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[发明专利]温度敏感偏置电路-CN201911308278.4有效
发明人：安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明涉及温度敏感偏置电路，其中，一种示例装置包括：除其它以外，主动装置，包括第一端子；第一偏置电阻器，与该第一端子连接；以及第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相。
温度敏感偏置电路

[发明专利]用于微显示器的CMOS驱动器晶圆与LED晶圆的组件-CN201810686126.7有效
发明人：狄帕·K·纳亚;斯瑞尼凡沙·巴纳 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及用于微显示器的CMOS驱动器晶圆与LED晶圆的组件，揭示一种集成电路(IC)微显示器结构。该结构可包括：置于衬底上的第一氧化物层；位在该第一氧化物层内的第一电压源(VSS)接垫；布置于该第一氧化物层内及该第一VSS接垫上的金属柱；布置于该金属柱上并在该第一氧化物层上方延展的第一氮化镓层；以及由该第一氮化镓层所形成的至少一个子像素。或者，该结构可包括置于衬底上的第一氧化物层；置于该第一氧化物层上的第一金属层；位在该第一金属层上的第一氮化镓层；以及由该第一氮化镓层所形成的至少一个子像素。该结构还可包括电连接至该至少一个子像素的子像素驱动器，其中，该子像素驱动器的一部分与一子像素垂直对准。
用于显示器 cmos 驱动器 led 组件

[发明专利]用于产生表面电荷的包括压电衬垫的FINFET装置及其制造方法-CN201810815983.2有效
发明人：高群;N·西迪基;安东尼·I·邱 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及用于产生表面电荷的包括压电衬垫的FINFET装置及其制造方法，揭示于本文的一例示方法包括，但不限于：形成共形压电材料衬垫层于鳍片的至少相对横向侧壁上，形成绝缘材料凹陷层于该鳍片的相对两边上以及于该共形压电材料衬垫层上，移除该共形压电材料衬垫层在该绝缘材料凹陷层之上的数个部分以藉此暴露该鳍片在该凹陷上表面之上的一部分，以及形成栅极结构于该绝缘材料凹陷层之上以及于该鳍片位在该凹陷上表面之上的一部分四周。
用于产生表面电荷包括压电衬垫 finfet 装置及其制造方法

[发明专利]集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元-CN202010082453.9有效
发明人：兰迪·W·曼;毕尔·C·保罗;朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元，揭示包括互补场效应晶体管的结构及静态随机访问存储器位单元以及形成此类结构及位单元的方法。第一互补场效应晶体管具有第一储存纳米片晶体管、堆叠于第一储存纳米片晶体管上方的第二储存纳米片晶体管、以及由第一储存纳米片晶体管与第二储存纳米片晶体管共用的第一栅极电极。第二互补场效应晶体管具有第三储存纳米片晶体管、堆叠于第三储存纳米片晶体管上方的第四储存纳米片晶体管、以及由第三储存纳米片晶体管与第四储存纳米片晶体管共用的第二栅极电极。第一栅极电极与第二栅极电极沿纵轴以间隔布置设置。SRAM位单元的所有栅极电极可以1CPP(接触多晶硅间距)布局设置。
集成互补场效应晶体管结构 sram 单元

[发明专利]具有一气隙栅极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法-CN201810436589.8有效
发明人： E·布尔若;谢瑞龙 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及具有一气隙栅极侧壁间隔件的场效应晶体管及方法，其揭露一种方法，其中，具有栅极帽以及牺牲栅极侧壁间隔件的栅极邻接晶体管的沟道区域而形成，以及具有柱塞帽的金属柱塞形成于源/漏区域上。该牺牲栅极侧壁间隔件被选择性蚀刻，生成暴露该栅极以及栅极帽的侧壁的空腔。可选的，该栅极帽的侧壁被回蚀刻以加宽该空腔的上部。沉积介电间隔层以于该空腔内形成气隙栅极侧壁间隔件。由于该柱塞帽、栅极帽以及介电间隔层使用的是不同的材料，随后形成的栅极接触开口将自对准该栅极。因此，栅极接触件可形成于有源区域的上方(或接近该有源区域)，而无栅极接触件至金属柱塞短路的风险。本申请也揭露根据该方法形成的一种结构。
具有一气栅极侧壁间隔场效应晶体管方法

