“栾广庆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种化工储罐密封装置-CN201820928740.5有效
发明人：丁等荣;李锦龙;栾广庆;张守博 -专利权人：丁等荣
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： B65D90/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化工储罐密封装置，包括储罐，所述储罐上安装有进料结构，所述进料结构由进料漏斗和进料管组成，所述储罐的上表面固定连接有进料漏斗，所述进料漏斗采用两端连通的中空结构，所述进料漏斗的下端连通有进料管，且进料管的下端贯穿储罐并延伸至储罐的内部，所述进料漏斗的上端螺纹连接有密封盖，所述密封盖上固定连接有安装块，所述安装块上螺纹连接有螺杆。优点在于：本实用新型具有储罐进料口处的密封效果好，密封盖和进料漏斗之间采用螺纹连接，使得密封盖的拆卸和安装都非常的便捷，同时还在储罐上设置圆形刮盘，可以对粘附在储罐内壁上的物品刮下，便于进行收集，避免造成造成浪费。
储罐进料漏斗密封盖进料管本实用新型化工储罐进料结构安装块下端密封效果好进料口处两端连通螺纹连接上端螺纹中空结构上表面上螺纹拆卸刮盘螺杆内壁粘附连通贯穿延伸

[发明专利]基于晶圆清洗设备的产品追踪方法及系统-CN201210501270.1无效
发明人： 栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于晶圆清洗设备的产品追踪方法及系统该方法包括：将晶圆清洗设备设定成若干独立的ID端口；将需清洗的晶圆产品按批次放置于ID端口上；晶圆清洗设备中机械手从一个ID端口依次按片抓取晶圆，分别放入各清洗单元中进行清洗；对其余ID端口上的晶圆产品依次进行清洗；获取各片晶圆所在的端口ID以及清洗单元和清洗时间，并输入至数据报表；若数据报表中的晶圆清洗时间产生异常，根据数据报表追踪到晶圆所在的端口ID以及清洗单元。本发明通过将机台设成独立的ID端口，实时记录每个ID端口中产品的工艺过程及状态，工艺发生异常或者设备出现异常时能及时准确地进行查询，追踪到发生异常的产品，提高了产品良率。
基于清洗设备产品追踪方法系统

[发明专利]半导体设备机台质量监控方法及系统-CN201210464156.6有效
发明人： 栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G05B19/406 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备机台质量监控方法及系统，该方法包括：S1、自动获取前一次工艺中机台质量监控的前值数据和后一次工艺中机台质量监控的后值数据；S2、将前值数据和后值数据对应生成前值图和后值图；S3、对前值图和后值图进行叠图计算，得到叠图以及对应的叠图值；S4、比较叠图值与系统预设的阈值spec，若叠图值小于或等于spec，则判定机台正常；若叠图值大于spec，则判定机台异常，机台停止作业。本发明能够实时收集数据并进行自动监控，收集的数据准确完整，消除了人工记录造成的错误，同时当产生的缺陷超过系统预设值时则停止机台运作，提高了晶圆生产的产品良率。
半导体设备机台质量监控方法系统

[发明专利]一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法-CN201210052475.6有效
发明人： 栾广庆;吕淑瑞;邓燕 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种快速查找晶圆划伤缺角沾污的方法，包括：将已确认的造成晶圆划伤缺角沾污的设备的名称和硬件尺寸汇总做成数据库1；统计晶圆制造过程中与所述晶圆发生接触的所有设备的名称和硬件尺寸，并将上述所有的硬件尺寸和晶圆的接触位置做成统一的数据库2；按照0.5mm的像素点对所述晶圆进行划分；在所划分的所述晶圆中确定划伤的起点和终点；选取与所述划伤最近似的曲线；根据所述曲线的形状和长度从所述数据库2中选取对应的数据，并将所选取的数据与所述数据库1中的数据进行对比；将确认的结果数据输入所述数据库1，以作为后续判断问题的参考依据。
一种快速查找划伤沾污方法

[发明专利]一种晶圆缺陷检测装置及方法-CN201210028685.1有效
发明人： 栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶圆缺陷检测装置，包括光源、感测单元、控制单元和载物台，所述控制单元包括图形处理器、判断单元、计算单元和缺陷分析单元。当判断单元判断晶圆中的晶粒尺寸过小，超出感测单元的感测能力时，计算单元能够自动更换感测单元的最小识别单位，使得晶粒的图形像素能够让晶粒的表面图形被正确识别，从而提高晶圆缺陷检测的正确率。同时本发明还提出了使用该晶圆缺陷检测装置的检测方法。
一种缺陷检测装置方法

[发明专利]防止金属互连线上形成圈状金属残留物的方法-CN201110449324.X有效
发明人：吕淑瑞;栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种防止金属互连线上形成圈状金属残留物的方法，该方法包括：提供半导体衬底；采用溅射法在所述半导体衬底上形成铝金属层，所述铝金属层用于形成最后一层金属互连线，其中，形成所述铝金属层时的溅射温度低于或等于250℃。本发明的方法通过降低形成铝金属层时的溅射温度，可有效地解决圈状的金属残留物问题。与现有技术相比，本发明的方法未增加任何工艺步骤，因此可以保证原有的生产周期，但却提高了产品的质量。
防止金属互连线上形成残留物方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201110449326.9无效
发明人：吕淑瑞;栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氮化物层和具有图案的光刻胶层；依次对所述氮化物层和所述半导体衬底进行干法刻蚀以形成沟槽，其中，在所述干法刻蚀过程中提供连续的射频功率。本发明的方法通过在氮化物层和半导体衬底的干法刻蚀过程中施加连续的射频功率，可以有效地解决刻蚀副产物附着在半导体衬底上的问题，进而保证刻蚀工艺顺利进行，降低硅残留导致的有源区连条而造成半导体器件的失效率，进而提高良品率。
半导体器件制作方法

[实用新型]离子注入机特气导管安装结构-CN201220622115.0有效
发明人： 栾广庆 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入机特气导管安装结构，离子注入机包括坩埚、起弧室以及连接坩埚和起弧室的特气导管，起弧室包括两对应设置的侧板，特气导管与侧板相连接，其中，特气导管包括坩埚特气导管、侧板特气导管、以及连接坩埚特气导管和侧板特气导管的坩埚-侧板特气导管，坩埚-侧板特气导管弯曲设有若干呈锐角的圆弧，侧板特气导管弯曲设有若干呈锐角的圆弧。本实用新型中当电离气体内的残余物流进特气导管内时，残余物会停留在特气导管的圆弧处，而不会掉落到特气导管的底部，有效地避免了特气导管与坩埚接头处的堵塞问题。
离子注入机特气导管安装结构

1
共 8 条