高温粘结剂、低温粘结剂、造孔剂、溶剂；其中，高温粘结剂在高温下会熔化，但不会分解挥发，从而起到粘结电极中导电介质颗粒的作用。本发明通过在所述导电浆料中添加高温粘结剂，可以在多孔电极高温退火的过程中经历升温熔化渗透到电极底层，再降温凝固的过程，从而粘结电极中导电介质颗粒，起到增强高温多孔电极的机械性能以及与基底接触的作用。这种导电浆料用于制备可印刷介观钙钛矿太阳能电池中的多孔电极，可以使器件性能得到优化。
一种导电浆料及其制备方法高温多孔电极中的应用

[发明专利]一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法-CN202211677279.8在审
发明人：韩宏伟;梅安意;程彦杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法-CN202110030628.6有效
发明人：韩宏伟;梅安意;荣耀光;胡玥;戴沁萱;李代宇;刘超 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10K85/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法，其中，界面修饰层的材料包括纳米碳材料和高分子聚合物，纳米碳材料所占质量百分比大于5％、且小于40％。该界面修饰层应用于钙钛矿太阳能电池时，该钙钛矿太阳能电池包括依次堆叠的负极、电子传输层、吸光层、界面修饰层和正极，此时界面修饰层中的纳米碳材料承担空穴提取的作用，高分子承担阻挡钙钛矿吸光层与正极界面载流子复合的作用，可以实现钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层/正极界面处空穴的提取与电子的阻挡，从而避免了常规空穴传输层的使用；与此同时，该材料成本较低，可以以较低的成本解决当前空穴传输层对器件性能的制约问题，大大提高了电池的光电转换效率。
一种钙钛矿太阳能电池界面修饰制备方法

[发明专利]一种可印刷的多孔光学薄膜及其制备方法与应用-CN202210659508.7在审
发明人：韩宏伟;梅安意;王夏冬 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种可印刷的多孔光学薄膜及其制备方法与应用，其中制备方法包括：将纳米颗粒、纤维素和松油醇混合，得到浆料，通过丝网印刷将在浆料刷在基底上；对印刷浆料的基底加热去除其中的纤维素，得到多孔光学薄膜；通过调节浆料中纤维素的含量，改变多孔光学薄膜的孔隙率，进而调节多孔光学薄膜的折射率。浆料中纤维素的含量增加，多孔光学薄膜的孔隙率增大，多孔光学薄膜的折射率减小；浆料中纤维素的含量减少，多孔光学薄膜的孔隙率减小，多孔光学薄膜的折射率增大。本发明采用丝网印刷的方法制备光学薄膜，薄膜稳定性和光学性能都较好，制备工艺简单，成本较低，且易于大规模生产，薄膜折射率在大范围内可连续调节，使用范围极广。
一种可印刷多孔光学薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN202110954137.0有效
发明人：韩宏伟;梅安意;刘爽;张德义;李代宇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
一种质量卤化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法-CN202110079755.5有效
发明人：韩宏伟;梅安意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法，该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成；其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成；DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位，DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位，并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位，DX占据钙钛矿或其衍生物的X位，DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位，并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴，形成P型掺杂卤化物钙钛矿半导体。本发明突破了P型晶格掺杂卤化物钙钛矿半导体的短板，助力卤化物钙钛矿半导体电子/光电子器件的进一步发展。
一种掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法

[发明专利]改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用-CN202111504532.5在审
发明人：韩宏伟;梅安意;李代宇;李圣;陈凯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
改善卤化物钙钛矿薄膜质量方法及其应用

[发明专利]一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用-CN202111274942.5在审
发明人：韩宏伟;梅安意;刘佳乐;李圣;荣耀光;胡玥 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用，包括将氧化锡纳米颗粒与金属离子掺杂剂、溶剂、粘结剂混合并做分散处理，其中，所述氧化锡纳米颗粒与所述金属离子掺杂剂的摩尔比根据所需氧化锡电子浆料的电学性能确定；粘结剂用于粘结、造孔以及分散浆料；对分散处理后的混合物浓缩，得到所需氧化锡电子浆料。进一步通过涂布烧结得到氧化锡膜层，可以应用于太阳能电池、发光二极管和场效应晶体管等光电子器件中的载流子传输层或者缓冲层。本发明通过在浆料制备过程之中进行掺杂处理，可调节氧化锡膜层的半导体性能，以达到对器件性能的提升，并且工艺简单，条件易控，可批量制备，有着良好的应用前景。
一种氧化电子浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种有机小分子卤化物改性的钙钛矿光电功能材料、其制备及应用-CN201910815047.6有效
发明人：韩宏伟;吴佳汶;胡玥;荣耀光;梅安意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于光电功能材料技术领域，更具体地，涉及一种有机小分子卤化物改性的钙钛矿光电功能材料、其制备和应用。其化学通式为(M)z(A1)a(A2)b(A3)1‑a‑b‑z(B1)c(B2)1‑c(X1)d(X2)e(X3)3‑d‑e，其中M为有机小分子卤化物，通过采用有机卤化物小分子对钙钛矿基光电功能材料ABX3进行改性，获得钙钛矿基光电功能材料，本发明的有机小分子卤化物改性的钙钛矿基光电功能材料能显著的提高钙钛矿的结晶度和填充因子，可获得电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
一种有机分子卤化物改性钙钛矿光电功能材料制备应用

[发明专利]一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用-CN201910306815.5有效
发明人：韩宏伟;梅安意;李圣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
一种混合价态锡基氧化物半导体材料制备方法应用

[发明专利]一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用-CN201811456294.3有效
发明人：韩宏伟;胡玥;张智慧;荣耀光;梅安意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C07F7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用，该新型钙钛矿功能材料是基于脒类分子在共混或修饰钙钛矿材料中的应用，钙钛矿材料为ABX3型钙钛矿材料，其中，A为一价有机或无机阳离子，B为二价金属阳离子，X为一价阴离子；脒类分子的化学表达式为R‑C(＝NH)NH2，其中，R为‑NH2、‑CH3、以及‑C6H5中的任意一种；应用具体是将脒类分子的阳离子态取代钙钛矿材料中的A位阳离子，或者是将脒类分子作为添加剂加入到ABX3型钙钛矿材料基体中。本发明通过在ABX3型钙钛矿基材料中引入具体特定化学结构的脒类分子，能显著的提高载流子荧光寿命，可获得光学电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
一种新型钙钛矿功能材料及其光电器件中的应用

[发明专利]一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及其应用-CN201910539721.2有效
发明人：韩宏伟;梅安意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C07C211/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，更具体地，涉及一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及应用。本发明公开的新型的可用于卤化物钙钛矿材料A位的如式(一)所示的羟基胺阳离子以及基于这类材料的卤化物钙钛矿材料：其中，R1和R2各自独立地为氢‑H、甲基‑CH3，氨基‑NH2，羟基‑OH，卤代基‑F、‑Cl、‑Br、‑I或氰基‑CN，且R1和R2不同时为氢‑H。拓展了卤化物钙钛矿材组分与性能设计调控的灵活性，同时羟基胺阳离子中羟基的存在可以赋予卤化物钙钛矿材料更多的有机材料特性。
一种基于羟基阳离子卤化物钙钛矿材料及其应用

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