[发明专利]包括用于电流感测的分布式基准单元的存储器阵列-CN201910500549.X有效
发明人：约翰·A·费尔德;艾瑞克·杭特史罗德 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及包括用于电流感测的分布式基准单元的存储器阵列，揭示行列式存储器单元阵列，各列具有相应基准单元以及相应比较器。在给定行及给定列中的各存储器单元与该行的存储器字线及该列的存储器位线连接。各基准单元与针对这些基准单元的基准字线连接并与基准位线连接。针对列的各比较器具有电流镜，该电流镜具有与该列的该基准单元的该基准位线连接的基准部分以及与该列中的该存储器单元的该存储器位线连接的存储器部分。各基准部分具有电流镜节点，且该阵列中的所有电流镜节点被连接以减少失配并提升感测精度。改变施加于该存储器及基准字线的电压以提供精确的单端感测、容限测试等。
包括用于流感分布式基准单元存储器阵列

[发明专利]用于纳米片装置的取代金属栅极图案化-CN201810500777.2有效
发明人：谢瑞龙;朴灿柔;成敏圭;金勋;臧辉;许国伟 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米片装置的取代金属栅极图案化，其关于一种用于纳米片装置的取代金属栅极图型化的方法，包括：在衬底上形成第一与第二纳米片堆栈，该第一与第二纳米片堆栈彼此相邻，并且各包括以一距离分开的垂直相邻的纳米片；沉积围绕该第一纳米片堆栈的第一金属、及该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的第二部分；在该第一纳米片堆栈与该第二纳米片堆栈之间形成隔离区；利用蚀刻程序移除该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的该第二部分，该隔离区防止该蚀刻程序伸抵该第一金属的该第一部分，并且藉以防止移除该第一金属的该第一部分；以及沉积将该第二纳米片堆栈的各该纳米片围绕的第二金属。
用于纳米装置取代金属栅极图案

[发明专利]改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法-CN201910198615.2有效
发明人：臧辉;王振裕;L·埃克诺米科思 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法，提供形成有缩减宽度且与邻近鳍片有增加距离的CT柱的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：提供在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中，该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及形成一CT柱，其包括在该第一对及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中，该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。
改良鳍式场效晶体管 finfet 及其制造方法

[发明专利]在多重图案化工艺期间的电熔丝形成-CN201910222580.1有效
发明人：舒杰辉;张晓强;尹海洲;张木申;刘金平;臧辉 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及在多重图案化工艺期间的电熔丝形成，其提供互连结构及制作互连结构的方法。第一互连及第二互连在层间介电层中朝第一方向延伸并且彼此隔开。第三互连配置在该层间介电层中，以将该第一互连连接至该第二互连。该第一互连及该第二互连具有第一宽度，而该第三互连具有小于该第一宽度的第二宽度。
多重图案化工期间电熔丝形成

[发明专利]具有集成天线结构的晶圆级封装-CN201910807853.9有效
发明人： W·马塞尔;G·克里斯蒂安 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明涉及具有集成天线结构的晶圆级封装，射频(RF)半导体芯片可以基于用于提供一封装材料的两步工艺在晶圆级上封装，从而在形成于该封装材料中的天线结构和该半导体芯片之间提供非常短的电性连接。在一些说明性实施例中，该天线结构可设置在该半导体芯片的上方，从而形成一高空间效率的总体配置。
具有集成天线结构晶圆级封装

