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[发明专利]一种膜层沉积方法-CN202110012080.2有效
发明人： 桂铭阳;罗兴安;张春雷;蒋志超;胡淼龙;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本申请提供一种膜层沉积方法，基于等离子体气相沉积，包括：将待形成膜层的元件暴露在等离子体腔室中；提供等离子体；通入膜层生成气体，在所述等离子体的作用下，所述膜层生成气体在所述待形成膜层的元件表面形成膜层；间断性地对所述等离子体腔室进行抽气，在抽气阶段，所述腔室内保持预设真空度。由于在等离子体沉积过程中，进行抽气体过程，抽气过程对等离子体场分布造成影响，使得等离子体场分布相对于现有技术中的不均匀而言，较为杂乱随机，从而使得等离子体轰击晶圆的区域相对均匀，进而使得膜层沉积在晶圆表面的厚度相对于现有技术而言，更加均匀，使得晶圆受到膜层的应力较为均匀，改善了晶圆发生形变和破片的情况。
一种沉积方法

[发明专利]三维存储器及其形成方法、及存储系统-CN202111643248.6在审
发明人：张浩;李明;桂铭阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种三维存储器形成方法包括：提供基层，基层包括衬底及设置在衬底上的中间层；于中间层内形成第一孔，第一孔内形成有填充材料；于中间层上形成堆叠层，堆叠层包括交替排布的第一绝缘层及第一牺牲层；形成贯穿堆叠层的第二孔；去除填充材料，形成由第一孔及第二孔构成的深孔，第一牺牲层的侧面暴露于深孔的侧壁；经深孔去除第一牺牲层，并形成第一栅极结构。本公开实施例先形成第一孔，再利用填充材料作为刻蚀停止层，形成第二孔，深孔底部关键尺寸及深孔底部的位置预先通过第一孔设置，改善深孔刻蚀沟槽均一性，保证深孔底部关键尺寸，提高深孔底部关键尺寸与深孔顶部关键尺寸比值，且能够确保刻蚀完全，不会存在刻蚀不充分的情况。
三维存储器及其形成方法存储系统

[实用新型]一种填孔装置及半导体器件-CN202120436634.7有效
发明人：张春雷;蒋志超;罗兴安;张高升;桂铭阳;胡淼龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种填孔装置及半导体器件，包括：容纳腔；与所述容纳腔顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头，向位于所述容纳腔底部的基台表面的堆叠样品喷射所述等离子体；其中，所述堆叠样品中包括至少一个孔洞；与所述容纳腔连接的直流偏置模块，用于产生直流偏置电场，并通过所述直流偏置电场调节所述等离子体在所述孔洞内的运动方向，以实现填充所述孔洞。
一种装置半导体器件

[实用新型]晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器-CN202120117662.2有效
发明人： 桂铭阳;罗兴安;胡淼龙;张高升;蒋志超;张春雷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器。所述晶圆处理机台包括基座、吸附装置和阻挡装置。吸附装置设置在基座上，用于吸附晶圆。阻挡装置，其被用于配置出一个隔离区域，该隔离区域用于使晶圆的背面避免与镀膜材料接触。本申请通过在晶圆处理机台上设置阻挡装置，阻挡装置被用于配置出可使晶圆背面避免与镀膜材料接触的隔离区域。在进行镀膜操作时，隔离区域可阻挡气化的镀膜材料蔓延到晶圆背面的区域，因而晶圆的背面不会有膜层的沉积，从而省去清洗晶圆背面的步骤。
处理机台 nand 存储器

[发明专利]等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统-CN202011398761.9在审
发明人：蒋志超;罗兴安;胡淼龙;张春雷;桂铭阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统，监测方法的特征在于，包括：在所述等离子体工艺腔室中定义多个监测区域；在等离子体工艺过程中，通过监测多个所述监测区域的等离子体辉光强度，判断出现电弧放电的监测区域。本发明通过在等离子体工艺腔室中定义多个监测区域，在等离子体工艺过程中，通过监测多个监测区域的等离子体辉光强度，判断是否有电弧放电发生，以及具体在哪个监测区域发生。本发明在等离子体工艺腔室出现电弧放电后能够精确定位其发生位置，使后续设备维护时能有助于分析发生电弧放电的原因，防止再发。
等离子体工艺电弧放电监测方法系统

[发明专利]一种三维存储器及其制造方法-CN202011488182.3在审
发明人：张春雷;罗兴安;张高升;蒋志超;胡淼龙;桂铭阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括第一堆叠结构以及贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔；在所述第一沟道孔内填充第一牺牲层；在所述第一沟道孔内、所述第一牺牲层上形成第二牺牲层；在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构；刻蚀所述第二堆叠结构，形成与所述第一沟道孔相对应且暴露所述第二牺牲层的第二沟道孔；其中，刻蚀所述第二堆叠结构的工艺中，所述第二牺牲层的耐刻蚀度大于所述第一牺牲层的耐刻蚀度。
一种三维存储器及其制造方法

