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[发明专利]制造碳化硅基半导体结构和中间复合结构的方法-CN202280015305.2在审
发明人： H·比亚尔;格维塔兹·戈丹 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：a)提供由热膨胀系数接近碳化硅的热膨胀系数的材料制成的临时衬底的步骤；b)在所述临时衬底的正面上形成中间石墨层的步骤；c)将多晶碳化硅支撑层沉积在所述中间层上的步骤，所述支撑层的厚度介于10微米至200微米之间；d)将有用单晶碳化硅层直接或经由附加层转移到所述支撑层上以便形成复合结构的步骤，所述转移使用分子粘附接合；e)在所述有用层上形成有源层的步骤；f)在所述中间层的界面处或者在所述中间层内的分解步骤，以便形成包括所述有源层、所述有用层和所述支撑层的所述半导体结构并且形成临时衬底。本发明还涉及在该方法的中间步骤处获得的复合结构。
制造碳化硅半导体结构中间复合方法

[发明专利]用于制造包括包含聚集体的界面区域的半导体结构的方法-CN202180084342.4在审
发明人： 格维塔兹·戈丹;I·拉杜;F·佛内尔;J·维迪兹;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由半导体材料制成的工作层；b)提供由半导体材料制成的载体衬底；c)在工作层的待接合的自由面上和/或在载体衬底的待接合的自由面上淀积厚度小于50nm的膜，该膜由与工作层和载体衬底的半导体材料不同的半导体材料构成；d)形成中间结构，形成中间结构的步骤包括：沿着沿主平面延伸的键合界面分别直接接合工作层的待接合的自由面和载体衬底的待接合的自由面，中间结构包括源自在步骤c)淀积的一个或更多个膜的封装膜；e)在高于或等于临界温度的温度对中间结构进行退火，以引起封装膜的分段并且形成半导体结构，该半导体结构包括位于工作层与载体衬底之间的界面区域，所述界面区域包括：‑工作层与载体衬底之间的直接接触区域；以及‑聚集体，该聚集体包括膜的半导体材料并且沿着垂直于主平面的轴线的厚度小于或等于250nm；直接接触区域和聚集体在主平面中是相邻的。
用于制造包括包含聚集体界面区域半导体结构方法

[发明专利]用于薄层转移的供体衬底及相关转移方法-CN202180081095.2在审
发明人： V·拉里;S·勒博;L·勒凡-若丹;F·米莱西;卢多维克·埃卡尔诺;格维塔兹·戈丹;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种供体衬底(100)，用于将第一材料制成的单晶薄层(1)转移到受体衬底(2)上，所述供体衬底(100)具有正面(100a)和背面(100b)，并且包括：‑包埋脆性平面(30)，其限定了供体衬底(100)的上部(101)和下部(102)，‑在所述上部(101)中的所述正面(100a)侧的第一层(10)，与所述包埋脆性平面(30)相邻的第二层(20)，以及插入到所述第一层(10)和第二层(20)之间的停止层(15)，所述第一层(10)由第一材料构成，所述停止层(15)由能够相对于所述第一材料提供选择性蚀刻的第二材料形成，‑非晶化子部(101'、101”、101”')，通过离子植入变为非晶形，其厚度严格小于所述上部(101)的厚度，并且至少包含所述第一层(10)；所述第二层(20)至少包括与所述包埋脆性平面(30)相邻的单晶亚层(22)。本发明还涉及一种转移供体衬底(100)制成的单晶薄层(1)的方法的两种实施例。
用于薄层转移供体衬底相关方法

[发明专利]包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法-CN202180048657.3在审
发明人： F·阿利伯特;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;埃里克·圭奥特;格维塔兹·戈丹;J·维迪兹;F·佛内尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构(100)，其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面(x,y)延伸的有用层(10)、由半导体材料制成的支撑基板(30)以及在有用层(10)和支撑基板(30)之间的界面区域(20)，支撑基板平行于主平面(x,y)延伸，该结构(100)的特征在于界面区域(20)包括结节(21)：‑其为导电的，它们包含与有用层(10)和支撑基板(30)形成欧姆接触的金属材料；‑其沿着垂直于主平面(x,y)的轴线(z)具有小于或等于30nm的厚度；‑其为分离的或毗连的，分离结节(21)通过有用层(10)和支撑基板(30)的直接接触区域(22)彼此分离。本发明还涉及一种用于制造该结构(100)的方法。
包括导电结合界面半导体结构关联生产方法