[发明专利]具有独立栅极控制的垂直堆叠互补场效应晶体管装置-CN201910564732.6有效
发明人：朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙;帕尼特·哈瑞汉德拉·苏瓦纳 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及具有独立栅极控制的垂直堆叠互补场效应晶体管装置，其中，一种方法包括形成半导体材料层的堆叠。形成与位于该堆叠的第一端部的下部区域相邻的第一间隔件，以及形成与位于该堆叠的第二端部的上部区域相邻的第二间隔件。形成栅极结构和侧壁间隔件于该堆叠的上方。移除该栅极结构以及该半导体层的第一子集以定义内空腔和栅极空腔。形成栅极绝缘层。形成第一导电材料于该内空腔中。从该上部区域的该内空腔中选择性移除该第一导电材料。该下部区域的该内空腔中的该第一导电材料保留作为第一栅极电极。形成一第二导电材料于该上部区域的该内空腔中以定义一第二栅极电极。
具有独立栅极控制垂直堆叠互补场效应晶体管装置

[发明专利]形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法-CN201811244166.2有效
发明人：谢瑞龙;禹永倬;丹尼尔·恰尼莫盖姆;B·C·保罗;拉尔斯·W·赖柏曼;H·涅博热夫斯基;朱雪莲;孙磊;臧辉 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法，所揭示的一示范方法主要包括：选择性地形成栅极至源极/漏极(GSD)接触开口及CB栅极接触开口于至少一层绝缘材料中以及在相应开口中形成初始栅极至源极/漏极(GSD)接触结构与初始CB栅极接触结构，其中，该GSD接触结构与该CB栅极接触结构中的各者的上表面位在第一层级，以及对该初始GSD接触结构及该初始CB栅极接触结构执行凹陷蚀刻制程以形成凹陷GSD接触结构与凹陷CB栅极接触结构，其中，这些凹陷接触结构中的各者的凹陷上表面位在低于该第一层级的第二层级。
形成晶体管装置栅极接触结构交叉耦合方法

[发明专利]在集成电路产品上形成接触结构的方法-CN201811332964.0有效
发明人：谢瑞龙;拉尔斯·W·赖柏曼;巴拉沙巴马尼恩·波拉纳斯哈拉恩;威拉拉哈瓦恩·巴斯克尔 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及在集成电路产品上形成接触结构的方法，揭示一种示例方法，包括但不限于：形成至少一牺牲材料层于一下方导电结构之上，形成一牺牲接触结构于所述至少一牺牲材料层中，以及形成至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围。于该示例中，该方法还包括执行至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的一上表面，移除所述牺牲接触结构以形成暴露所述下方导电结构的所述上表面的一接触开口以及形成一最终接触结构于所述接触开口中，所述最终接触结构导电接触所述下方导电结构。
集成电路产品形成接触结构方法

[发明专利]具有环绕填充线的接合垫-CN201811570669.9有效
发明人：史考特·波德尔;T·拉曼;K·杨-费希尔;D·斯通 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及具有环绕填充线的接合垫，其提供一种接合垫结构及用于制作接合垫结构的方法。在介电层的顶端表面上形成接合垫及多条填充线。填充线是相邻于接合垫设置在介电层的顶端表面上，并且可通过填充排除区与接合垫分开。一或多个凸块下冶金(UBM)层可设置在接合垫上，并且可向外延展以与填充线重叠。
具有环绕填充接合

[发明专利]进行用于FINFET半导体装置的鳍片切口蚀刻程序的方法-CN201811580409.X有效
发明人：庄磊;巴拉沙巴马尼恩·波拉纳斯哈拉恩;拉尔斯·赖柏曼;谢瑞龙;泰瑞斯·霍克 -专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及进行用于FINFET半导体装置的鳍片切口蚀刻程序的方法，在用于制作集成电路的自对准鳍片切口程序中，使用牺牲栅极或外延形成的源极/漏极区作为蚀刻掩模，搭配鳍片切口蚀刻步骤，以移除所述鳍片不希望的部分。该程序不需要使用经光刻界定的蚀刻掩模也能将所述鳍片切割，使鳍片切口能够精确且准确对准。
进行用于 finfet 半导体装置切口蚀刻程序方法

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