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[发明专利]形成硫属化合物薄膜的方法-CN200980113520.0有效
发明人：李起薰;李正旭;柳东浩 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是关于一种形成用于相变存储器的硫属化合物薄膜的方法。在根据本发明的形成硫属化合物薄膜的方法中，将其中形成有图案的基板载入至反应器中，以及将源气体供应至基板。此处，源气体包括选自锗源气体、镓源气体、铟源气体、硒源气体、锑源气体、碲源气体、锡源气体、银源气体及硫源气体的至少一者。第一冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的源气体，然后将用于还原源气体的反应气体供应至基板，以及将第二冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的反应气体。至少一次操作，即以此方式执行改变第一冲洗气体的供应时间及/或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的沉积速度大于在图案上部的沉积速度。根据本发明，藉由以此方式改变源气体的冲洗时间或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的薄膜形成速度大于在图案上部的薄膜形成速度。
形成化合物薄膜方法

[发明专利]用于沉积薄膜的加热器-CN200610144860.8无效
发明人：白春金;李起薰;崔亨燮;徐康镇 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2006-11-23 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明提供一种通过加热而在已安置的晶片上沉积薄膜的用于沉积薄膜的加热器。所述用于沉积薄膜的加热器包含：晶片支撑板，其上安置晶片，且在所述晶片支撑板的边缘处设置有多个注入孔，且在所述晶片支撑板中包含热量产生元件；杆，其设置在所述晶片支撑板的下侧处，所述杆包括惰性气体路径，通过此惰性气体路径以提供惰性气体；以及流动通道形成盖，其接合到所述晶片支撑板的下部，且包括形成在所述流动通道形成盖与所述晶片支撑板之间的内部空间，其中所述注入孔与所述惰性气体路径通过所述内部空间连接起来。
用于沉积薄膜加热器

[发明专利]化学气相沉积设备-CN200610074522.1有效
发明人：金宰湖;朴相俊 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2002-03-19 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及化学气相沉积设备。在该化学气相沉积设备中，可与外部RF电源(302)相连的RF电源连接部分(303)安装在腔室(300)的上部；RF电极板(306)安装在所述腔室内，所述RF电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定的间隔与设置在所述RF电极板下方的喷头(309)隔开；利用由外部RF电源供给到RF电极板上的电能使等离子体产生在由RF电极板和喷头的上表面之间的间隙所限定的第一缓冲部分(310)中；喷头在垂直方向上被分成两个部分并且所述两个部分之间的间隔限定了第二缓冲部分(316)；反应气体被供给到产生有等离子体的第一缓冲部分；以及源气体被供给到第二缓冲部分。
化学沉积设备

[发明专利]在晶片上沉积薄膜的方法-CN200480024478.2有效
发明人：朴永薰;李相奎;徐泰旭;张镐承 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2004-08-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种使用薄膜沉积设备沉积薄膜的方法。该沉积薄膜的方法包括的操作步骤是：装载晶片至晶片块；通过第一和第二注入孔向晶片注入第一反应气体和热活化的第二反应气体进行沉积薄膜；流入含有H元素的热处理气体淹没薄膜以减少薄膜中的杂质；以及从晶片块卸载已经沉积上了薄膜的晶片。如果第二反应气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T2，则T2高于T1，并且如果热处理气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T3，则T3与T1一样或更高。
晶片沉积薄膜方法

[发明专利]使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法-CN200610064869.8有效
发明人：朴永薰;李相奎;李起薰;徐泰旭 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理，和在所述第二反应气体连续馈送处理期间执行多次处理周期，其包括将第一反应气体馈送入所述腔室中的第一反应气体馈送处理和清除并不依附在衬底上的第一反应气体的第一反应气体清除处理。所述第二反应气体连续馈送处理包括在所述第一反应气体清除处理期间以大于基本流量的脉冲流量馈送所述第二反应气体的第二反应气体脉冲处理。
使用脉冲 ald 技术衬底沉积薄膜方法

[发明专利]在晶圆片上沉积薄膜的装置-CN200510115502.X无效
发明人：林弘周;李相奎;徐泰旭;张镐承 -专利权人： 株式会社IPS
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积装置，能够有效地使用具有高汽化温度的化学品源。该薄膜沉积装置包括一用来在晶圆片上沉积薄膜的腔室、用来容纳将被送至腔室的液体化学品源的罐体，以及一用来将罐体内沸腾的液体化学品源汽化并向腔室提供汽化的化学品源的汽化器。汽化器藉助适配件安装在腔室的顶面或侧面从而与腔室结合。在适配件内，汽化器与腔室之间形成第一气体管线。
晶圆片上沉积薄膜装置