[发明专利]用于制造半导体结构的方法、光子器件-CN201780056607.3有效
发明人：比什-因·阮;格维塔兹·戈丹 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体结构的方法和光子器件，其中，方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)；在氮化硅构图层(102)上设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将第一保形氧化物层(103)平面化至氮化硅构图层(102)上方的预定厚度，以形成平面化氧化物层(103’)。在将第一保形氧化物层(103)平面化的步骤之后，方法还包括以下步骤：清洁氮化硅构图层(102)以形成具有凹陷高度的凹陷氮化硅构图层(102’)；并且随后，在凹陷氮化硅层(102’)上或上方设置第二保形氧化物层(104)。
用于制造半导体结构方法光子器件

[发明专利]用于表面声波器件的混合结构-CN202211307637.6在审
发明人： 格维塔兹·戈丹;I·于耶 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构，所述混合结构包括压电材料的有用层，有用层具有自由的第一面和被放置在支撑衬底上的第二面，支撑衬底的热膨胀系数低于有用层的热膨胀系数，其中，混合结构包括：布置在有用层的第二面上的第二中间层；位于支撑衬底上的俘获层；位于有用层与俘获层之间的具有确定的粗糙度的至少一个功能界面，其中，所述至少一个功能界面包括位于所述有用层与所述第二中间层之间的具有峰谷振幅大于0.1微米的确定的粗糙度的第二功能界面，其中，所述第二中间层具有远离所述第二功能界面的平坦表面，其中，所述第二中间层的所述平坦表面的整个表面结合到所述支撑衬底上的所述俘获层。
用于表面声波器件混合结构

[发明专利]用于表面声波器件的混合结构-CN201780040275.X有效
发明人： 格维塔兹·戈丹;I·于耶 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，所述混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，所述有用层(10)具有自由的第一面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，所述支撑衬底(20)具有低于所述有用层(10)的热膨胀系数的热膨胀系数。所述混合结构(100)的特征在于，所述混合结构(100)包括：设置在所述有用层(10)与所述支撑衬底(20)之间的俘获层(30)；以及位于所述有用层(10)与所述俘获层(30)之间的具有预先确定的粗糙度的至少一个功能界面(31)。
用于表面声波器件混合结构

[发明专利]接合两个半导体衬底的方法-CN202080082122.3在审
发明人： 格维塔兹·戈丹;C·富丁 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过分子粘附来接合两个半导体衬底的方法，所述方法包括：使第一衬底和第二衬底(2)紧密接触以便形成具有结合界面(4)的组合件的步骤a)；以比第一预定温度高的第一温度对结合界面(4)进行反应退火的步骤b)，所述步骤b)在结合界面处产生气泡；在结合界面(4)处至少部分地剥离这两个衬底以便消除所述气泡的步骤c)；以及在结合界面(4)处使第一衬底和第二衬底(2)再次紧密接触以便重新形成该组合件的步骤d)。
接合两个半导体衬底方法

[发明专利]利用金属/金属结合制造复合结构的方法-CN201380034211.0有效
发明人： I·拉杜;M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;格维塔兹·戈丹;G·里奥 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m²的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。
利用金属结合制造复合结构方法

[发明专利]减小了叠加失准的直接接合方法-CN201110281229.3有效
发明人： M·波卡特;格维塔兹·戈丹;阿诺德·卡斯泰 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小了叠加失准的直接接合方法。具体来说，一种将在接合之前具有本征曲率(K1)的第一晶圆(100)直接接合至在接合之前具有本征曲率(K2)的第二晶圆(200)的方法，两个晶圆中的至少一个(100)包括至少一系列的微组件(110)。所述方法包括使两个晶圆(100、200)彼此接触以在两个晶圆之间开始传播接合波的至少一个步骤。在接触步骤期间，根据包括一系列微组件(110)的晶圆(100)的接合之前的本征曲率(K1)将旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在两个晶圆中的一个上，另一晶圆自由地顺应于所述预定接合曲率(KB)。
减小叠加失准直接接合方法

[发明专利]用于键合两个基板的工艺-CN200980102881.5无效
发明人： 格维塔兹·戈丹;法布里斯·拉勒门特;西里尔·科纳特;帕斯卡尔·吉尔德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于键合两个基板的方法，具体为两个半导体基板，为了能提高工艺的可靠性，该方法提供了在基板的键合表面上提供气流的步骤。本发明还涉及相应的键合设备。
用于两个工艺

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