[发明专利]从曼地亚红豆杉枝条残渣中提取微晶纤维素的方法-CN201811622636.4有效
发明人：夏涛;桂铭阳;曾国进 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C08B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从曼地亚红豆杉枝条残渣中提取微晶纤维素的方法。该方法首先利用煮沸的蒸馏水除去残渣中的水溶性物质；然后用甲苯‑乙醇混合溶剂抽提除去脂类，用酸性漂白剂除去木质素；接着用碱试剂浸泡除去半纤维素后再次漂白，最后用酸试剂水解，最终得到了微晶纤维素。本发明具有工艺简单、反应条件易于控制、处理能力强、可工业化大规模生产等优点，制得的微晶纤维素产品得率较高，聚合度适当，用途广泛。
红豆杉枝条残渣提取纤维素方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及处理方法-CN202011319302.7在审
发明人：胡淼龙;罗兴安;蒋志超;张春雷;桂铭阳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种等离子体处理装置及处理方法。其中，所述等离子体处理装置包括：承载部件，用于承载晶圆；第一喷头，位于所述承载部件的上方，用于向所述晶圆喷洒等离子体气流；第二喷头，用于从所述第一喷头的周围朝向所述等离子体气流的外围喷洒惰性气体。
一种等离子体处理装置方法

[发明专利]薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置-CN202010997159.0在审
发明人：胡淼龙;罗兴安;张高升;桂铭阳;蒋志超;张春雷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置，该薄膜制备装置包括：壳体，具有反应腔体；支撑结构，位于反应腔体内；加热器，位于反应腔体内的支撑结构上；热辐射结构，位于反应腔体的底壁和加热器之间，热辐射结构在加热器上的投影位于加热器的部分区域内，热辐射结构用于向加热器辐射热量。该薄膜制备装置在反应腔体的底壁和加热器之间加入热辐射结构，辐射结构可以向其在加热器上对应的投影区域辐射热量，来调整加热器的部分区域温度，从而可以调整加热器位于对应投影区域上的这部分薄膜的相关参数，即该薄膜制备装置通过热辐射结构可以调整加热器上的薄膜的局部的相关参数，进而保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
薄膜制备装置控制方法

[发明专利]一种纤维素纳米晶增强水泥净浆材料及其制备方法-CN201710774044.3有效
发明人：谢东;李品一;黄进;夏涛;高山俊;孙章龙;桂铭阳 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纤维素纳米晶增强水泥净浆材料及其制备方法，所述纤维素纳米晶类增强水泥净浆材料由纤维素纳米晶分散液与聚羧酸减水剂复配后经均质处理、超声处理，再与水泥拌和得到。本发明采用纤维素纳米晶分散液与聚羧酸减水剂复配改性水泥净浆材料，纤维素纳米晶提高了水泥浆体的水化度，聚羧酸减水剂有助于纤维素纳米晶的分散和改善水泥浆体的流动性，从而提高了水泥净浆的力学性能。
一种纤维素纳米增强水泥材料及其制备方法

[发明专利]用于配电网设备信息三维仿真可视化管理系统创建方法-CN201911128983.6在审
发明人：李春;桂铭阳;刘刚 -专利权人：国网四川省电力公司达州供电公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G06T17/05 文献下载
摘要：本发明公开了用于配电网设备信息三维仿真可视化管理系统创建方法，生成动态实时三维地图；利用配电网设备坐标信息在动态实时三维地图中的对应坐标处创建配电网设备按钮模型，从而生成含有所有配电网设备按钮模型的配电网区域地形展示动态实时三维地图，在配电网设备所在位置实时生成具有配电网设备真实模型的三维仿真地形界面，创建每一个配电网设备按钮模型与对应配电网设备所在位置的三维仿真地形界面的对应关系，通过配电网设备实时管理信息系统获得每个配电网设备的设备信息、管理人员信息、设备操作历史信息，在对应配电网设备所在位置的三维仿真地形界面中创建每个配电网设备的设备信息、管理人员信息、设备操作历史信息的显示界面。
用于配电网设备信息三维仿真可视化管理系统创建方法

[实用新型]一种电杆基础深度测量器-CN201820217670.2有效
发明人：张劲;李春;刘刚;宋挈军;桂铭阳;庞启运 -专利权人：张劲
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01B5/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电杆基础深度测量器，包括测量器主体，所述测量器主体包括固定主体、可伸缩主体和卡尺，规定主体的内部为中空结构，且固定主体设置成最小电杆型号所对应的长度，可伸缩主体为多个且位于固定主体内，可伸缩主体上设置有供埋深读数用的刻度线，卡尺由固定部分和可转动部分组成，固定部分垂直设置在可伸缩主体的最右端，可转动部分通过螺钉与固定部分转动连接。该测量器结构简单，可伸缩主体上可分别固定不同型号电杆深度，卡尺垂直设置更直观比较电杆的基础深度，距离监测装置便于对电杆的基础深度进行监控，当基础深度不达标时报警，以便于工作人员及时对电杆的填埋深度进行维护。
电杆可伸缩主体固定主体卡尺测量器主体深度测量器垂直设置可转动距离监测装置本实用新型测量器结构中空结构转动连接螺钉刻度线埋深填埋直观达标监控维护

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